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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • FSU02LGT 通用 GaAs FET2023-12-09 19:56

    產(chǎn)品型號(hào)：FSU02LGT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FSU02LGT 名稱：Small Signal GaAs FET小信號(hào)砷化鎵 FE 產(chǎn)地：日本 封裝：LG*

  • FSU01LG 通用 GaAs FET2023-12-09 19:41

    產(chǎn)品型號(hào)：FSU01LG 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FSU01LG 名稱： Small Signal GaAs FET小信號(hào)砷化鎵 F 產(chǎn)地：日本 封裝：LG*

  • FSX017LG 超低噪聲 HEMT2023-12-09 17:49

    產(chǎn)品型號(hào)：FSX017LG 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FSX017LG 名稱：Small Signal GaAs FET小信號(hào)砷化鎵 FE 產(chǎn)地：日本 封裝：LG*

  • FSU02LG 通用 GaAs FET2023-12-09 17:26

    產(chǎn)品型號(hào)：FSU02LG 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FSU02LG 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：LG*

  • FLM1011-3F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-09 17:18

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM1011-3F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM1011-3F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

  • FLM6472-4F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-09 17:06

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM6472-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM6472-4F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

  • FLM5964-4F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-09 15:05

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM5964-4F 廠家： Sumitomo Electric Device Inno 型號(hào)：FLM5964-4F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

  • FLM3135-18F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-09 14:58

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM3135-18F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM3135-18F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

  • FLM1314-8F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 20:54

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM1314-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM1314-8F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

  • FLM3135-4F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 20:45

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM3135-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM3135-4F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB