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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • SGC0910-300B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 12:15

    產(chǎn)品型號(hào)：SGC0910-300B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC0910-300B-R 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

  • SGC8595-300B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 12:09

    產(chǎn)品型號(hào)：SGC8595-300B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)： SGC8595-300B-R 名稱(chēng)： IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

  • SGC1011-300B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 12:03

    產(chǎn)品型號(hào)：SGC1011-300B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC1011-300B-R 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

  • SGK1314-30B ku帶 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 11:55

    產(chǎn)品型號(hào)：SGK1314-30B 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGK1314-30B 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IBK

  • SGC0910-200B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 11:48

    產(chǎn)品型號(hào)：SGC0910-200B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC0910-200B-R 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

  • SGC8598-50B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 11:42

    產(chǎn)品型號(hào)：SGC8598-50B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC8598-50B-R 名稱(chēng)： IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

  • SGC8598-200B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 11:35

    產(chǎn)品型號(hào)：SGC8598-200B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC8598-200B-R 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

  • F658-5867-100A C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 11:28

    產(chǎn)品型號(hào)：F658-5867-100A 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)： F658-5867-100A 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：I2F

  • SGC8598-100B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 11:20

    產(chǎn)品型號(hào)：SGC8598-100B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC8598-100B-R 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

  • SGC5259-400B-R C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-10 21:17

    產(chǎn)品型號(hào)：SGC5259-400B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC5259-400B-R 名稱(chēng)： IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：封裝