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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • FLM1314-3F X、 Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 21:09

    產(chǎn)品型號：FLM1314-3F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1314-3F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

  • FLM7179-4F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 20:59

    產(chǎn)品型號：FLM7179-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM7179-4F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IB

  • FLM1414-12F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 20:51

    產(chǎn)品型號：FLM1414-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1414-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝： IB

  • FLM1011-4F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 20:36

    產(chǎn)品型號：FLM1011-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1011-4F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

  • FLM1011-6F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 20:20

    產(chǎn)品型號：FLM1011-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號： FLM1011-6F 名稱： High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

  • FLM1011-8F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 19:48

    產(chǎn)品型號：FLM1011-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1011-8F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IB

  • FLM1213-12F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 19:40

    產(chǎn)品型號：FLM1213-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1213-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IB

  • FLM1213-4F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 16:42

    產(chǎn)品型號：FLM1213-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1213-4F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

  • FLM1314-6F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 16:35

    產(chǎn)品型號：FLM1314-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1314-6F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

  • FLM1213-6F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 16:27

    產(chǎn)品型號：FLM1213-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1213-6F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA