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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • FLU10ZM L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 23:02

    產(chǎn)品型號(hào)：FLU10ZM 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLU10ZM 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：XP

  • FLC157XP GaAs FET和HEMT芯片2023-12-05 22:55

    產(chǎn)品型號(hào)：FLC157XP 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLC157XP 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：XP

  • FLC087XP GaAs FET芯片2023-12-05 22:47

    產(chǎn)品型號(hào)：FLC087XP 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLC087XP 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：XP

  • FLU10ZMTE1 L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:39

    產(chǎn)品型號(hào)：FLU10ZMTE1 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLU10ZMTE1 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：ME

  • FLU17XM L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:30

    產(chǎn)品型號(hào)：FLU17XM 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLU17XM 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：XM

  • FLU17XMT L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:24

    產(chǎn)品型號(hào)：FLU17XMT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLU17XMT 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：XM

  • FLU10XMT L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:16

    產(chǎn)品型號(hào)：FLU10XMT 廠家： Sumitomo Electric Device Inno 型號(hào)：FLU10XMT 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：XM

  • FLU35XMT L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:08

    產(chǎn)品型號(hào)：FLU35XMT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLU35XMT 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：XM

  • ELM1314-30F/001 Ku波段內(nèi)部匹配FET2023-12-05 20:35

    產(chǎn)品型號(hào)：ELM1314-30F/001 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：ELM1314-30F/001 名稱：IMFET GaAs 砷化鎵IMFET 產(chǎn)地：日本 封裝：M2A

  • FLM1011-12F/101 X、 Ku波段內(nèi)部匹配FET2023-12-05 20:25

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM1011-12F/101 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM1011-12F/101 名稱： IMFET GaAs 砷化鎵IMFET 產(chǎn)地：日本 封裝：lB