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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • FHX45X 是一種超高電子遷移率 晶體管2023-12-05 09:47

    產(chǎn)品型號：FHX45X 廠家： Sumitomo Electric Device Inno 型號：FHX45X 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

  • FHC40LGT 超低噪聲HEMT2023-12-05 09:31

    產(chǎn)品型號：FHC40LGT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHC40LGT 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：LGT

  • FHC40LG 超低噪聲HEMT2023-12-05 09:21

    產(chǎn)品型號：FHC40LG 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHC40LG 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：LG

  • FHX76LP 超低噪聲HEMT2023-12-04 23:19

    產(chǎn)品型號：FHX76LP 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX76LP 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝： LP

  • FHX13LG 超低噪聲HEMT2023-12-04 23:11

    產(chǎn)品型號：FHX13LG 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX13LG 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：LG

  • FHX14LG 超低噪聲HEMT2023-12-04 23:05

    產(chǎn)品型號：FHX14LG 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX14LG 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：LG

  • FHX35LG 超低噪聲HEMT2023-12-04 22:54

    產(chǎn)品型號：FHX35LG 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX35LG 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：LG

  • TC1101 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 22:44

    產(chǎn)品型號：TC1101 廠家：Sumitomo 型號：TC1101 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

  • TC1101P0811 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 22:38

    產(chǎn)品型號：TC1101P0811 廠家：Sumitomo 型號：TC1101P0811 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

  • TC1102P0710 超低噪聲GaAs FET2023-12-04 22:28

    產(chǎn)品型號：TC1102P0710 廠家：Sumitomo 型號：TC1102P0710 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip