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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • TC1101P0912 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 20:02

    產(chǎn)品型號(hào)：TC1101P0912 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC1101P0912 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

  • TC1102 超低噪聲GaAs FET2023-12-04 19:54

    產(chǎn)品型號(hào)：TC1102 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC1102 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

  • TC1102P0811 超低噪聲GaAs FET2023-12-04 19:38

    產(chǎn)品型號(hào)：TC1102P0811 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC1102P0811 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

  • TC1102P0912 超低噪聲GaAs FET2023-12-04 19:30

    產(chǎn)品型號(hào)：TC1102P0912 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC1102P0912 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

  • TC1201 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 19:19

    產(chǎn)品型號(hào)：TC1201 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC1201 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

  • TC1201P0811 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 19:11

    產(chǎn)品型號(hào)：TC1201P0811 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC1201P0811 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

  • TC1201P0912 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 19:03

    產(chǎn)品型號(hào)：TC1201P0912 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC1201P0912 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

  • TC1202P0912 超低噪聲GaAs FET2023-12-04 18:54

    產(chǎn)品型號(hào)：TC1202P0912 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC1202P0912 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

  • TC1202P0710 超低噪聲GaAs FET2023-12-04 18:46

    產(chǎn)品型號(hào)：TC1202P0710 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC1202P0710 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

  • TC2201 塑料封裝低噪聲PHEMT GaAs FET2023-12-04 18:19

    產(chǎn)品型號(hào)：TC2201 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC2201 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Ceramic micro-X