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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • TC1106 超低噪聲GaAs PHEMT FET2023-12-04 22:18

    產(chǎn)品型號：TC1106 廠家：Sumitomo 型號：TC1106 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

  • TC1201P0710 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 22:07

    產(chǎn)品型號：TC1202P0811 廠家：Sumitomo 型號：TC1201P0710 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

  • TC1202P0811 超低噪聲GaAs FET2023-12-04 21:17

    產(chǎn)品型號：TC1202P0811 廠家：Sumitomo 型號：TC1202P0811 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

  • TC1202 超低噪聲GaAs FET2023-12-04 21:11

    產(chǎn)品型號：TC1202 廠家：Sumitomo 型號：TC1202 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

  • TC1201V 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 21:03

    產(chǎn)品型號：TC1201V 廠家：Sumitomo 型號：TC1201V 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

  • TC1301P0710 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 20:49

    產(chǎn)品型號：TC1301P0710 廠家：Sumitomo 型號：TC1301P0710 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

  • TC1301P0811 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 20:44

    產(chǎn)品型號：TC1301P0811 廠家：Sumitomo 型號：TC1301P0811 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

  • TC1301P0912 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 20:24

    產(chǎn)品型號：TC1301P0912 廠家：Sumitomo 型號：TC1301P0912 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

  • TC1101P070 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 20:14

    產(chǎn)品型號：TC1101P070 廠家：Sumitomo 型號：TC1101P070 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

  • TC1101P0710 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 20:09

    產(chǎn)品型號：TC1101P0710 廠家：Sumitomo 型號：TC1101P0710 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip