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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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立年電子科技產品

  • F657-4450-8F C波段內部匹配FET2023-12-05 20:14

    產品型號：F657-4450-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：F657-4450-8F 名稱：IMFET GaAs 砷化鎵IMFET 產地：日本 封裝：lB

  • SMC2933L6012R 高壓-大功率GaN HEMT 托盤放大器2023-12-05 19:59

    產品型號：SMC2933L6012R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SMC2933L6012R 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產地：日本 封裝：DFN

  • SMC2933L1512R 高壓-大功率GaN HEMT 托盤放大器2023-12-05 19:52

    產品型號：SMC2933L1512R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SMC2933L1512R 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產地：日本 封裝：DFN

  • SGCA100M1H DC-4GHz高功率GaN HEMT2023-12-05 19:42

    產品型號：SGCA100M1H 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGCA100M1H 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產地：日本 封裝：DFN

  • SG38K30S-D 高壓塑料模GaN HEMT2023-12-05 19:32

    產品型號：SG38K30S-D 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SG38K30S-D 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產地：日本 封裝：DFN

  • SG38K30S-DT 高壓塑料模GaN HEMT2023-12-05 19:25

    產品型號：SG38K30S-DT 廠家： Sumitomo Electric Device Inno 型號：SG38K30S-DT 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產地：日本 封裝：DFN

  • SG38K30S-DT1 高壓塑料模GaN HEMT2023-12-05 19:19

    產品型號：SG38K30S-DT1 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SG38K30S-DT1 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產地：日本 封裝：DFN

  • F658-H130M1H 直流至3GHz高功率GaN HEMT2023-12-05 19:09

    產品型號：F658-H130M1H 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：F658-H130M1H 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產地：日本 封裝：DFN

  • F658-E030MK 高壓-大功率GaN HEMT2023-12-05 13:11

    產品型號：F658-E030MK 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號： F658-E030MK 名稱： GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產地：日本 封裝：DFN

  • F658-E070MK 高壓-大功率GaN HEMT2023-12-05 13:04

    產品型號：F658-E070MK 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：F658-E070MK 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產地：日本 封裝：DFN