產(chǎn)品
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TC1606 2W高線性高效率GaAs功率場效應(yīng) 晶體管2023-12-04 13:41
產(chǎn)品型號：TC1606 廠家：Sumitomo 型號：TC1606 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip -
TC2181 低噪聲高動態(tài)范圍 GaAs FET2023-12-04 13:30
產(chǎn)品型號：TC2181 廠家：Sumitomo 型號：TC2181 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Ceramic micro-X -
TC1501 1W高線性高效率GaAs功率場效應(yīng) 晶體管2023-12-04 13:19
產(chǎn)品型號：TC1501 廠家：Sumitomo 型號：TC1501 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip -
TC2381 低噪聲和中等功率 GaAs FET2023-12-04 13:07
產(chǎn)品型號：TC2381 廠家：Sumitomo 型號：TC2381 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Ceramic micro-X -
TC2281 低噪聲 高動態(tài)范圍 GaAs FET2023-12-04 12:56
產(chǎn)品型號：TC2281 廠家：Sumitomo 型號：TC2281 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Ceramic micro-X -
TC2282 低噪聲陶瓷封裝PHEMT GaAs FET2023-12-04 12:46
產(chǎn)品型號：TC2282 廠家：Sumitomo 型號：TC2282 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip -
TC1301 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 12:20
產(chǎn)品型號：TC1301 廠家：Sumitomo 型號：TC1301 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip -
TC1504N 1W高線性高效率GaAs功率場效應(yīng) 晶體管2023-12-04 12:01
產(chǎn)品型號：TC1504N 廠家：Sumitomo Electric 型號：TC1504N 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip -
IPP-2073 傳統(tǒng) 90 度 混合耦合器2023-12-01 13:19
產(chǎn)品型號：IPP-2073 廠家：IPP（Innovative Power Products 型號：IPP-2073 名稱：傳統(tǒng) 90 度混合耦合器 產(chǎn)地：美國 封裝：SMD -
IPP-2067 傳統(tǒng) 90 度 混合耦合器2023-12-01 13:13
產(chǎn)品型號：IPP-2067 廠家：IPP（Innovative Power Products 型號：IPP-2067 名稱：傳統(tǒng) 90 度混合耦合器 產(chǎn)地：美國 封裝：SMD