為了分析色散效應(yīng)對晶體硅太陽電池反射率的影響，在考慮材料折射率色散效應(yīng)的情況下，運(yùn)用光學(xué)干涉矩陣計(jì)算了具有SiO？ 單層減反射膜和MgFz /ZnS 雙層減反射膜晶體硅太陽電池的反射率與波長的函數(shù)關(guān)系，并與實(shí)驗(yàn)結(jié)果和未考慮色散效應(yīng)的計(jì)算結(jié)果進(jìn)行了對比分析。結(jié)果表明： 考慮折射率色散效應(yīng)的計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)測量數(shù)據(jù)完全相符，而未考慮折射率色散效應(yīng)的計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)測量數(shù)據(jù)相差較大，最大差值分別為21.5%和16.9%.

　　減反射膜材料和晶體硅的折射率為了分析折射率色散效應(yīng)對晶體硅太陽電池反射率的影響，必須先確定減反射膜材料和晶體硅的折射率色散關(guān)系。各種減反射膜材料和晶體硅的折射率隨著波長的變化關(guān)系是完全不同的。圖1繪出了SiO：.ZnS.MgFz.三種減反射膜材料和晶體硅的折射率色散關(guān)系曲線！13- 151.由圖1可以看出，SiOz.ZnS.MgFz 和晶體硅的折射率在350~600 nm 波長范圍內(nèi)隨著波長的變化均存在較大變化。在這個(gè)波長范圍，SiOz.ZnS.MgFz.三種減反射膜材料的折射率隨著波長的增加單調(diào)減小，而晶體硅的折射率在這個(gè)波長范圍出現(xiàn)一個(gè)極大值。因此，可以預(yù)期折射率色散效應(yīng)對晶體硅太陽電池反射率的影響是值得考慮的。