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先進(jìn)封裝

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先進(jìn)封裝可以提高加工效率，提高設(shè)計(jì)效率，減少設(shè)計(jì)成本，降低芯片尺寸等優(yōu)勢(shì)。半導(dǎo)體器件有許多封裝形式，半導(dǎo)體封裝經(jīng)歷了多次重大革新，芯片級(jí)封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn)?，F(xiàn)在涌現(xiàn)了倒裝類(lèi)（FlipChip，Bumping），晶圓級(jí)封裝（WLCSP，F(xiàn)OWLP，PLP），2.5D封裝等。

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先進(jìn)封裝技術(shù)

先進(jìn)封裝之TSV、TGV技術(shù)制作工藝和原理

摩爾定律指引集成電路不斷發(fā)展。摩爾定律指出：“集成電路芯片上所集成的電路的數(shù)目，每隔18-24個(gè)月就翻一倍；微處理器的性能提高一倍，或價(jià)格下降一半。

2023-04-13 標(biāo)簽：集成電路摩爾定律 TSV 2.9萬(wàn) 0

CoWoS先進(jìn)封裝技術(shù)介紹 CoWoS-R技術(shù)主要特點(diǎn)分析

CoWoS-R 技術(shù)的主要特點(diǎn)包括： 1）RDL interposer 由多達(dá) 6L 銅層組成，用于最小間距為 4um 間距（2um 線(xiàn)寬/間距）的布線(xiàn)...

2023-07-26 標(biāo)簽：集成電路摩爾定律封裝技術(shù) 2.1萬(wàn) 0

淺析先進(jìn)封裝之CSP和FCCSP

CSP封裝（Chip Scale Package）是指芯片級(jí)封裝，其封裝尺寸和芯片核心尺寸基本相同，一般芯片面積與封裝面積的比例約在1:1.1。CSP封...

2023-03-28 標(biāo)簽：集成電路 CSP 先進(jìn)封裝 1.8萬(wàn) 0

先進(jìn)封裝三種技術(shù)：IPD/Chiplet/RDL技術(shù)

工藝選擇的靈活性。芯片設(shè)計(jì)中，并不是最新工藝就最合適。目前單硅SoC，成本又高，風(fēng)險(xiǎn)還大。像專(zhuān)用加速功能和模擬設(shè)計(jì)，采用Chiplet，設(shè)計(jì)時(shí)就有更多選擇。

2023-03-08 標(biāo)簽：芯片設(shè)計(jì)封裝技術(shù)晶圓工藝 1.6萬(wàn) 0

3D IC設(shè)計(jì)中的信號(hào)完整性與電源完整性分析

對(duì)更高性能和更強(qiáng)功能的不懈追求，推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷了多個(gè)變革時(shí)代。最新的轉(zhuǎn)變是從傳統(tǒng)的單片SoC轉(zhuǎn)向異構(gòu)集成先進(jìn)封裝IC，包括3D IC。這項(xiàng)新興技術(shù)有...

2026-02-03 標(biāo)簽：IC設(shè)計(jì)信號(hào)完整性電源完整性 1.3萬(wàn) 0

傳統(tǒng)封裝 Vs.先進(jìn)封裝的區(qū)別及優(yōu)勢(shì)

集成電路封裝是指將制備合格芯片、元件等裝配到載體上，采用適當(dāng)連接技術(shù)形成電氣連接，安裝外殼，構(gòu)成有效組件的整個(gè)過(guò)程，封裝主要起著安放、固定、密封、保護(hù)芯...

2023-09-26 標(biāo)簽：芯片集成電路晶圓 1.0萬(wàn) 0

先進(jìn)封裝之TSV及TGV技術(shù)初探（二）

另外一個(gè)將TGV填實(shí)的方案是將金屬導(dǎo)電膠進(jìn)行TGV填實(shí)。利用金屬導(dǎo)電膠的優(yōu)點(diǎn)是固化后導(dǎo)電通孔的熱膨脹系數(shù)可以調(diào)節(jié)，使其接近基材，避免了因CTE不匹配造成的失效。

2023-05-25 標(biāo)簽：BGA CMP MEMS器件 9.4k 0

什么是先進(jìn)封裝中的Bumping

Hello，大家好，今天我們來(lái)聊聊什么是先進(jìn)封裝中的Bumping？ Bumping：凸塊，或凸球，先進(jìn)封中的基礎(chǔ)工藝。 Bumping，指的是在晶圓切...

2025-01-02 標(biāo)簽：芯片晶圓先進(jìn)封裝 8.7k 0

先進(jìn)封裝（Advanced Package）

2.5D 封裝是在2D封裝結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，在芯片和封裝載體之間加入了一個(gè)硅中介轉(zhuǎn)接層，該中介轉(zhuǎn)接層上利用硅通孔 (Through Silicon Via,...

2023-02-20 標(biāo)簽：芯片 pcb 封裝 8.6k 0

光電共封裝技術(shù)CPO的演變與優(yōu)勢(shì)

光電封裝技術(shù)經(jīng)歷了從傳統(tǒng)銅纜到板上光學(xué)，再到2.5D和3D光電共封裝的不斷演進(jìn)。這一發(fā)展歷程展示了封裝技術(shù)在集成度、互連路徑和帶寬設(shè)計(jì)上的持續(xù)突破。未來(lái)...

2025-01-24 標(biāo)簽：玻璃基板硅半導(dǎo)體先進(jìn)封裝 8.2k 0

玻璃通孔(TGV)技術(shù)深度解析

玻璃通孔（TGV，Through-Glass Via）技術(shù)是一種在玻璃基板上制造貫穿通孔的技術(shù)，它與先進(jìn)封裝中的硅通孔（TSV）功能類(lèi)似，被視為下一代三...

2025-02-02 標(biāo)簽：玻璃基板 TSV 先進(jìn)封裝 8.1k 0

一文解析Chiplet中的先進(jìn)封裝技術(shù)

Chiplet技術(shù)是一種利用先進(jìn)封裝方法將不同工藝/功能的芯片進(jìn)行異質(zhì)集成的技術(shù)。這種技術(shù)設(shè)計(jì)的核心思想是先分后合，即先將單芯片中的功能塊拆分出來(lái)，再通...

2023-07-17 標(biāo)簽：封裝技術(shù)光通信 HPC 7.3k 0

先進(jìn)封裝與傳統(tǒng)封裝的區(qū)別

先進(jìn)封裝（Advanced Packaging）是一種新型的電子封裝技術(shù)，它旨在通過(guò)創(chuàng)新的技術(shù)手段，將多個(gè)芯片或其他電子元器件以更高的集成度、更小的尺寸...

2024-07-18 標(biāo)簽：芯片封裝技術(shù)先進(jìn)封裝 7.3k 0

先進(jìn)封裝中RDL工藝介紹

Hello，大家好，今天我們來(lái)聊聊，先進(jìn)封裝中RDL工藝。 RDL：Re-Distribution Layer，稱(chēng)之為重布線(xiàn)層。是先進(jìn)封裝的關(guān)鍵互連工藝...

2025-01-03 標(biāo)簽：芯片工藝先進(jìn)封裝 6.8k 0

半導(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)之CoWoS

芯片上數(shù)據(jù)的輸入和輸出 (I/O) 是計(jì)算芯片的命脈。處理器必須與外部世界進(jìn)行數(shù)據(jù)的發(fā)送和接收。摩爾定律使業(yè)界的晶體管密度大約每2年增加2倍，但 I/O...

2024-02-26 標(biāo)簽：臺(tái)積電芯片封裝 CoWoS 6.3k 0

一文理解2.5D和3D封裝技術(shù)

隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，先進(jìn)封裝技術(shù)成為了提升芯片性能和功能密度的關(guān)鍵。近年來(lái)，作為2.5D和3D封裝技術(shù)之間的一種結(jié)合方案，3.5D封裝技術(shù)逐漸走向前臺(tái)。

2024-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝技術(shù)3D封裝 6.1k 0

CoWoS先進(jìn)封裝是什么？

隨著chatGPT橫空出世，生成式AI紅遍全球，帶動(dòng)AI芯片的需求強(qiáng)勁，英偉達(dá)（NVIDIA）的H100、A100全部由臺(tái)積電代工，并使用臺(tái)積電的CoW...

2023-07-31 標(biāo)簽：DRAM 臺(tái)積電 cpu 6k 0

先進(jìn)封裝之TSV及TGV技術(shù)初探

隨著晶圓代工制程不斷縮小，摩爾定律逼近極限，先進(jìn)封裝是后摩爾時(shí)代的必然選擇。其中，利用高端封裝融合最新和成熟節(jié)點(diǎn)，采用系統(tǒng)封裝(SiP)和基于小芯片的方...

2023-05-23 標(biāo)簽：晶圓 SiP 封裝 5.9k 0

何謂先進(jìn)封裝/Chiplet？先進(jìn)封裝/Chiplet的意義

先進(jìn)封裝/Chiplet可以釋放一部分先進(jìn)制程產(chǎn)能，使之用于更有急迫需求的場(chǎng)景。從上文分析可見(jiàn)，通過(guò)降制程和芯片堆疊，在一些沒(méi)有功耗限制和體積空間限制、...

2023-01-31 標(biāo)簽：中國(guó)半導(dǎo)體 chiplet 先進(jìn)封裝 5.7k 0

基于XY平面延伸和Z軸延伸的先進(jìn)封裝技術(shù)

無(wú)論是采用Fan-in還是Fan-out，WLP晶圓級(jí)封裝和PCB的連接都是采用倒裝芯片形式，芯片有源面朝下對(duì)著印刷電路板，可以實(shí)現(xiàn)最短的電路徑，這也保...

2023-05-24 標(biāo)簽：pcb SiP 封裝技術(shù) 5.7k 0

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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先進(jìn)封裝

先進(jìn)封裝技術(shù)

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