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先進(jìn)封裝

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先進(jìn)封裝可以提高加工效率，提高設(shè)計(jì)效率，減少設(shè)計(jì)成本，降低芯片尺寸等優(yōu)勢(shì)。半導(dǎo)體器件有許多封裝形式，半導(dǎo)體封裝經(jīng)歷了多次重大革新，芯片級(jí)封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn)?，F(xiàn)在涌現(xiàn)了倒裝類（FlipChip，Bumping），晶圓級(jí)封裝（WLCSP，F(xiàn)OWLP，PLP），2.5D封裝等。

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先進(jìn)封裝技術(shù)

淺談?dòng)⑻貭栐谙冗M(jìn)封裝領(lǐng)域的探索

隨著工藝節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步，英特爾也在不斷推進(jìn)下一代封裝技術(shù)的發(fā)展。對(duì)高性能硅需求與工藝節(jié)點(diǎn)開發(fā)相結(jié)合，創(chuàng)造了一種新的方案，即處理器不再是單片硅，而是依賴于多個(gè)...

2024-10-09 標(biāo)簽：芯片英特爾封裝技術(shù) 1.7k 0

Chiplet和異構(gòu)集成對(duì)先進(jìn)封裝技術(shù)的影響

隨著摩爾定律的放緩以及前沿節(jié)點(diǎn)復(fù)雜性和成本的增加，先進(jìn)封裝正在成為將多個(gè)裸片集成到單個(gè)封裝中的關(guān)鍵解決方案，并有可能結(jié)合成熟和先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)。

2023-06-16 標(biāo)簽：摩爾定律封裝技術(shù)5G 1.7k 0

硅通孔(TVS)技術(shù)相關(guān)知識(shí)

2023-11-20 標(biāo)簽：集成電路 TSV 硅通孔 1.7k 0

玻璃通孔技術(shù)的形成方法

3D IC的出現(xiàn)加速了對(duì)具有中介層功能的高密度I/O、低電損耗和低成本的需求。傳統(tǒng)的有機(jī)中介層由于尺寸穩(wěn)定性差、CTE不匹配和光刻限制而無(wú)法滿足此類需求...

2024-10-28 標(biāo)簽：芯片晶圓 3D封裝 1.7k 0

先進(jìn)封裝技術(shù)中最常見的10個(gè)術(shù)語(yǔ)介紹

將大型SoC分解為較小的小芯片，與單顆裸晶相比具有更高的良率和更低的成本。Chiplet使設(shè)計(jì)人員可以充分利用各種IP，而不用考慮采用何種工藝節(jié)點(diǎn)，以及...

2023-10-19 標(biāo)簽：DRAM 封裝技術(shù)IC封裝 1.7k 0

什么是先進(jìn)半導(dǎo)體封裝？先進(jìn)封裝技術(shù)的四大增長(zhǎng)動(dòng)力

機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能等數(shù)據(jù)豐富的應(yīng)用程序是數(shù)據(jù)中心、5G 和自動(dòng)駕駛汽車等廣泛應(yīng)用程序的關(guān)鍵數(shù)據(jù)推動(dòng)因素。要運(yùn)行這些應(yīng)用程序，需要一個(gè)強(qiáng)大的處理器，其基礎(chǔ)...

2023-05-26 標(biāo)簽：集成電路封裝技術(shù)半導(dǎo)體封裝 1.7k 0

全球封裝技術(shù)向先進(jìn)封裝邁進(jìn)的轉(zhuǎn)變

先進(jìn)封裝處于晶圓制造與封測(cè)制程中的交叉區(qū)域，涉及IDM、晶圓代工、封測(cè)廠商，市場(chǎng)格局較為集中，前6 大廠商份額合計(jì)超過80%。全球主要的 6 家廠商，包...

2023-08-11 標(biāo)簽：芯片摩爾定律封裝技術(shù) 1.6k 0

先進(jìn)封裝技術(shù)趨勢(shì)分析

全球市場(chǎng)概述根據(jù)國(guó)際貨幣基金組織(IMF)預(yù)測(cè)，2024年全球經(jīng)濟(jì)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)3.2%。然而，地緣政治緊張局勢(shì)，特別是美中之間的關(guān)系，正在影響全球貿(mào)易。政...

2024-12-07 標(biāo)簽：人工智能先進(jìn)封裝 1.6k 0

先進(jìn)封裝技術(shù)在三維閃存中的應(yīng)用

近年來，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和 5G 等技術(shù)的蓬勃發(fā)展和應(yīng)用，市場(chǎng)對(duì)數(shù)據(jù)處理以及存儲(chǔ)的需求逐漸增大。根據(jù) IDC 預(yù)測(cè)，全球數(shù)據(jù)圈每年被創(chuàng)建、采集或復(fù)制...

2023-12-08 標(biāo)簽：閃存 NAND FlaSh 1.6k 0

【先進(jìn)封裝】Underfill的基本特性

底部填充膠在使用過程中，主要的問題是空洞，出現(xiàn)空洞的原因與其封裝設(shè)計(jì)、點(diǎn)膠工藝、固化參數(shù)等相關(guān)。而要分析空洞就需要對(duì)Underfill的特性有個(gè)基本的認(rèn)...

2023-05-18 標(biāo)簽：封裝設(shè)計(jì)先進(jìn)封裝 1.6k 0

數(shù)據(jù)中心處理器采用Chiplet有何優(yōu)勢(shì)？

生成式人工智能和大模型的驅(qū)動(dòng)下，我們正置身于一個(gè)算力領(lǐng)域千載難逢的拐點(diǎn)：一個(gè)類似于個(gè)人電腦、互聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)設(shè)備和云誕生的時(shí)刻。

2023-11-07 標(biāo)簽：英特爾 gpu 服務(wù)器 1.6k 0

互連在先進(jìn)封裝中的重要性

互連技術(shù)是封裝的關(guān)鍵和必要部分。芯片通過封裝互連，以接收功率、交換信號(hào)并最終進(jìn)行操作。由于半導(dǎo)體產(chǎn)品的速度、密度和功能隨互連方式的不同而不同，互連方法也...

2023-11-23 標(biāo)簽：晶圓圖像傳感器封裝技術(shù) 1.5k 0

淺談MOS管封裝技術(shù)的演變

隨著智能設(shè)備的普及，電子設(shè)備也朝著小型化、高性能和可靠性方向發(fā)展。摩爾定律趨緩背景下，封裝技術(shù)成為提升性能的關(guān)鍵路徑。從傳統(tǒng)的TO封裝到先進(jìn)封裝，MOS...

2025-04-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管先進(jìn)封裝 1.5k 0

將2.5D/3DIC物理驗(yàn)證提升到更高水平

高密度先進(jìn)封裝 (HDAP) 在各種最終用戶應(yīng)用中的采用率持續(xù)攀升。使用中介層（硅或有機(jī)）的 2.5D 集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)通常針對(duì)高端應(yīng)用，如軍事...

2025-02-20 標(biāo)簽：集成電路 eda 3DIC 1.5k 0

從InFO-MS到InFO_SoW的先進(jìn)封裝技術(shù)

在先進(jìn)封裝技術(shù)向超大型、晶圓級(jí)系統(tǒng)集成深化演進(jìn)的過程中，InFO 系列（InFO-MS、InFO-3DMS）與 CoWoS-L、InFO_SoW 等技術(shù)...

2025-08-25 標(biāo)簽：晶圓存儲(chǔ)芯片 info 1.5k 0

典型先進(jìn)封裝選型和設(shè)計(jì)要點(diǎn)

隨著電子產(chǎn)品趨向于功能化、輕型化、小型化、低功耗和異質(zhì)集成，以系統(tǒng)級(jí)封裝（System in Package, siP）、圓片級(jí)封裝( Wafer Le...

2023-05-11 標(biāo)簽：芯片電子產(chǎn)品 SiP 1.4k 0

先進(jìn)封裝工藝面臨的挑戰(zhàn)

在先進(jìn)制程遭遇微縮瓶頸的背景下，先進(jìn)封裝朝著 3D 異質(zhì)整合方向發(fā)展，成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵路徑。3D 先進(jìn)封裝技術(shù)作為未來的發(fā)展趨勢(shì)，使芯片串聯(lián)數(shù)量大幅增加。

2025-04-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體先進(jìn)制程先進(jìn)封裝 1.4k 0

傳統(tǒng)封測(cè)廠的先進(jìn)封裝有哪些

2023年以來，AIGC迅速發(fā)展，帶動(dòng)AI芯片與AI服務(wù)器熱潮，而由臺(tái)積電推出、被稱為CoWoS的2.5D先進(jìn)封裝技術(shù)更是扮演關(guān)鍵角色。然而，突如其來的...

2023-09-18 標(biāo)簽：臺(tái)積電電子元件 gpu 1.3k 0

芯片互連在先進(jìn)封裝中的重要性

英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登摩爾曾預(yù)言，芯片上的晶體管數(shù)量每隔一到兩年就會(huì)增加一倍。由于圖案微型化技術(shù)的發(fā)展，這一預(yù)測(cè)被稱為摩爾定律，直到最近才得以實(shí)現(xiàn)。

2023-09-07 標(biāo)簽：PCB板存儲(chǔ)器倒裝芯片 1.3k 0

分享兩種前沿片上互連技術(shù)

隨著臺(tái)積電在 2011年推出第一版 2.5D 封裝平臺(tái) CoWoS、海力士在 2014 年與 AMD 聯(lián)合發(fā)布了首個(gè)使用 3D 堆疊的高帶寬存儲(chǔ)(HBM...

2025-05-22 標(biāo)簽：芯片互連技術(shù)先進(jìn)封裝 1.2k 0

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先進(jìn)封裝

先進(jìn)封裝技術(shù)

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