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標(biāo)簽 > 光刻
光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進(jìn)行開孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。
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淺談芯片制程工序中片內(nèi)&片間均勻性的定義和計(jì)算
均勻性是衡量工藝在晶圓上一致性的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)。比如薄膜沉積工序中薄膜的厚度；刻蝕工序中被刻蝕材料的寬度，角度等等，都可以考慮其均勻性。
2023-11-01 標(biāo)簽：晶圓光刻半導(dǎo)體工藝 6.9k 0
淺談Micro OLED生產(chǎn)環(huán)節(jié)
OLED制程。①OLED陽極。②蒸鍍OLED器件。蒸鍍和傳統(tǒng)OLED不一樣，沒有這么密的mask，需要先白光，再加濾光。③封裝，即薄膜封裝層。④CF彩色...
2023-12-04 標(biāo)簽：OLED光刻Micro OLED 6.8k 0
光刻法是微電子工藝中的核心技術(shù)之一，常用于形成半導(dǎo)體設(shè)備上的微小圖案。過程開始于在硅片上涂布光刻膠，隨后對其進(jìn)行預(yù)熱。接著，選擇一種光源（如深紫外光或X...
Silvaco TCAD工藝技術(shù)參數(shù)及其說明
?OPTOLITH模塊可對成像(imaging)，光刻膠曝光(exposure)，光刻膠烘烤（bake）和光刻膠顯影（development）等工藝進(jìn)行精確定義
?? 光刻掩膜簡介 ?? ? 光刻掩膜（Photomask）又稱光罩、光掩膜、光刻掩膜版等，通常簡稱“mask”，是半導(dǎo)體制造過程中用于圖案轉(zhuǎn)移的關(guān)鍵工...
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化...
光伏電池測試標(biāo)準(zhǔn)有哪些 光伏電池的分類有哪些
光伏電池可以根據(jù)不同的材料和工藝進(jìn)行分類。以下是一些常見的光伏電池分類： 1. 硅晶體太陽能電池：硅晶體太陽能電池是最常見和廣泛應(yīng)用的光伏電池類型...
半導(dǎo)體“刻蝕（Etch）”工藝技術(shù)的詳解；
【博主簡介】本人“ 愛在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用...
回顧半導(dǎo)體技術(shù)趨勢及其對光刻的影響分析與應(yīng)用
應(yīng)用厚的光刻膠，并使用階梯式掩模形成圖案（A thick photoresist is applied and patterned with the s...
如何加快5nm芯片良率 ，EUV光刻或是關(guān)鍵要素
先進(jìn) 5nm 器件或先進(jìn)封裝的良率提升需要識別和去除從光刻到封裝材料的關(guān)鍵缺陷，因此智能和快速的晶圓級檢測必不可少。
EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光，涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會將圖案打印到晶圓上，用于微芯片設(shè)計(jì)過程中的后續(xù)步驟。
2023-10-30 標(biāo)簽：芯片設(shè)計(jì)光刻EUV 5.4k 0
光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形...
黃光的波長遠(yuǎn)離UV范圍，因此不會引起光刻膠的意外曝光。黃光燈通常不含有紫外線，從而保護(hù)光敏材料免受不必要的曝光。
Line Edge Roughness (LER) 線邊緣粗糙度
來源：C Lighting 線邊緣粗糙度(LER) 線邊緣粗糙度（LER）指的是柵極圖案邊緣的隨機(jī)變化，即印刷圖案邊緣的粗糙度。當(dāng)最小特征尺寸減小到幾十...
SSMB就產(chǎn)生了和FEL類似的“微聚束”，但是關(guān)鍵還加上了“穩(wěn)態(tài)”。FEL不是穩(wěn)態(tài)，電子團(tuán)在波蕩器里自由互相作用，最后發(fā)出強(qiáng)光完事。SSMB是讓電子束在...
本文將系統(tǒng)介紹光阻的組成與作用、剝離的關(guān)鍵工藝及化學(xué)機(jī)理，并探討不同等離子體處理方法在光阻去除中的應(yīng)用。 ? 一、光阻（Photoresist，PR）的...
2025-02-13 標(biāo)簽：光刻半導(dǎo)體制造 4.6k 0
激光指向穩(wěn)定在光刻系統(tǒng)應(yīng)用中的關(guān)鍵作用及其優(yōu)化方案
光刻是半導(dǎo)體制造工藝中的核心之一，極紫外光刻技術(shù)作為新一代光刻技術(shù)也處于快速發(fā)展階段。其基本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光后因光化學(xué)反應(yīng)而形成耐...
本文系統(tǒng)梳理了直寫式、多電子束與投影式EBL的關(guān)鍵技術(shù)路徑，涵蓋掃描策略、束流整形、鄰近效應(yīng)校正與系統(tǒng)集成等方面，并探討其在精度、效率與成本間的技術(shù)矛盾...
電子束技術(shù)在半導(dǎo)體制造行業(yè)一直是重要的應(yīng)用技術(shù)。本文就電子束技術(shù)作一個(gè)簡單的圖文介紹。
2024-04-30 標(biāo)簽：光刻電子束半導(dǎo)體制造 4.5k 0
共讀好書 晶圓制造工藝流程 1、 表面清洗 2、 初次氧化 3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層 Si3N4 ...
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