用于3D封裝的穿硅通過最后光刻的覆蓋性能（下）

本研究通過檢查 TSV 光刻后的 DSA 光學(xué)計(jì)量可重復(fù)性，然后將該光學(xué)配準(zhǔn)數(shù)據(jù)與最終的電氣配準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，來仔細(xì)檢查圖像放置性能。

2022-07-19 標(biāo)簽：封裝光刻TSV 1.1k 0

ADI 數(shù)據(jù)采集解決方案在先進(jìn)光刻芯片制造領(lǐng)域大放異彩l

作者：Pete Bartolik 投稿人：DigiKey 北美編輯 在半導(dǎo)體芯片銷售額從 2022 年的 6000 億美元增至 2030 年的 1 萬億...

2025-05-25 標(biāo)簽：芯片ADI數(shù)據(jù)采集 1k 0

光刻技術(shù)的發(fā)展如何彎道超車或者換道超車

三十年來，半導(dǎo)體掩模技術(shù)基本保持不變，掩模的制作是在可變成形機(jī)上進(jìn)行的，這些機(jī)器將可變元件限制在 45 度角。隨著功能縮小并變得更加復(fù)雜，電子束和多束掩...

2023-08-01 標(biāo)簽：光刻EUV光刻膠 944 0

面向光刻的設(shè)計(jì)規(guī)則建立及優(yōu)化

中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...

2023-06-14 標(biāo)簽：集成電路光刻微電子 940 0

【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優(yōu)化研究

一、引言 玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 ?？偤穸绕睿═...

2025-10-09 標(biāo)簽：晶圓光刻碳化硅 798 0

一文讀懂高精度衍射光學(xué)分束器的光刻制備、工藝優(yōu)化與表征分析

衍射光學(xué)分束器的性能表現(xiàn)，既依賴于優(yōu)化的仿真設(shè)計(jì)方案，也深受材料選擇與加工工藝的影響。當(dāng)前相關(guān)研究多聚焦于通過理論仿真和設(shè)計(jì)優(yōu)化追求高性能，而針對加工誤...

2026-03-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光學(xué)光刻 470 0

一文詳解多重曝光技術(shù)

有一些光學(xué)分辨率增強(qiáng)技術(shù)是非常依賴于圖形特征的。例如，可以通過合適方向的二極照明來增強(qiáng)密集線空圖形的成像性能，但是，不同方向的線空圖形需要不同方向的二極...

2026-02-03 標(biāo)簽：照明光學(xué)光刻 344 0

從基于規(guī)則到基于模型的OPC和反演光刻技術(shù)

通過觀察偏移、輔助圖形、襯線和其他掩模校正方法對光刻成像的影響，可以建立用作掩模版圖校正的規(guī)則。

2026-01-28 標(biāo)簽：光刻模型掩模 303 0

高數(shù)值孔徑投影光刻中的偏振效應(yīng)

在前面的部分中,使用標(biāo)量模型描述了成像過程,但其中不包括任何偏振現(xiàn)象，而高數(shù)值孔徑系統(tǒng)的應(yīng)用引入了幾個(gè)重要的偏振效應(yīng)。本節(jié)將概述照明必須考慮的相關(guān)偏振效...

2026-03-19 標(biāo)簽：光刻偏振模型 215 0