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標(biāo)簽 > 刻蝕

刻蝕

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刻蝕,英文為Etch,它是半導(dǎo)體制造工藝,微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻 [1] 相聯(lián)系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。所謂刻蝕,實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕,先通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理,然后通過(guò)其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術(shù)

3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

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溝道通孔(Channel Hole)指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面,穿過(guò)多層存儲(chǔ)單元的細(xì)長(zhǎng)孔洞。這些通孔貫穿整個(gè)堆疊結(jié)構(gòu),并填充了導(dǎo)電材料,它們?cè)诿總€(gè)...

2024-03-20 標(biāo)簽:刻蝕3d nand 2.8k 0

pcb蝕刻是什么意思

pcb蝕刻是什么意思

 在印制板外層電路的加工工藝中,還有另外一種方法,就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝,可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。

2023-09-06 標(biāo)簽:pcb蝕刻刻蝕 2.7k 0

淺談PCB蝕刻質(zhì)量及先期存在的問(wèn)題

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要注意的是,蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類(lèi)型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層...

2023-09-07 標(biāo)簽:pcb印刷電路板蝕刻 2.6k 0

單晶SiC晶圓加工過(guò)程中的低溫濕法蝕刻

單晶SiC晶圓加工過(guò)程中的低溫濕法蝕刻

硅片在大口徑化的同時(shí),要求規(guī)格的嚴(yán)格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴(yán)格,因此超精密磨削技術(shù)得以開(kāi)發(fā),實(shí)現(xiàn)了無(wú)蝕刻化,無(wú)拋光化。雖然在單晶SiC...

2022-04-15 標(biāo)簽:晶圓SiC刻蝕 2.6k 0

PCB正片和負(fù)片的區(qū)別

通常正片工藝是以堿性蝕刻工藝為基礎(chǔ)的。底片上面,所需的路徑或銅表面是黑色的,而不需要的部分是完全透明的。同樣,在路線工藝曝光后,完全透明的部分被暴露在紫...

2024-01-17 標(biāo)簽:線路板刻蝕PCB 2.5k 0

AlN和Sc0.2Al0.8N薄膜的濕法化學(xué)腐蝕

AlN和Sc0.2Al0.8N薄膜的濕法化學(xué)腐蝕

用鈧?cè)〈恍╀X可以增加壓電性能,但也使薄膜的沉積和圖案形成更具挑戰(zhàn)性。

2023-03-21 標(biāo)簽:蝕刻工藝壓電材料刻蝕 2.5k 0

TSV制造技術(shù)里的通孔刻蝕與絕緣層

相較于傳統(tǒng)CMOS工藝,TSV需應(yīng)對(duì)高深寬比結(jié)構(gòu)帶來(lái)的技術(shù)挑戰(zhàn),從激光或深層離子反應(yīng)刻蝕形成盲孔開(kāi)始,經(jīng)等離子體化學(xué)氣相沉積絕緣層、金屬黏附/阻擋/種子...

2025-08-01 標(biāo)簽:制造技術(shù)TSV刻蝕 2.4k 0

半導(dǎo)體制造之等離子工藝

由下圖可以看出當(dāng)氣體密度較高時(shí)MFP較短(a);而當(dāng)氣體密度較低時(shí),MFP就較長(zhǎng)(b)。大粒子的截面積較大,掃過(guò)的空間也較大。與一般或較小的離子相比,大...

2022-12-05 標(biāo)簽:工藝等離子刻蝕 2.4k 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡(jiǎn)述(2)

嚴(yán)重的離子轟擊將產(chǎn)生大量的熱量,所以如果沒(méi)有適當(dāng)?shù)睦鋮s系統(tǒng),晶圓溫度就會(huì)提高。對(duì)于圖形化刻蝕,晶圓上涂有一層光刻膠薄膜作為圖形屏蔽層,如果晶圓溫度超過(guò)1...

2023-03-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體等離子體晶圓 2.4k 0

什么是線刻蝕 干法線刻蝕的常見(jiàn)形貌介紹

什么是線刻蝕 干法線刻蝕的常見(jiàn)形貌介紹

刻蝕過(guò)程中形成幾乎完全垂直于晶圓表面的側(cè)壁,是一種各向異性的刻蝕??涛g后的側(cè)壁非常垂直,底部平坦。這是理想的刻蝕形態(tài),它能夠非常精確地復(fù)制掩膜上的圖案。

2024-03-27 標(biāo)簽:晶圓刻蝕 2.3k 0

干法蝕刻異向機(jī)制的原理解析

干法蝕刻異向機(jī)制的原理解析

無(wú)偏差的刻蝕過(guò)程,我們稱(chēng)之為各向異性刻蝕。為了更清晰地理解這一過(guò)程,我們可以將其拆解為幾個(gè)基本環(huán)節(jié)。首先,第一個(gè)環(huán)節(jié)是刻蝕氣體的處理,這些氣體在等離子體...

2024-12-17 標(biāo)簽:晶圓刻蝕 2.3k 0

InAs/GaSb II類(lèi)超晶格長(zhǎng)波焦平面陣列臺(tái)面ICP刻蝕技術(shù)研究

基于GaSb材料,包括InAs、GaSb、AlSb等材料可以靈活地設(shè)計(jì)成各種新型材料和器件,尤其是InAs/GaSb超晶格具有獨(dú)特的II型能帶結(jié)構(gòu),可以...

2022-11-29 標(biāo)簽:工藝晶格ICP 2.3k 0

詳解化學(xué)鎳沉積技術(shù)的沉積過(guò)程

詳解化學(xué)鎳沉積技術(shù)的沉積過(guò)程

本文報(bào)道了這種化學(xué)鎳的形成,包括在100pm以下的模具,通過(guò)掃描電鏡檢查,研究了各種預(yù)處理刻蝕過(guò)程和鋅酸鹽活化對(duì)最終化學(xué)鎳碰撞質(zhì)量的影響,以幫助詳細(xì)了解...

2022-05-13 標(biāo)簽:工藝晶片刻蝕 2.2k 0

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底;通過(guò)在基底上施加一層材料來(lái)形成非金屬掩模層;形成掩模層以暴露基底的底層區(qū)域;并以第一速率用...

2022-03-29 標(biāo)簽:SiC碳化硅刻蝕 2.2k 0

綜述:MEMS制造工藝研究進(jìn)展

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,近期,來(lái)自南京理工大學(xué)的研究人員于《新型工業(yè)化》期刊發(fā)表綜述文章,總結(jié)了體微加工技術(shù)和表面微加工常用的MEMS加工工藝的原理、加工方法...

2022-11-30 標(biāo)簽:mems制造工藝刻蝕 2.2k 0

如何在刻蝕鋁之后保護(hù)鋁不被腐蝕?

如何在刻蝕鋁之后保護(hù)鋁不被腐蝕?

需要鋁金屬的地方太多了,在DRAM和flash等存儲(chǔ)器產(chǎn)品中,鋁連線由于成本低廉和加工簡(jiǎn)便仍被廣泛使用。這些存儲(chǔ)器設(shè)備通常不像高性能邏輯芯片那樣對(duì)電阻和...

2023-12-25 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器等離子體半導(dǎo)體封裝 2.2k 0

ZnO上ZnCdO的選擇性濕法刻蝕 南通華林科納

ZnO上ZnCdO的選擇性濕法刻蝕 南通華林科納

最近在外延膜的導(dǎo)電率控制和高質(zhì)量塊狀氧化鋅襯底的可用性方面的進(jìn)展重新引起了我們對(duì)用于紫外光發(fā)射器和透明電子器件的氧化鋅/氧化鋅/氧化鋅異質(zhì)結(jié)構(gòu)系統(tǒng)的興趣。

2021-12-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體襯底光刻膠 2.2k 0

干法刻蝕的評(píng)價(jià)參數(shù)詳解

干法刻蝕的評(píng)價(jià)參數(shù)詳解

在MEMS制造工藝中,干法刻蝕是通過(guò)等離子體、離子束等氣態(tài)物質(zhì)對(duì)薄膜材料或襯底進(jìn)行刻蝕的工藝,其評(píng)價(jià)參數(shù)直接影響器件的結(jié)構(gòu)精度和性能。那么干法刻蝕有哪些...

2025-07-07 標(biāo)簽:mems制造工藝刻蝕 2.1k 0

集成電路芯片制備中的光刻和刻蝕技術(shù)

集成電路芯片制備中的光刻和刻蝕技術(shù)

光刻與刻蝕是納米級(jí)圖形轉(zhuǎn)移的兩大核心工藝,其分辨率、精度與一致性共同決定器件性能與良率上限。

2025-10-24 標(biāo)簽:集成電路光刻刻蝕 2.1k 0

IMD1工藝是什么意思

IMD1工藝是什么意思

IMD1工藝是指在第一層金屬之間的介質(zhì)隔離材料。IMD1的材料是 ULK (Ultra Low K)SiCOH材料。

2024-11-15 標(biāo)簽:工藝刻蝕IMD 2.1k 0

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      Cortex-A 系列處理器是一系列處理器,支持ARM32或64位指令集,向后完全兼容早期的ARM處理器,包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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  • STM32F4
    STM32F4
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    STM32F4是由ST(意法半導(dǎo)體)開(kāi)發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART(自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器,Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?)。
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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