這本文中，我們提出了一種精確的，低損傷的循環(huán)刻蝕AlGaN/GaN的新方法，用于精確的勢壘凹陷應(yīng)用，使用ICP-RIE氧化和濕法刻蝕。設(shè)備功率設(shè)置的優(yōu)化允許獲得寬范圍的蝕刻速率~0.6至~11納米/周期，而相對于未蝕刻的表面，表面粗糙度沒有任何可觀察到的增加。
2021-12-13 16:07:58
3519 
本文描述了我們華林科納用于III族氮化物半導(dǎo)體的選擇性側(cè)壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴墓栉⒚缀图{米鰭的形成。通過濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積來沉積二氧化硅，以產(chǎn)生硬掩模
2022-07-08 15:46:162154 
濕法刻蝕作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的元老級技術(shù)，其發(fā)展歷程與集成電路的微型化進(jìn)程緊密交織。盡管在先進(jìn)制程中因線寬控制瓶頸逐步被干法工藝取代，但憑借獨(dú)特的工藝優(yōu)勢，濕法刻蝕仍在特定場景中占據(jù)不可替代的地位。
2025-05-28 16:42:544247 
13um應(yīng)變補(bǔ)償多量子阱SLD臺面制作工藝的研究臺面制作工藝對１?３μｍ應(yīng)變補(bǔ)償多量子阱ＳＬＤ 的器件性能有重要的影響。根據(jù)外延結(jié)構(gòu)，分析比較了兩種臺面制作的方法，即選擇性濕法腐蝕法和ＩＣＰ 刻蝕
2009-10-06 09:52:24
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，因?yàn)樗没瘜W(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個(gè)薄膜。對于大多數(shù)解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
`華林科納濕法設(shè)備分類全自動(dòng)設(shè)備：全自動(dòng)RCA清洗機(jī)全自動(dòng)硅片刻蝕機(jī)全自動(dòng)片盒清洗機(jī)全自動(dòng)石英管清洗機(jī)半自動(dòng)設(shè)備：半自動(dòng)RCA清洗機(jī)半自動(dòng)硅片刻蝕機(jī)半自動(dòng)石英管清洗機(jī)半自動(dòng)有機(jī)清洗機(jī)`
2021-02-07 10:14:51
所謂選擇性發(fā)射極（SE-selectiveemiter）晶體硅太陽電池，即在金屬柵線（電極）與硅片接觸部位進(jìn)行重?fù)诫s，在電極之間位置進(jìn)行輕摻雜。這樣的結(jié)構(gòu)可降低擴(kuò)散層復(fù)合，由此可提高光線的短波
2018-09-26 09:44:54
選擇性打開前面板
2013-10-16 15:48:13
噴涂沉積在PCB上的焊劑位置精度為±0.5mm，才能保證焊劑始終覆蓋在被焊部位上面，噴涂焊劑量的公差由供應(yīng)商提供，技術(shù)說明書應(yīng)規(guī)定焊劑使用量，通常建議100%的安全公差范圍。 預(yù)熱工藝 在選擇性
2009-04-07 17:17:49
典型的選擇性焊接的工藝流程包括：助焊劑噴涂，PCB預(yù)熱、浸焊和拖焊。 助焊劑涂布工藝 在選擇性焊接中，助焊劑涂布工序起著重要的作用。焊接加熱與焊接結(jié)束時(shí)，助焊劑應(yīng)有足夠的活性防止橋接的產(chǎn)生并防止
2012-10-18 16:31:31
1艾1姆1科1技全國1首家P|CB樣板打板 焊接工藝 選擇性焊接工藝有兩種不同工藝：拖焊工藝和浸焊工藝。 選擇性拖焊工藝是在單個(gè)小焊嘴焊錫波上完成的。拖焊工藝適用于在PCB上非常緊密的空間上進(jìn)
2013-09-13 10:25:12
的無鉛焊兼容，這些優(yōu)點(diǎn)都使得選擇焊接的應(yīng)用范圍越來越廣。選擇性焊接的工藝特點(diǎn)可通過與波峰焊的比較來了解選擇性焊接的工藝特點(diǎn)。兩者間最明顯的差異在于波峰焊中PCB的下部完全浸入液態(tài)焊料中，而在選擇性焊 接
2017-10-31 13:40:44
焊接。使用者可根據(jù)具體的情況來安排選擇性焊接的工藝流程。 焊接工藝 選擇性焊接工藝有兩種不同工藝：拖焊工藝和浸焊工藝。 選擇性拖焊工藝是在單個(gè)小焊嘴焊錫波上完成的。拖焊工藝適用于在PCB上
2012-10-17 15:58:37
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
PCB選擇性焊接技術(shù)詳細(xì) 回顧近年來電子工業(yè)工藝發(fā)展歷程，可以注意到一個(gè)很明顯的趨勢就是回流焊技術(shù)。原則上傳統(tǒng)插裝件也可用
2012-10-18 16:26:06
PCB選擇性焊接技術(shù)詳細(xì) 回顧近年來電子工業(yè)工藝發(fā)展歷程，可以注意到一個(gè)很明顯的趨勢就是回流焊技術(shù)。原則上傳統(tǒng)插裝件也可用回流焊工藝，這就是通常所說的通孔回流焊接。其優(yōu)點(diǎn)是有可能在同一時(shí)間內(nèi)完成
2012-10-18 16:32:47
；另一種觀點(diǎn)認(rèn)為不需要預(yù)熱而直接進(jìn)行焊接。使用者可根據(jù)具體的情況來安排選擇性焊接的工藝流 程?！ 『附庸に嚒 ?b class="flag-6" style="color: red">選擇性焊接工藝有兩種不同工藝：拖焊工藝和浸焊工藝?！ ?b class="flag-6" style="color: red">選擇性拖焊工藝是在單個(gè)小焊嘴焊錫波上完成
2018-09-14 11:28:22
的情況來安排選擇性焊接的工藝流程?！ 『附庸に嚒 ?b class="flag-6" style="color: red">選擇性焊接工藝有兩種不同工藝：拖焊工藝和浸焊工藝?！ ?b class="flag-6" style="color: red">選擇性拖焊工藝是在單個(gè)小焊嘴焊錫波上完成的。拖焊工藝適用于在PCB上非常緊密的空間上進(jìn)行焊接。例如
2018-09-10 16:50:02
我會冒泡排序，但是我做選擇性排序時(shí)，不知道如何將最外層for循環(huán)的每層最大值給傳遞下去，交換索引地址也出現(xiàn)了問題
2018-03-24 14:13:24
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻編號：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，使其對高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
在PCB上的焊劑位置精度為±0.5mm，才能保證焊劑始終覆蓋在被焊部位上面，噴涂焊劑量的公差由供應(yīng)商提供，技術(shù)說明書應(yīng)規(guī)定焊劑使用量，通常建議100%的安全公差范圍。預(yù)熱工藝在選擇性焊接工藝中的預(yù)熱
2018-06-28 21:28:53
暴露于OH-離子時(shí)，在刻蝕中硅表面會變粗糙。鋁膜濕法刻蝕對于鋁和鋁合金層有選擇性的刻蝕溶液是居于磷酸的。遺憾的是，鋁和磷酸反應(yīng)的副產(chǎn)物是微小的氫氣泡。這些氣泡附著在晶圓表面，并阻礙刻蝕反應(yīng)。結(jié)果既可
2018-12-21 13:49:20
選擇性焊接的流程包括哪些？選擇性焊接工藝有哪幾種？
2021-04-25 10:00:18
我是南通華林科納半導(dǎo)體的，主要做半導(dǎo)體，太陽能，液晶LED，電子器件濕法工藝，各種清洗，濕制程設(shè)備。我們3月14日—16日去上海新國際博覽中心參加2017慕尼黑上海半導(dǎo)體展，有其他去的公司嗎，應(yīng)該
2017-03-04 11:50:42
選擇性焊接的工藝特點(diǎn)是什么典型的選擇性焊接的工藝流程包括哪幾個(gè)步驟
2021-04-25 08:59:39
招聘蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司職位月薪：面議工作地點(diǎn)：蘇州工作性質(zhì)：全職工作經(jīng)驗(yàn)：1年以上最低學(xué)歷：大專招聘人數(shù)：5人 職位類別：銷售經(jīng)理職位描述要求：工作經(jīng)驗(yàn)：1年以上崗位職責(zé)：1、負(fù)責(zé)
2015-07-28 11:38:16
就能對層上的特定部分進(jìn)行選擇性地移除。在有的情況中，罩的材料為光阻性的，這和光刻中利用的原理類似。而在其他情況中，刻蝕罩需要耐受某些化學(xué)物質(zhì)，氮化硅就可以用來制造這樣的“罩”?！案煞ā保ǖ入x子）刻蝕用于
2017-10-09 19:41:52
影響的問題，選擇焊接還能夠與將來的無鉛焊兼容，這些優(yōu)點(diǎn)都使得選擇焊接的應(yīng)用范圍越來越廣。麥|斯|艾|姆|P|CB樣板貼片,麥1斯1艾1姆1科1技全國1首家P|CB樣板打板 選擇性焊接的工藝特點(diǎn)
2013-09-23 14:32:50
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬元。主要從事半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售；同時(shí)代理半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域其它國外設(shè)備，負(fù)責(zé)
2015-04-02 17:23:36
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬元。主要從事半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售；同時(shí)代理半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域其它國外設(shè)備，負(fù)責(zé)
2015-04-02 17:26:21
公司名稱：蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司公司地址：蘇州工業(yè)園區(qū)啟月街288號公司電話：0512-62872541蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司主要從事半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備
2016-10-26 17:05:04
選擇性控制系統(tǒng)屬于復(fù)雜控制系統(tǒng)之一，昌暉儀表與大家分享選擇性控制系統(tǒng)口訣、選擇性控制系統(tǒng)分類和選擇性控制系統(tǒng)應(yīng)用的相關(guān)專業(yè)技術(shù)知識。選擇性控制系統(tǒng)儀表工口訣 常用的控制系統(tǒng)通常只能在一定工況下工
2019-04-21 16:40:03
除犧牲氧化物，從而釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)。SVR蝕刻方法可以完全地去除犧牲材料而不損害機(jī)械結(jié)構(gòu)或?qū)е吗じ?，它同時(shí)提供了高度的可選擇性、可重復(fù)性和均勻性。SVR保留有干燥的表面，沒有任何殘留物或水汽，這也省去
2013-11-04 11:51:00
選擇性焊接工藝技術(shù)的研究烽火通信科技股份有限公司 鮮飛摘要: 本文介紹了選擇性焊接的概念、特點(diǎn)、分類和使用工藝要點(diǎn)。選擇性焊接是現(xiàn)代組裝技術(shù)的新概念，它的出現(xiàn)
2009-12-19 08:19:41
14 本文介紹了選擇性控制系統(tǒng)的工作原理和設(shè)計(jì)方法;選擇器是選擇性控制系統(tǒng)的關(guān)鍵部件，本文給出了確定選擇器型式的一種方法— 靜態(tài)特性交叉法。本方法簡單、形象、直觀，并以
2010-01-12 17:19:5934
電池修復(fù)的可選擇性 電池
2009-11-09 17:35:14699 選擇性焊接的工藝特點(diǎn) 可通過與波峰焊的比較來了解選擇性焊接的工藝特點(diǎn)。兩者間最明顯的差異在于波峰焊中PCB的下部完全浸入液態(tài)焊料中，而在選擇性
2010-09-20 01:07:221128 SLM選擇性激光融化
2016-12-25 22:12:070 反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時(shí)采用的（如當(dāng)平坦化硅片表面時(shí)需要減小形貌特征）。光刻膠是另一個(gè)剝離的例子?？偟膩碚f，有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。為了復(fù)制硅片表面材料上的掩膜圖形，刻蝕必須滿足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:2772478 清洗不當(dāng)造成的表面缺陷的形成機(jī)理，并通過合理的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)和分析，給出了具體的解決方案。 熱磷酸濕法刻蝕已經(jīng)在半導(dǎo)體制造工藝中應(yīng)用了幾十年了。由于熱磷酸對氮化硅和氮氧化硅刻蝕具有良好的均勻性和較高的選擇比，一直到
2020-12-29 14:36:073584 
處理器中的覆蓋刻蝕，以及iii .硅鍺/硅異質(zhì)結(jié)構(gòu)的橫向刻蝕。 實(shí)驗(yàn) 通過減壓化學(xué)氣相沉積(RP-CVD)在Si100襯底上的厚的線性漸變Si1yGeY y x緩沖層上生長厚度約為1 μm的本征Si1xGeX層.14在生長的疊層上使用化學(xué)機(jī)械拋光來去除表面交叉影線。用盧瑟福背散射光譜法
2021-12-31 15:02:202504 
我們華林科納開發(fā)了一種可控、平滑的氫氧化鉀基濕法刻蝕技術(shù)，AlN和AlxGa1xN之間的高選擇性被發(fā)現(xiàn)對于基于AlGaN的深紫外發(fā)光二極管實(shí)現(xiàn)有效的襯底減薄或去除至關(guān)重要，從而提高光提取效率
2022-01-05 16:10:511655 
高，而各向同性蝕刻(如高頻)會在所有方向上進(jìn)行。使用氫氧化鉀工藝是因?yàn)樗谥圃熘械目芍貜?fù)性和均勻性，同時(shí)保持低生產(chǎn)成本。異丙醇(IPA)經(jīng)常被添加到溶液中，以改變從{110}壁到{100}壁的選擇性，并提高表面光滑度。 使用氫氧化鉀蝕
2022-01-11 11:50:333264 
(HFETs) 和AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)。 在本研究中，我們描述了對高質(zhì)量氮化鋁和氮化鎵單晶襯底之間的蝕刻選擇性以及兩種塊體材料的兩種極性之間的選擇性的研究。確定了每次蝕刻過程后的蝕刻
2022-01-14 11:16:264252 
蝕刻的濕法蝕刻技術(shù)的方法。本文分析了玻璃濕法刻蝕工藝的基本要素，如:玻璃成分的影響、刻蝕速率、掩膜層殘余應(yīng)力的影響、主要掩膜材料的表征、濕法刻蝕工藝產(chǎn)生的表面質(zhì)量。通過分析的結(jié)果，提出了一種改進(jìn)的玻璃深度濕
2022-01-19 16:13:402837 
摘要 FeCl3·6h2o用于單晶氧化鋅薄膜的濕法蝕刻。該方法對抑制用酸蝕刻氧化鋅薄膜時(shí)通常觀察到的“W”形蝕刻輪廓有很大的影響。通過觸控筆輪廓儀和掃描電子顯微鏡證實(shí)，在廣泛的蝕刻速率下獲得了“U
2022-01-26 14:46:481002 
本文描述了我們華林科納制造微系統(tǒng)的新LTCC技術(shù)，簡要概述了各種LTCC傳感器、執(zhí)行器、加熱和冷卻裝置，簡要介紹了LTCC技術(shù)的最新應(yīng)用(燃料電池、微反應(yīng)器、光子學(xué)和MOEMS封裝)。本文介紹了典型
2022-02-07 15:13:091003 
北京時(shí)間2022年2月10日，泛林集團(tuán) （NASDAQ： LRCX） 宣布推出一系列新的選擇性刻蝕產(chǎn)品，這些產(chǎn)品應(yīng)用突破性的晶圓制造技術(shù)和創(chuàng)新的化學(xué)成分，以支持芯片制造商開發(fā)環(huán)柵 （GAA） 晶體管結(jié)構(gòu)。
2022-02-10 14:45:401576 
問題，而且包括蝕刻速率、均勻性和選擇性在內(nèi)的工藝性能都是使該工藝難以從臺式轉(zhuǎn)換到單晶片型的障礙。在這里，我們提出了一種新穎的設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)引入了上晶片加熱板，以保持磷酸蝕刻劑的高溫，從而克服在氮化物剝離工藝中單晶片處
2022-02-15 16:38:572730 
，單片濕法刻蝕法是一種有用的技術(shù)。其進(jìn)一步推進(jìn)應(yīng)得到理論計(jì)算的支持。 因此，在我們之前的研究中開發(fā)了使用單晶片濕法蝕刻機(jī)進(jìn)行二氧化硅膜蝕刻的數(shù)值計(jì)算模型。首先，通過水流可視化獲得旋轉(zhuǎn)晶片上的整個(gè)水運(yùn)動(dòng)，并進(jìn)行評估
2022-03-02 13:58:361404 
通過與客戶、技術(shù)專家和產(chǎn)品團(tuán)隊(duì)的合作，他們已經(jīng)在選擇性刻蝕創(chuàng)新方面實(shí)現(xiàn)突破，這將使世界領(lǐng)先的芯片制造商得以提供下一代3D邏輯和存儲設(shè)備。
2022-03-22 09:26:072740 
泛林集團(tuán)推三款開創(chuàng)性的選擇性刻蝕產(chǎn)品 泛林集團(tuán)深信創(chuàng)新不僅來自于創(chuàng)新者，更需要共同合作、精確細(xì)致和努力交付才能實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新。我們助力第四次工業(yè)革命，也是世界領(lǐng)先半導(dǎo)體企業(yè)值得信賴的伙伴。 日前泛林集團(tuán)
2022-03-22 14:35:593474 濕式蝕刻過程的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物，選擇性非常高，因?yàn)樗褂玫幕瘜W(xué)物質(zhì)可以非常精確地適應(yīng)于單個(gè)薄膜。對于大多數(shù)溶液的選擇性大于100：1。液體化學(xué)必須滿足以下要求：掩模層
2022-04-15 14:56:573449 
方法，觀察了多晶ZnO薄膜上HCl腐蝕的發(fā)展，結(jié)果表明這種觀察方法沒有改變蝕刻行為，停止和重新開始蝕刻也沒有改變侵蝕點(diǎn)，表明HCl侵蝕點(diǎn)是隨著它們的生長而形成在膜中的。此外我們華林科納研究了先前在KOH
2022-05-09 13:28:32986 
本文介紹了我們華林科納研究了蝕刻時(shí)間和氧化劑對用氫氧化銨(銨根OH)形成的多孔氧化鋅（氧化鋅）薄膜的表面形貌和表面粗糙度的影響。在本工作中，射頻磁控管濺射的ZnO薄膜在氫氧化銨(NH4OH)溶液中腐蝕，全面研究了刻蝕時(shí)間和添加H2O2溶液對多孔ZnO薄膜表面形貌和粗糙度的影響。
2022-05-09 15:19:341328 
我們華林科納研究了TMAH溶液中摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的性能受蝕刻溫度、刻蝕時(shí)間和刮刻載荷的影響，通過對比試驗(yàn)，評價(jià)了硅摩擦誘導(dǎo)的選擇性蝕刻的機(jī)理，各種表面圖案的制造被證明與控制尖端痕跡劃傷。 蝕刻時(shí)間
2022-05-20 16:37:453558 
本研究的目的是我們華林科納開發(fā)足夠快的氮化鈦蝕刻配方，可用于單晶片工具(SWT)，但對電介質(zhì)和金屬具有高選擇性。大多數(shù)蝕刻實(shí)驗(yàn)是在分子間Tempus F-20TM工具上進(jìn)行的，該工具能夠在一個(gè)基板上
2022-05-30 16:39:111964 
本文描述了我們華林科納一種新的和簡單的方法，通過監(jiān)測腐蝕過程中薄膜的電阻來研究濕法腐蝕ITO薄膜的動(dòng)力學(xué)，該方法能夠研究0.1至150納米/分鐘之間的蝕刻速率。通?？梢詤^(qū)分三種不同的狀態(tài)：(1)緩慢
2022-07-01 14:39:133909 
寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，這些特性使其對高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕，即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的許多酸性溶液中
2022-07-06 16:00:213281 
本文介紹了我們華林科納在半導(dǎo)體制造過程中進(jìn)行的濕法蝕刻過程和使用的藥液，在晶圓表面，為了形成LSI布線，現(xiàn)在幾乎所有的半導(dǎo)體器件都使用干蝕刻方式，這是因?yàn)楦煞ㄎg刻與濕法蝕刻相比，各向異性較好，對于形成細(xì)微的布線是有利的。
2022-07-06 16:50:323111 
稱為 HNA 腐蝕劑）；對硅的刻蝕速率和對掩模材料的刻蝕選擇性可通過各組分比例的不同來調(diào)節(jié)。目前，各向同性濕法刻蝕的實(shí)際應(yīng)用較少。
2022-10-08 09:16:327442 濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代，但是它在尺寸較大的非關(guān)鍵層清洗中依然發(fā)揮著重要的作用。
2022-11-11 09:34:1819992 源漏選擇性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作為硬掩模遮蔽層，利用刻蝕氣體抑制遮蔽層上的外延生長，僅在曝露出硅的源漏極區(qū)域?qū)崿F(xiàn)外延生長。
2022-11-29 16:05:154887 濕法刻蝕利用化學(xué)溶液溶解晶圓表面的材料，達(dá)到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學(xué)反應(yīng)的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。
2023-02-10 11:03:187475 壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時(shí)也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:434532 但是，HCl為基體的刻蝕溶液，會嚴(yán)重地侵蝕Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金屬硅化物阻值升高。這就要求有一種刻蝕劑是無氯基體，而且對Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe無傷害、對金屬選擇性又高。這就是目前常用的高溫硫酸和雙氧水混合液
2023-05-29 10:48:276536 
5月18日-5月19日，由華林科納舉辦的2023泛半導(dǎo)體濕法交流會第五期：化學(xué)流體系統(tǒng)技術(shù)與應(yīng)用交流會在江蘇南通市成功召開。會議共邀請42家企業(yè)參會，參會人員96人。本期交流會安排了學(xué)術(shù)技術(shù)交流報(bào)告、流體展示及實(shí)操等多種形式的活動(dòng)，交流高純流體在濕法領(lǐng)域的技術(shù)與應(yīng)用，并展示了超100種高純流體產(chǎn)品。
2023-06-09 17:30:341065 在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:573242 
國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的行業(yè)盛會將在上海如期舉行，華林科納將為您帶來超全面且領(lǐng)先的濕法解決方案，并攜泛半導(dǎo)體濕法裝備服務(wù)平臺亮相SEMICON China，與上下游企業(yè)進(jìn)行一對一交流，為企業(yè)發(fā)展瓶頸找到“痛
2023-07-04 17:01:30763 
由華林科納舉辦的2023泛半導(dǎo)體濕法交流會第五期：化學(xué)流體系統(tǒng)技術(shù)與應(yīng)用交流會在江蘇南通市成功召開。會議共邀請42家企業(yè)參會，參會人員96人。本期交流會安排了學(xué)術(shù)技術(shù)交流報(bào)告、流體展示及實(shí)操等
2023-07-14 08:47:031111 很多半導(dǎo)體、光伏行業(yè)的制造企業(yè)在選擇化學(xué)品酸堿輸送供應(yīng)管道時(shí)，都喜歡選擇華林科納的高純PFA管，選擇華林科納生產(chǎn)的高純PFA管作為化學(xué)品酸堿輸送供應(yīng)管道有以下幾個(gè)重要原因： 1、優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性
2023-09-13 17:29:481396 在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:0010327 
刻蝕（或蝕刻）是從晶圓表面去除特定區(qū)域的材料以形成相應(yīng)微結(jié)構(gòu)。但是，在目標(biāo)材料被刻蝕時(shí)，通常伴隨著其他層或掩膜的刻蝕。
2023-10-07 14:19:2511513 
在全球能源危機(jī)和環(huán)境污染日益嚴(yán)重的背景下，太陽能光伏產(chǎn)業(yè)以其清潔、可再生的特點(diǎn)受到了越來越多的關(guān)注。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，光伏設(shè)備中使用的材料和組件也在不斷進(jìn)行優(yōu)化和升級。其中，華林科納的PFA管在
2023-10-17 10:19:25871 半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:261646 
濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應(yīng)用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:173660 
PDMS（聚二甲基硅氧烷）是一種常見的彈性體材料，廣泛應(yīng)用于微流控芯片、生物傳感器和柔性電子等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用中，刻蝕工藝是實(shí)現(xiàn)微結(jié)構(gòu)加工的關(guān)鍵步驟。濕法刻蝕和軟刻蝕是兩種常用的刻蝕方法，它們在
2024-09-27 14:46:431079 這一關(guān)鍵設(shè)備中，PFA管憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢，發(fā)揮著不可替代的作用。華林科納半導(dǎo)體將詳細(xì)探討PFA管在換熱器中的具體應(yīng)用及其優(yōu)勢。 ### 耐腐蝕性：延長換熱器壽命 換熱器作為化工、制藥、食品等行業(yè)中不可或缺的設(shè)備，經(jīng)常需要處理各種腐蝕性介質(zhì)。這些
2024-10-17 17:32:11958 本文介紹晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響 表面溫度對干法刻蝕的影響主要包括：聚合物沉積，選擇性，光刻膠流動(dòng)、產(chǎn)物揮發(fā)性與刻蝕速率，表面形貌等。 ? 聚合物沉積?：工藝過程中產(chǎn)生的聚合物會在表面沉積
2024-12-03 10:48:311982 
液體將不要的材料去除。 1?干法刻蝕 干法刻蝕方式： ①濺射與離子束銑蝕 ②等離子刻蝕（Plasma Etching） ③高壓等離子刻蝕 ④高密度等離子體（HDP）刻蝕 ⑤反應(yīng)離子刻蝕（RIE） 與化學(xué)蝕刻一樣，具有高度選擇性，僅蝕刻具有目標(biāo)成分的材料；具有高
2024-12-06 11:13:583353 
其實(shí)在半導(dǎo)體濕法刻蝕整個(gè)設(shè)備中有一個(gè)比較重要部件，或許你是專業(yè)的，第一反應(yīng)就是它。沒錯(cuò)，加熱器！但是也有不少剛?cè)胄?，或者了解不深的人好奇，半?dǎo)體濕法刻蝕設(shè)備加熱器的作用是什么呢？ 沒錯(cuò)，這個(gè)就是今天
2024-12-13 14:00:311610 一下！ 濕法刻蝕是一種利用化學(xué)反應(yīng)對材料表面進(jìn)行腐蝕刻蝕的微納加工技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光學(xué)器件和生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。 濕法刻蝕的步驟包括以下內(nèi)容： 準(zhǔn)備工作 準(zhǔn)備刻蝕液和設(shè)備：刻蝕液通常為酸性或堿性溶液，根據(jù)待加
2024-12-13 14:08:311390 文章來源：半導(dǎo)體與物理 原文作者：jjfly686 本文簡單介紹了兩種新型的選擇性刻蝕技術(shù)——高氧化性氣體的無等離子體刻蝕和原子層刻蝕。 全環(huán)繞柵極晶體管（Gate-All-Around FET
2024-12-17 09:53:332013 
什么是刻蝕？刻蝕是指通過物理或化學(xué)方法對材料進(jìn)行選擇性的去除，從而實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)圖形的一種技術(shù)。蝕刻是半導(dǎo)體制造及微納加工工藝中相當(dāng)重要的步驟，自1948年發(fā)明晶體管到現(xiàn)在，在微電子學(xué)和半導(dǎo)體領(lǐng)域
2024-12-20 16:03:161651 
、濕法刻蝕過程中，使用的化學(xué)溶液與待刻蝕的晶圓材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，將固體材料轉(zhuǎn)化為可溶于水的化合物。這種化學(xué)反應(yīng)需要高選擇性的化學(xué)物質(zhì)，以確保只有需要去除的部分被刻蝕，而其他部分保持不變。 2、在刻蝕過程中，通常
2024-12-23 14:02:261245 的損害，從而提高產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。 優(yōu)化化學(xué)溶液 調(diào)整溶液成分：通過改變刻蝕液的化學(xué)成分，可以顯著影響其對不同材料的選擇性。例如，在多晶硅刻蝕中，可以選擇對硅材料具有高選擇性的刻蝕液，而對光刻膠等掩膜材料
2024-12-25 10:22:011714 大家知道芯片是一個(gè)要求極其嚴(yán)格的東西，為此我們生產(chǎn)中想盡辦法想要讓它減少污染，更加徹底去除污染物。那么，今天來說說，大家知道芯片濕法刻蝕殘留物到底用什么方法去除的呢？ 芯片濕法刻蝕殘留物去除方法主要
2024-12-26 11:55:232097 圓形橫截面特征。 常見刻蝕劑：一種常見的用于硅的各向同性濕法刻蝕劑是HNA，即氫氟酸(HF)、硝酸(HNO3)和乙酸(CH3COOH)的混合物。 特點(diǎn)：各向同性刻蝕通常難以控制刻蝕均勻性，但其操作相對簡單且成本較低。 各向異性刻蝕 定義：各向
2024-12-26 13:09:051685 半導(dǎo)體濕法刻蝕殘留物的原理涉及化學(xué)反應(yīng)、表面反應(yīng)、側(cè)壁保護(hù)等多個(gè)方面。 以下是對半導(dǎo)體濕法刻蝕殘留物原理的詳細(xì)闡述： 化學(xué)反應(yīng) 刻蝕劑與材料的化學(xué)反應(yīng)：在濕法刻蝕過程中，刻蝕劑（如酸、堿或氧化劑
2025-01-02 13:49:321181 等離子體刻蝕和濕法刻蝕是集成電路制造過程中常用的兩種刻蝕方法，雖然它們都可以用來去除晶圓表面的材料，但它們的原理、過程、優(yōu)缺點(diǎn)及適用范圍都有很大的不同。 ? ? 1. 刻蝕原理和機(jī)制的不同 濕法刻蝕
2025-01-02 14:03:561267 在芯片制造的精密工藝中，華林科納濕法刻蝕（Wet Etching）如同一把精妙的雕刻刀，以化學(xué)的魔力在晶圓這張潔白的畫布上，雕琢出微觀世界的奇跡。它是芯片制造中不可或缺的一環(huán)，以其高效、低成本的特點(diǎn)
2025-03-12 13:59:11984 華林科納半導(dǎo)體高選擇性蝕刻是指在半導(dǎo)體制造等精密加工中，通過化學(xué)或物理手段實(shí)現(xiàn)目標(biāo)材料與非目標(biāo)材料刻蝕速率的顯著差異，從而精準(zhǔn)去除指定材料并保護(hù)其他結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)?。其核心在于通過工藝優(yōu)化控制
2025-03-12 17:02:49809 的基本原理 刻蝕的本質(zhì)是選擇性去除材料，即只去除不需要的部分，保留需要的部分。根據(jù)刻蝕方式的不同，可以分為以下兩類： （1）濕法刻蝕（Wet Etching） 原理：利用化學(xué)液體（如酸、堿或溶劑）與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，溶解目標(biāo)材料。
2025-05-06 10:35:311978 濕法刻蝕是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝，其效果受多種因素影響。以下是主要影響因素及詳細(xì)分析：1.化學(xué)試劑性質(zhì)與濃度?種類選擇根據(jù)被刻蝕材料的化學(xué)活性匹配特定溶液（如HF用于SiO?、KOH用于硅襯底
2025-08-04 14:59:281458 
濕法刻蝕SC2工藝在半導(dǎo)體制造及相關(guān)領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用，以下是其主要應(yīng)用場景和優(yōu)勢：材料選擇性去除與表面平整化功能描述：通過精確控制化學(xué)溶液的組成，能夠?qū)崿F(xiàn)對特定材料的選擇性去除。例如，它能
2025-08-06 11:19:181198 
濕法刻蝕的工藝指標(biāo)是確保半導(dǎo)體制造過程中圖形轉(zhuǎn)移精度和器件性能的關(guān)鍵參數(shù)，主要包括以下幾個(gè)方面：刻蝕速率定義與意義：指單位時(shí)間內(nèi)材料被去除的厚度（如μm/min或nm/s），直接影響生產(chǎn)效率和成本
2025-09-02 11:49:32764 
引言 晶圓濕法刻蝕工藝通過化學(xué)溶液對材料進(jìn)行各向同性或選擇性腐蝕，廣泛應(yīng)用于硅襯底減薄、氧化層開窗、淺溝槽隔離等工藝，其刻蝕深度均勻性、表面平整度、側(cè)向腐蝕量等參數(shù)直接影響器件性能。例如，MEMS
2025-09-26 16:48:41938 
晶圓濕法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造中的重要工藝手段，具有以下顯著優(yōu)點(diǎn)：高選擇性與精準(zhǔn)保護(hù)通過選用特定的化學(xué)試劑和控制反應(yīng)條件，濕法刻蝕能夠?qū)崿F(xiàn)對目標(biāo)材料的高效去除，同時(shí)極大限度地減少對非目標(biāo)區(qū)域（如掩膜
2025-10-27 11:20:38369 
之間，可實(shí)現(xiàn)氧化硅與基底材料的高選擇性刻蝕。例如，BOE溶液通過氟化銨穩(wěn)定HF濃度，避免反應(yīng)速率波動(dòng)過大。 熱磷酸體系：85%以上的濃磷酸在150–180℃下對氮化硅的刻蝕速率可達(dá)50?/min，且對氧化硅和硅基底的選擇比優(yōu)異。 硝酸體系：主要用于硅材料的快速粗加工，
2025-11-11 10:28:48269 提供可靠的圖形化保障。以下深度解析其工藝優(yōu)勢與技術(shù)創(chuàng)新。 一、設(shè)備核心工藝流程 華林科納四步閉環(huán)工藝，實(shí)現(xiàn)亞微米級圖形保真 （1）預(yù)處理（Pre-wetting） 去離子水浸潤：均勻潤濕晶圓表面，消除靜電吸附效應(yīng)。 邊緣曝光消除（Edge
2025-12-24 15:03:51145 
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