作者：馬坤 （郵箱：kuner0806@163.com） 隨著中國(guó)芯GaN產(chǎn)品上市，引起了大家的關(guān)注，PD產(chǎn)品更是多姿多彩；納微GaN產(chǎn)品和英諾賽科GaN產(chǎn)品有什么區(qū)別？本文我們就做一些比對(duì)；幫助
2020-05-12 01:31:00
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在本文中，我們?cè)敿?xì)研究了AlGaN的濕法刻蝕特性。特別地，我們研究了m面刻面形成和AlN摩爾分?jǐn)?shù)對(duì)蝕刻速率的依賴(lài)關(guān)系。我們還研究了氮化鋁摩爾分?jǐn)?shù)差異較大的紫外發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的濕法刻蝕特性。
2021-12-13 14:58:122236 
摘要 我們華林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對(duì)工藝條件變化的敏感性，以確定該蝕刻劑系統(tǒng)在純鋁電路光刻制造中的潛在生產(chǎn)應(yīng)用。溫度變化、正磷酸濃度、多磷酸濃度的影響。檢測(cè)了酸濃度
2022-01-07 15:40:121922 
摘要 我們華林科納對(duì)h2so4-h202-h20體系中（100）砷化鎵的蝕刻情況進(jìn)行了詳細(xì)的研究。研究了特定蝕刻劑成分的濃度對(duì)蝕刻速率和晶體表面形狀的影響。從這些結(jié)果中，蝕刻浴組成的吉布斯三角形被
2022-01-25 10:32:243235 
硅的各向異性蝕刻是指定向依賴(lài)的蝕刻，通常通過(guò)堿性蝕刻劑如水溶液氫氧化鉀，TMAH和其他羥化物如氫氧化鈉。由于蝕刻速率對(duì)晶體取向、蝕刻劑濃度和溫度的強(qiáng)烈依賴(lài)性，可以以高度可控和可重復(fù)的方式制備多種硅
2022-03-08 14:07:252479 
的電子和光電子器件的制造中對(duì)高選擇性濕法化學(xué)蝕刻劑的額外需求，還進(jìn)行了廣泛的研究以檢驗(yàn)多種蝕刻溶液。列出了這些蝕刻劑的蝕刻速率、選擇性和表面粗糙度，以驗(yàn)證它們對(duì)預(yù)期應(yīng)用的適用性。盡管頻繁使用GaSb或
2022-05-11 14:00:421844 
引言 高效交叉背接觸(IBC)太陽(yáng)能電池有助于減少太陽(yáng)能電池板的面積，從而為家庭消費(fèi)提供足夠的能量。我們華林科納認(rèn)為，借助光阱方案，適當(dāng)鈍化的IBC電池即使厚度小于20μm也能保持20%的效率。在這
2022-06-10 17:22:589765 
本文描述了我們華林科納用于III族氮化物半導(dǎo)體的選擇性側(cè)壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴墓栉⒚缀图{米鰭的形成。通過(guò)濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積來(lái)沉積二氧化硅，以產(chǎn)生硬掩模
2022-07-08 15:46:162154 
本文主要闡述我們華林科納在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過(guò)程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素，并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)方法來(lái)研究所選因素
2022-07-12 14:01:132601 
基極接觸到發(fā)射極的距離可以遠(yuǎn)小于光刻所施加的限制。GaN的晶體學(xué)濕法化學(xué)蝕刻的最新證明已經(jīng)顯示出產(chǎn)生底切輪廓的能力。這種蝕刻的一個(gè)例子如圖8所示。
結(jié)論
我們華林科納研究了GaN基
2022-07-12 17:04:381943 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說(shuō)，它們?cè)谀承┓较蛏系?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:065995 
濕法蝕刻工藝的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為liquid化合物。由于采用了高選擇性化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適用于每一部電影。對(duì)于大多數(shù)解決方案選擇性大于100:1。
2022-07-27 15:50:253962 
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，因?yàn)樗没瘜W(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
我司是做濕法蝕刻藥水的，所以在濕法這塊有很多年的研究。所以有遇到濕法蝕刻問(wèn)題歡迎提問(wèn)，很愿意為大家解答。謝謝！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
`華林科納濕法設(shè)備分類(lèi)全自動(dòng)設(shè)備：全自動(dòng)RCA清洗機(jī)全自動(dòng)硅片刻蝕機(jī)全自動(dòng)片盒清洗機(jī)全自動(dòng)石英管清洗機(jī)半自動(dòng)設(shè)備：半自動(dòng)RCA清洗機(jī)半自動(dòng)硅片刻蝕機(jī)半自動(dòng)石英管清洗機(jī)半自動(dòng)有機(jī)清洗機(jī)`
2021-02-07 10:14:51
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu)，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過(guò)程分為兩類(lèi)：浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡(jiǎn)要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
方面存在局限性，因此需要探索自上而下、依賴(lài)蝕刻的 GaN NW 制造工藝。這項(xiàng)工作的重點(diǎn)是改進(jìn)自上而下的 GaN 納米線(xiàn)的制造方法，并為 SPE 的制造奠定了潛在的工藝。使用干法和濕法蝕刻的組合，現(xiàn)有
2021-07-08 13:11:24
和碳化硅，在室溫下電化學(xué)刻蝕在某些情況下是成功的。此外，光輔助濕法蝕刻產(chǎn)生類(lèi)似的速率，與晶體極性無(wú)關(guān)。 介紹 寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵、碳化硅和氧化鋅對(duì)許多新興應(yīng)用具有吸引力。例如，AlGaN/GaN高電子
2021-10-14 11:48:31
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN晶體蝕刻的幾何方面和光子應(yīng)用編號(hào)：JFSJ-21-044作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：濕法
2021-07-08 13:09:52
已經(jīng)報(bào)道了具有低至 4±6 nm 的 rms 粗糙度的表面。濕法蝕刻也已被證明用于蝕刻氮化鎵，蝕刻具有設(shè)備成本相對(duì)較低、表面損傷小等優(yōu)點(diǎn)，但目前還沒(méi)有找到生產(chǎn)光滑垂直側(cè)壁的方法。還報(bào)道了 GaN 的解理
2021-07-07 10:24:07
黃金。以上只是基于實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)，實(shí)驗(yàn)設(shè)備也比較簡(jiǎn)陋，如果再結(jié)合濕法清洗設(shè)備進(jìn)行蝕刻工藝，效果會(huì)有明顯的提高，南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司生產(chǎn)的濕法清洗設(shè)備能在各方面滿(mǎn)足要求，使清洗達(dá)到事半功倍的效果。 如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-09 10:23:37
測(cè)試，并且在錯(cuò)誤的情況下可能導(dǎo)致工藝失敗，因此，基于研究的重要性，不管從藥液還是設(shè)備都需選擇穩(wěn)定可靠的，而華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司在濕法刻蝕領(lǐng)域已有十幾年的經(jīng)驗(yàn)，其生產(chǎn)的設(shè)備功能完善，并能針對(duì)客戶(hù)的需求給出一系列的解決辦法跟方案。 如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-06 09:39:22
我是南通華林科納半導(dǎo)體的，主要做半導(dǎo)體，太陽(yáng)能，液晶LED，電子器件濕法工藝，各種清洗，濕制程設(shè)備。我們3月14日—16日去上海新國(guó)際博覽中心參加2017慕尼黑上海半導(dǎo)體展，有其他去的公司嗎，應(yīng)該
2017-03-04 11:50:42
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬(wàn)元。主要從事半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售；同時(shí)代理半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域其它國(guó)外設(shè)備，負(fù)責(zé)
2015-04-02 17:21:04
射流的理論獲得了底部的各個(gè)部位的蝕刻液離子的擴(kuò)散速率，并搞清楚了側(cè)壁上出現(xiàn)的主要原因。針對(duì)酸性氯化銅溶液，擴(kuò)散速度與蝕刻反應(yīng)速度是成比例關(guān)系的。所以，凹槽內(nèi)底部各個(gè)部位蝕刻的速度相對(duì)中央最大速率區(qū)也是
2018-09-10 15:56:56
招聘蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司職位月薪：面議工作地點(diǎn)：蘇州工作性質(zhì)：全職工作經(jīng)驗(yàn)：1年以上最低學(xué)歷：大專(zhuān)招聘人數(shù)：5人 職位類(lèi)別：銷(xiāo)售經(jīng)理職位描述要求：工作經(jīng)驗(yàn)：1年以上崗位職責(zé)：1、負(fù)責(zé)
2015-07-28 11:38:16
晶片全面曝光的方法，使單一晶片上可以獲得更多的芯片(chip)。如此一來(lái)，雖然產(chǎn)率得以提高，但同時(shí)也制造一些工藝處理問(wèn)題。特別在對(duì)硅晶片蝕刻深凹槽(deeptrench)工藝方面?！ ∮捎?b class="flag-6" style="color: red">采用全面曝光
2018-03-16 11:53:10
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬(wàn)元。主要從事半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售；同時(shí)代理半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域其它國(guó)外設(shè)備，負(fù)責(zé)
2015-04-02 17:23:36
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬(wàn)元。主要從事半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售；同時(shí)代理半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域其它國(guó)外設(shè)備，負(fù)責(zé)
2015-04-02 17:26:21
公司名稱(chēng)：蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司公司地址：蘇州工業(yè)園區(qū)啟月街288號(hào)公司電話(huà)：0512-62872541蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司主要從事半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備
2016-10-26 17:05:04
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬(wàn)元。主要從事半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售；同時(shí)代理半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域其它國(guó)外設(shè)備，負(fù)責(zé)
2015-04-02 17:22:46
功率AlGaN_GaN肖特基二極管結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)_徐儒
2017-01-08 10:30:29
2 本文報(bào)道了algan/gan高電子遷移率晶體管（hemt）在反向柵偏壓作用下閾值電壓的負(fù)漂移。該器件在強(qiáng)pinch-off和低漏源電壓條件下偏置一定時(shí)間（反向柵極偏置應(yīng)力），然后測(cè)量傳輸特性。施加
2019-10-09 08:00:0010 基于溫度步進(jìn)應(yīng)力實(shí)驗(yàn)，研究了 AlGaN /GaN HEMT 器件在不同溫度應(yīng)力下的退化規(guī)律及退化機(jī)理。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)： 在結(jié)溫為 139 ～ 200 ℃ 時(shí)，AlGaN /GaN HEMT 器件的漏源
2020-06-23 08:00:006 隨著低擴(kuò)展缺陷密度獨(dú)立氮化鎵基底的出現(xiàn)，在半極性和非極性晶體平面上生長(zhǎng)的量子阱(QW)結(jié)構(gòu)由于可以抑制或消除QCSE而引起了人們的關(guān)注。不平衡的雙軸平面內(nèi)應(yīng)變導(dǎo)致重孔和光孔價(jià)帶的分裂，導(dǎo)致理論上預(yù)測(cè)沿非極平面和半極平面相對(duì)于c平面有更高的增益。非極性m平面LDs已經(jīng)在紫色、藍(lán)色、和藍(lán)綠色的光譜區(qū)域得到了證實(shí)。m平面QWs中QCSE的缺失隨著驅(qū)動(dòng)電流的增加而減少了藍(lán)移，并允許更厚的QWs
2021-12-13 17:12:443046 
我們華林科納研究了不同醇類(lèi)添加劑對(duì)氫氧化鉀溶液的影響。據(jù)說(shuō)醇導(dǎo)致硅蝕刻各向異性的改變。具有一個(gè)羥基的醇表現(xiàn)出與異丙醇相似的效果。它們導(dǎo)致(hh 1)型平面的蝕刻速率大大降低，通常在蝕刻凸形圖形的側(cè)壁處發(fā)展。這就是凸角根切減少的原因。具有一個(gè)以上羥基的醇不影響蝕刻各向異性，并導(dǎo)致表面光潔度變差。
2021-12-17 15:27:531195 引言 我們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻的硅(110)表面上實(shí)驗(yàn)觀(guān)察到的梯形小丘的形成，描述它們的一般幾何形狀并分析關(guān)鍵表面位置的相對(duì)穩(wěn)定性和（或）反應(yīng)性。在我們的模型中，小丘被蝕刻劑中的銅雜質(zhì)穩(wěn)定，銅雜質(zhì)吸附在表面上并作
2021-12-29 17:04:31681 
電感耦合等離子體反應(yīng)離子蝕刻獲得的高蝕刻速率和高度各向異性的輪廓。光增強(qiáng)濕法蝕刻提供了一種獲得高蝕刻速率而沒(méi)有離子誘導(dǎo)損傷的替代途徑。該方法適用于器件制造以及n-氮化鎵中位錯(cuò)密度的估算。這有可能發(fā)展成為一種快
2021-12-30 10:36:172061 
我們華林科納開(kāi)發(fā)了一種可控、平滑的氫氧化鉀基濕法刻蝕技術(shù)，AlN和AlxGa1xN之間的高選擇性被發(fā)現(xiàn)對(duì)于基于AlGaN的深紫外發(fā)光二極管實(shí)現(xiàn)有效的襯底減薄或去除至關(guān)重要，從而提高光提取效率
2022-01-05 16:10:511655 
摘要 本文對(duì)本克斯使用的鋁蝕刻劑進(jìn)行調(diào)查，以長(zhǎng)期提高蝕刻部件的質(zhì)量。非常薄的鋁箔圖案在磷酸、氯化鐵和水銹溶液中精確蝕刻的鋁箔圖案符合尺寸和一致性標(biāo)準(zhǔn)。蝕刻劑的主要問(wèn)題是，由蒸發(fā)和耗盡引起的成分變化
2022-01-07 16:47:461281 
氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于微加工硅片的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕基底。也就是說(shuō)，它們?cè)谀承┓较蛏系?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻速率比在其他方向上的蝕刻速率
2022-01-11 11:50:333264 
(HFETs) 和AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)。 在本研究中，我們描述了對(duì)高質(zhì)量氮化鋁和氮化鎵單晶襯底之間的蝕刻選擇性以及兩種塊體材料的兩種極性之間的選擇性的研究。確定了每次蝕刻過(guò)程后的蝕刻
2022-01-14 11:16:264252 
引言 我們華林科納研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過(guò)在1100°C下快速熱退火，提高了反應(yīng)
2022-01-17 16:21:48755 
蝕刻的濕法蝕刻技術(shù)的方法。本文分析了玻璃濕法刻蝕工藝的基本要素，如:玻璃成分的影響、刻蝕速率、掩膜層殘余應(yīng)力的影響、主要掩膜材料的表征、濕法刻蝕工藝產(chǎn)生的表面質(zhì)量。通過(guò)分析的結(jié)果，提出了一種改進(jìn)的玻璃深度濕
2022-01-19 16:13:402837 
濕法蝕刻工藝已經(jīng)廣泛用于生產(chǎn)各種應(yīng)用的微元件。這些過(guò)程簡(jiǎn)單易操作。選擇合適的化學(xué)溶液(即蝕刻劑)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度。銅及其合金是各種工業(yè)，特別是電子工業(yè)的重要
2022-01-20 16:02:243288 
摘要 FeCl3·6h2o用于單晶氧化鋅薄膜的濕法蝕刻。該方法對(duì)抑制用酸蝕刻氧化鋅薄膜時(shí)通常觀(guān)察到的“W”形蝕刻輪廓有很大的影響。通過(guò)觸控筆輪廓儀和掃描電子顯微鏡證實(shí)，在廣泛的蝕刻速率下獲得了“U
2022-01-26 14:46:481002 
索引術(shù)語(yǔ):氮化鎵，蝕刻 摘要 本文介紹了我們華林科納的一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對(duì)氮化鎵進(jìn)行光增強(qiáng)濕法化學(xué)刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結(jié)果。 介紹 光電
2022-02-07 14:35:422181 
本文描述了我們華林科納制造微系統(tǒng)的新LTCC技術(shù)，簡(jiǎn)要概述了各種LTCC傳感器、執(zhí)行器、加熱和冷卻裝置，簡(jiǎn)要介紹了LTCC技術(shù)的最新應(yīng)用(燃料電池、微反應(yīng)器、光子學(xué)和MOEMS封裝)。本文介紹了典型
2022-02-07 15:13:091003 
基于HC1的蝕刻劑被廣泛應(yīng)用于InP半導(dǎo)體器件，HC1溶液中其他酸的存在對(duì)蝕刻速率有顯著影響，然而，InP并不溶在涉及簡(jiǎn)單氧化劑的傳統(tǒng)蝕刻劑中，為了解決溶解機(jī)理的問(wèn)題，我們江蘇華林科納研究了p-InP在不同HC1溶液中的刻蝕作用和電化學(xué)反應(yīng)。
2022-02-09 10:54:581600 
本文討論了我們華林科納用于再循環(huán)蝕刻浴的過(guò)濾器的物理、性能和成本特性。然而，要為生產(chǎn)操作選擇合適的過(guò)濾器，還需要蝕刻應(yīng)用知識(shí)和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。
2022-02-10 11:08:28642 
我們華林科納使用K2S2O8作為氧化劑來(lái)表征基于KOH的紫外(UV)光輔助濕法蝕刻技術(shù)。該解決方案提供了良好控制的蝕刻速率，并產(chǎn)生了光滑的高質(zhì)量蝕刻表面，同時(shí)通過(guò)原子力顯微鏡測(cè)量的表面粗糙度降低最小
2022-02-14 16:14:551186 
電感耦合等離子體反應(yīng)離子蝕刻獲得的高蝕刻速率和高度各向異性的輪廓。光增強(qiáng)濕法蝕刻提供了一種獲得高蝕刻速率而沒(méi)有離子誘導(dǎo)損傷的替代途徑。該方法適用于器件制造以及n-氮化鎵中位錯(cuò)密度的估算。這有可能發(fā)展成為一種快速評(píng)估材料的方法。
2022-02-23 16:20:243269 
：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁本工作采用光刻和刻蝕技術(shù)對(duì)晶圓進(jìn)行深度刻蝕，使晶圓厚度小于20μm。 關(guān)鍵詞:IBC太陽(yáng)能電池，掩模蝕刻，光刻，反應(yīng)離子蝕刻，TMAH蝕刻 介紹 太陽(yáng)能顯示出供應(yīng)潛力，這個(gè)因素取決于對(duì)高效率光伏器件和降低制造成本的需求
2022-02-23 17:43:371230 
，單片濕法刻蝕法是一種有用的技術(shù)。其進(jìn)一步推進(jìn)應(yīng)得到理論計(jì)算的支持。 因此，在我們之前的研究中開(kāi)發(fā)了使用單晶片濕法蝕刻機(jī)進(jìn)行二氧化硅膜蝕刻的數(shù)值計(jì)算模型。首先，通過(guò)水流可視化獲得旋轉(zhuǎn)晶片上的整個(gè)水運(yùn)動(dòng)，并進(jìn)行評(píng)估
2022-03-02 13:58:361404 
在 KOH 水溶液中進(jìn)行濕法化學(xué)蝕刻期間，硅 (1 1 1) 的絕對(duì)蝕刻速率已通過(guò)光學(xué)干涉測(cè)量法使用掩膜樣品進(jìn)行了研究。蝕刻速率恒定為0.62 ± 0.07 μm/h 且與 60 時(shí) 1–5 M
2022-03-04 15:07:091824 
我們開(kāi)發(fā)了一種改進(jìn)的各向異性濕法蝕刻工藝，通過(guò)在晶片上使用單個(gè)蝕刻掩模來(lái)制造各種硅微結(jié)構(gòu)，這些微結(jié)構(gòu)具有圓形凹角和尖銳凸角、用于芯片隔離的凹槽、蜿蜒的微流體通道、具有彎曲V形凹槽的臺(tái)面結(jié)構(gòu)以及具有
2022-03-14 10:51:421371 
材料，其用于許多蝕刻步驟中以抵抗蝕刻。該掩模材料可以是光致抗蝕劑，并且使用光刻法將其圖案化。蝕刻也可以稱(chēng)為制作空腔，這些空腔應(yīng)該根據(jù)用途具有特定的深度。產(chǎn)生的這種空腔的深度可以通過(guò)蝕刻時(shí)間和蝕刻速率來(lái)
2022-03-16 16:31:581827 
本文我們華林科納半導(dǎo)體有限公司研究了類(lèi)似的現(xiàn)象是否發(fā)生在氫氧化鉀溶液中添加的其他醇，詳細(xì)研究了丁基醇濃度對(duì)（100）和（110）Si平面表面形貌和蝕刻速率的影響，并給出了異丙醇對(duì)氫氧化鉀溶液的蝕刻結(jié)果，為了研究醇分子在蝕刻溶液中的行為機(jī)理，我們還對(duì)溶液的表面張力進(jìn)行了測(cè)量。
2022-03-18 13:53:01769 
本文介紹了我們華林科納采用氮化硅膜作為掩膜，采用濕蝕刻技術(shù)制備黑硅，樣品在250~1000nm波長(zhǎng)下的吸收率接近90%。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，氮化硅膜作為掩模濕蝕刻技術(shù)制備黑硅是可行的，比飛秒激光、RIE
2022-03-29 16:02:591360 
在使用低溫卡盤(pán)的低壓高密度等離子體反應(yīng)器中研究了硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻。我們華林科納以前已經(jīng)證明了這種技術(shù)在這種結(jié)構(gòu)上的可行性。已經(jīng)研究了蝕刻速率和輪廓的改進(jìn)，并且新的結(jié)果顯示，在5 μm
2022-05-11 15:46:191455 
我們華林科納研究探索了一種新的濕法腐蝕方法和減薄厚度在100 μm以下玻璃的解決方案，為了用低氫氟酸制備蝕刻溶液，使用NH4F或nh4hf 2作為主要成分并加入硫酸或硝酸是有效的，研究了混合酸溶液
2022-05-20 16:20:245688 本文講述了我們華林科納研究了M111N蝕刻速率最小值的高度，以及決定它的蝕刻機(jī)制，在涉及掩模的情況下，M111N最小值的高度可以受到硅/掩模結(jié)處的成核的影響，以這種方式影響蝕刻或生長(zhǎng)速率的結(jié)可以被
2022-05-20 17:12:591882 
通常在蝕刻過(guò)程之后通過(guò)將總厚度變化除以蝕刻時(shí)間或者通過(guò)對(duì)不同的蝕刻時(shí)間進(jìn)行幾次厚度測(cè)量并使用斜率的“最佳擬合”來(lái)測(cè)量，當(dāng)懷疑蝕刻速率可能不隨時(shí)間呈線(xiàn)性或蝕刻開(kāi)始可能有延遲時(shí)，這樣做有時(shí)可以實(shí)時(shí)測(cè)量蝕刻速率。
2022-05-27 15:12:135836 本文介紹了我們華林科納采用混合酸溶液(H3PO4 : H2SO4 = 1 : 3)和熔融KOH作為濕法腐蝕介質(zhì)，鹽酸作為陽(yáng)極腐蝕介質(zhì)，用掃描電鏡和透射電鏡分別觀(guān)察了蝕坑和T-Ds。
2022-05-27 16:56:031164 
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