刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術(shù)

半導(dǎo)體濕法和干法刻蝕

什么是刻蝕？刻蝕是指通過物理或化學(xué)方法對材料進(jìn)行選擇性的去除，從而實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)圖形的一種技術(shù)。蝕刻是半導(dǎo)體制造及微納加工工藝中相當(dāng)重要的步驟，自194...

2024-12-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體濕法刻蝕 2.1k 0

ALE的刻蝕原理?

????? ALE，英文名Atomic Layer Etching，中文名原子層刻蝕。是和ALD相對的，均是自限性反應(yīng)，一個是沉積一個是刻蝕。ALD是每...

2024-12-20 標(biāo)簽：ALE 刻蝕 2.1k 0

濕法刻蝕的主要影響因素一覽

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2025-08-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體濕法刻蝕 2k 0

通過濕法化學(xué)刻蝕制備多孔氧化鋅薄膜

本文用濕化學(xué)腐蝕法制備多孔氧化鋅的研究。通過射頻磁控濺射在擇優(yōu)取向的p型硅上沉積ZnO薄膜。在本工作中使用的蝕刻劑是0.1％和1％硝酸（HNO）溶液，Z...

2022-04-24 標(biāo)簽：薄膜刻蝕 2k 0

飛秒激光與刻蝕組合加工技術(shù)介紹

(1)什么是飛秒激光激光器作為20世紀(jì)最偉大的發(fā)明之一，因激光具有方向性、單色性好以及具有良好相干性等特點(diǎn)，在諸多領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用。 20世紀(jì)70年...

2024-12-17 標(biāo)簽：激光刻蝕 2k 0

太陽能電池?cái)U(kuò)散制結(jié)后的邊緣刻蝕工藝

隧穿氧化物鈍化接觸（TOPCon）技術(shù)仍吸引著光伏行業(yè)生產(chǎn)商的大量關(guān)注。然而，在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，電池會遇到繞鍍和邊緣漏電流的問題。這些現(xiàn)象會導(dǎo)致電池的光學(xué)和...

2024-07-27 標(biāo)簽：太陽能電池測試儀硅片 2k 0

半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形

2023-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 晶圓 1.9k 0

IMD3工藝是什么意思

IMD3工藝包括 IMD3a工藝和IMD3b工藝。IMD3a 工藝是形成 VIA2 的介質(zhì)隔離材料，同時(shí) IMD3a 會隔離第二層金屬和第三層金屬，IM...

2024-11-25 標(biāo)簽：工藝材料刻蝕 1.9k 0

微機(jī)械中的各向異性蝕刻技術(shù)與發(fā)展方向

單晶S1，作為IC、LSI的電子材料，用于微小機(jī)械部件的材料，也就是說，作為結(jié)構(gòu)材料的新用途已經(jīng)開發(fā)出來了。其理由是，除了單晶SI或機(jī)械性強(qiáng)之外，...

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淺談刻蝕的終點(diǎn)控制

當(dāng)?shù)入x子體轉(zhuǎn)變到這種狀態(tài)時(shí)，電子密度處于最低水平。一般來說，等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過調(diào)整脈沖的占空比，可以將時(shí)間平均離子能量分...

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半導(dǎo)體制造之離子工藝

其中，AB是分子，而A和B是由分解碰撞產(chǎn)生的自由基，自由基至少帶有一個不成對的電子, 因此并不穩(wěn)定。自由基在化學(xué)上非?；钴S，能奪取其他原子或分子的電子形...

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濕法刻蝕是各向異性的原因

濕法刻蝕通常是各向同性的（即沿所有方向均勻腐蝕），但在某些特定條件下也會表現(xiàn)出一定的各向異性。以下是其產(chǎn)生各向異性的主要原因及機(jī)制分析：晶體結(jié)構(gòu)的原子級...

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通過化學(xué)濕法刻蝕工藝制備氮化鎵基發(fā)光二極管

最近，氮化鎵基藍(lán)色、綠色和紫外線發(fā)光二極管取得了巨大進(jìn)展。這些氮化物基發(fā)光二極管也有可能用于固態(tài)照明。然而，為了實(shí)現(xiàn)固態(tài)照明，需要進(jìn)一步提高這些發(fā)光二極...

2022-04-12 標(biāo)簽：工藝發(fā)光二極管刻蝕 1.7k 0

淺談封裝開封技術(shù)

環(huán)氧塑封是IC主要封裝形式，環(huán)氧塑封器件開封方法有化學(xué)方法、機(jī)械方法和等離子體刻蝕法，化學(xué)方法是最廣泛使用的方法，又分手動開封和機(jī)械開封兩種。

2023-06-25 標(biāo)簽：芯片 IC 封裝 1.7k 0

深入剖析半導(dǎo)體濕法刻蝕過程中殘留物形成的機(jī)理

半導(dǎo)體濕法刻蝕過程中殘留物的形成，其背后的機(jī)制涵蓋了化學(xué)反應(yīng)、表面交互作用以及側(cè)壁防護(hù)等多個層面，下面是對這些機(jī)制的深入剖析：化學(xué)反應(yīng)層面 1 刻蝕劑...

2025-01-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體基板刻蝕 1.6k 0

全球封裝技術(shù)向先進(jìn)封裝邁進(jìn)的轉(zhuǎn)變

先進(jìn)封裝處于晶圓制造與封測制程中的交叉區(qū)域，涉及IDM、晶圓代工、封測廠商，市場格局較為集中，前6 大廠商份額合計(jì)超過80%。全球主要的 6 家廠商，包...

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等離子體刻蝕和濕法刻蝕有什么區(qū)別

等離子體刻蝕和濕法刻蝕是集成電路制造過程中常用的兩種刻蝕方法，雖然它們都可以用來去除晶圓表面的材料，但它們的原理、過程、優(yōu)缺點(diǎn)及適用范圍都有很大的不同。...

2025-01-02 標(biāo)簽：等離子體刻蝕 1.6k 0

通過兩步濕法刻蝕法制備黑硅

本研究對黑硅的形成進(jìn)行了兩步短濕蝕刻處理,所建議的結(jié)構(gòu)包括兩個步驟。第一步：濕酸性蝕刻凹坑狀形態(tài)，具有降低紋理化溫度的新解決方案；第二步：通過金屬輔助蝕...

2022-03-29 標(biāo)簽：工藝晶片刻蝕 1.6k 0

IMD4工藝是什么意思

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2024-11-25 標(biāo)簽：工藝材料刻蝕 1.5k 0

采用濕蝕刻技術(shù)制備黑硅

本文介紹了我們?nèi)A林科納采用氮化硅膜作為掩膜，采用濕蝕刻技術(shù)制備黑硅，樣品在250~1000nm波長下的吸收率接近90%。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，氮化硅膜作為掩模濕...

2022-03-29 標(biāo)簽：測試材料刻蝕 1.4k 0

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