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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體

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功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

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功率半導(dǎo)體資訊

瑞薩電子收購(gòu)Transphorm,加速GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)布局

全球半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)軍者瑞薩電子近日宣布,已成功完成對(duì)氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.(Nasdaq:TGAN)的...

2024-06-22 標(biāo)簽:GaN瑞薩電子功率半導(dǎo)體 1.9k 0

東芝在日本新建功率半導(dǎo)體后端生產(chǎn)設(shè)施,預(yù)計(jì)2025年春季投產(chǎn)

近日,東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱“東芝”)宣布,位于日本西部兵庫(kù)縣姬路市的半導(dǎo)體工廠已啟動(dòng)新的功率半導(dǎo)體后端生產(chǎn)設(shè)施建設(shè)。這一舉措標(biāo)志著東...

2024-03-12 標(biāo)簽:太陽(yáng)能東芝功率半導(dǎo)體 1.9k 0

英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù), 推動(dòng)行業(yè)變革

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2024年9月11日訊,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今天宣布,已成功開發(fā)出全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵(GaN...

2024-09-12 標(biāo)簽:英飛凌氮化鎵GaN 1.9k 0

功率半導(dǎo)體的主要種類

功率半導(dǎo)體的主要種類

功率半導(dǎo)體產(chǎn)品介紹及主要種類!

2023-04-14 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 1.9k 0

博世碳化硅助力汽車電動(dòng)化發(fā)展

近日,博世出席多個(gè)業(yè)內(nèi)技術(shù)研討會(huì),圍繞碳化硅產(chǎn)品和IP模塊發(fā)表技術(shù)演講,以“創(chuàng)新”為導(dǎo)向,首次公布第二代碳化硅產(chǎn)品信息及IP模塊最新解決方案。

2022-08-12 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅博世 1.9k 0

三菱電機(jī)即將發(fā)布兩款4.5kV/1200A XB系列HVIGBT模塊

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三菱電機(jī)集團(tuán)今日(2025年12月2日)宣布,將于12月9日發(fā)布兩款4.5kV/1200A XB系列HVIGBT模塊,包括標(biāo)準(zhǔn)絕緣(6.0kVrms)封...

2025-12-02 標(biāo)簽:二極管三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體 1.9k 0

光伏繼續(xù)高歌猛進(jìn) 碳化硅開啟廣泛合作 光伏為何擁抱SiC?

光伏繼續(xù)高歌猛進(jìn) 碳化硅開啟廣泛合作 光伏為何擁抱SiC?

今年上半年,光伏需求繼續(xù)飆升,中國(guó)新增光伏裝機(jī)增長(zhǎng)153%,逆變器廠商也賺得“盆滿缽滿”,陽(yáng)光電源、德業(yè)股份等7家企業(yè)營(yíng)收同比增長(zhǎng)超140%。

2023-08-08 標(biāo)簽:SiC光伏逆變器功率半導(dǎo)體 1.9k 0

日立出售功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)!美蓓亞三美全資收購(gòu)

日立出售功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)!美蓓亞三美全資收購(gòu)

資料顯示,美蓓亞三美成立于1951年7月,現(xiàn)任會(huì)長(zhǎng)兼CEO為貝沼由久,業(yè)務(wù)內(nèi)容包括軸承等機(jī)械加工品業(yè)務(wù)、電子元器件、半導(dǎo)體、小型電機(jī)電子設(shè)備業(yè)務(wù)、汽車零...

2023-11-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC功率半導(dǎo)體 1.9k 0

功率半導(dǎo)體冷知識(shí):功率器件的功率密度

功率半導(dǎo)體冷知識(shí):功率器件的功率密度

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2023-12-05 標(biāo)簽:電阻封裝功率半導(dǎo)體 1.9k 0

當(dāng)碳化硅遇見新能源:瞻芯電子邀您共同探索高效能源轉(zhuǎn)換技術(shù)邊界

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該方案采用簡(jiǎn)單高效率的無(wú)橋功率因數(shù)校正電路,適用于鈦金級(jí)AC/DC 交直流變換器設(shè)計(jì)。因采用CCM模擬控制芯片,而實(shí)現(xiàn)快速、精確、可靠的模擬控制,無(wú)需編...

2023-07-10 標(biāo)簽:新能源汽車功率半導(dǎo)體碳化硅 1.9k 0

德州儀器日本會(huì)津工廠啟動(dòng)氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)

德州儀器(TI)宣布,其位于日本會(huì)津的工廠已正式啟動(dòng)氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)。這一舉措,加上TI在德克薩斯州達(dá)拉斯已有的GaN制造業(yè)務(wù),將使TI...

2024-10-26 標(biāo)簽:德州儀器氮化鎵GaN 1.9k 0

日本研發(fā)出氧化鎵的低成本制法

這種作方法屬于“有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(MOCVD)法”,通過(guò)在密閉裝置內(nèi)充滿氣體狀原料,在基板上制造出氧化鎵的晶體。該方法與現(xiàn)有的“氫化物氣相外延(HV...

2023-10-12 標(biāo)簽:晶體功率半導(dǎo)體氧化鎵 1.9k 0

沛塬電子臨港研發(fā)中心正式揭牌

這家于2021年創(chuàng)立于上海臨港的公司,專攻電源模塊科技,已在國(guó)產(chǎn)化高端電源轉(zhuǎn)換器組件方面取得顯著進(jìn)展,包括高端功率半導(dǎo)體模組、高頻算力芯片供電模組等創(chuàng)新產(chǎn)品。

2024-03-07 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器模組功率半導(dǎo)體 1.9k 0

安世半導(dǎo)體在全球化發(fā)展中的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)與前瞻思考

此前,4月4日至6日,第28屆哈佛大學(xué)中國(guó)論壇成功舉辦。聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)(安世半導(dǎo)體)董事長(zhǎng)兼CEO張學(xué)政受邀出席,并在“智能時(shí)代的變革與未來(lái)”分論壇...

2025-04-12 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體安世半導(dǎo)體 1.9k 0

功率半導(dǎo)體究竟是什么

站在戰(zhàn)略升級(jí)的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn),聞泰科技正在全力聚焦半導(dǎo)體業(yè)務(wù),開啟全新發(fā)展階段。值此之際,公司特別推出 《探秘“芯”世界》系列專題,邀您一同探索半導(dǎo)體的奧秘,...

2025-07-09 標(biāo)簽:二極管功率半導(dǎo)體聞泰科技 1.9k 0

納微半導(dǎo)體GaNFast氮化鎵功率芯片助力一加11 5G版搭配100W超級(jí)閃充上市

? 集成的GaNFast氮化鎵功率芯片讓充電更快、更高效、更便捷。 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體...

2023-02-28 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體一加手機(jī) 1.9k 0

功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)特性測(cè)試挑戰(zhàn)及應(yīng)對(duì)測(cè)試方案

功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)特性測(cè)試挑戰(zhàn)及應(yīng)對(duì)測(cè)試方案

PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì),精益打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng),是一致能夠提供IV,CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng)...

2024-07-23 標(biāo)簽:測(cè)試功率半導(dǎo)體 1.9k 0

芯干線科技2025年第一季度發(fā)展成果

2025年第一季度,南京芯干線科技以第三代半導(dǎo)體技術(shù)為核心驅(qū)動(dòng)力,在AI算力基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)電子快充、高端音響電源及商用儲(chǔ)能領(lǐng)域連破壁壘,成功打入多個(gè)全球...

2025-04-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體碳化硅 1.8k 0

瑞薩收購(gòu)Transphorm,利用GaN技術(shù)擴(kuò)展電源產(chǎn)品陣容

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(以下“瑞薩”,TSE:6723)與全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.(以下“Tran...

2024-01-11 標(biāo)簽:晶圓氮化鎵GaN 1.8k 0

新潔能Gen.4超結(jié)MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹

新潔能Gen.4超結(jié)MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹

超結(jié)MOS采用垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),在漂移區(qū)內(nèi)交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū),形成“超級(jí)結(jié)”單元,通過(guò)電荷補(bǔ)償技術(shù)突破傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體“硅極限”的高壓器件,其核...

2025-05-06 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體新潔能 1.8k 0

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    TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡,經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話,主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)(步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
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    目前手機(jī)快速充電主要分為三大類:VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求,電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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    MAX660
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  • UCD3138
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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