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功率器件

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功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

SGMNM12330 MOSFET：高性能功率器件的卓越之選

SGMNM12330 MOSFET：高性能功率器件的卓越之選在電子工程師的設(shè)計工作中，選擇合適的功率器件至關(guān)重要。SGMICRO 推出的 SGMNM1...

2026-03-20 標簽：MOSFET 功率器件 SGMNM12330 111 0

SiC MOSFET架構(gòu)的類型及其區(qū)別

SiC MOSFET滿足了電力電子行業(yè)對更高效率、更高功率密度以及在極端溫度下運行的要求，其應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋電動汽車（EV）牽引逆變器、可再生能源系統(tǒng)和工業(yè)...

2026-03-19 標簽：MOSFET 半導體功率器件 123 0

變頻器導熱膠 | 高功率器件散熱粘接方案 |鉻銳特實業(yè)

鉻銳特實業(yè)|東莞導熱膠廠家|專業(yè)變頻器散熱導熱膠解決方案，兼具高導熱性能與強力粘接，可有效降低IGBT、SiC等高功率器件結(jié)溫10-30℃，提升變頻器散...

2026-03-19 標簽：功率器件導熱凝膠導熱膠 53 0

碳化硅 (SiC) MOSFET 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)與工程實踐

在電力電子行業(yè)向高效化、高功率密度轉(zhuǎn)型的背景下，碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導體的核心代表，正憑借其優(yōu)異的物理特性重塑功率器件市場格局。電子聚焦新...

2026-03-17 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 275 0

氮化硼墊片在第三代半導體功率器件SiC碳化硅IGBT單管內(nèi)外絕緣應(yīng)用方案

摘要隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，第三代半導體材料SiC碳化硅因其優(yōu)異的物理和電學性能，在IGBT單管等高性能器件中得到了廣泛應(yīng)用。絕緣方案作為影響SiC...

2026-03-07 標簽：IGBT 功率器件 SiC 224 0

新潔能NCE20TD60B IGBT：高性能600V/20A功率開關(guān)

在電力電子領(lǐng)域，功率器件的選擇直接影響著整機效率、可靠性和成本。新潔能（NCE）推出的NCE20TD60B是一款600V/20A的溝槽柵場截止型（Tre...

2026-03-06 標簽：電機驅(qū)動 IGBT 功率器件 349 0

關(guān)于功率器件的熱電偶測量位置指南

半導體集成電路（IC）中的熱特性參數(shù)ΨJT由JEDEC Standard定義，需要測量封裝外面的頂部中央的溫度TT。但是，在分立半導體中不存在這樣的定義...

2026-03-06 標簽：熱電偶功率器件 220 0

CSD17579Q5A 30V N-Channel NexFET? Power MOSFET深度解析

CSD17579Q5A 30V N-Channel NexFET? Power MOSFET深度解析在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其...

2026-03-05 標簽：MOSFET 功率器件 CSD17579Q5A 193 0

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（三）—— 結(jié)溫計算完整流程與工程實用方法

承接前兩講：（一）穩(wěn)態(tài)熱阻Rth（二）熱容、瞬態(tài)熱阻Zth(t)、脈沖溫升這一講進入真正工程化內(nèi)容：從器件datasheet→熱阻網(wǎng)絡(luò)→結(jié)溫計算→裕量判...

2026-03-01 標簽：芯片功率器件熱設(shè)計 119 0

儲能系統(tǒng)中功率器件的應(yīng)用要點及輸出能力分析

作者簡介趙陽（1991），男，工學碩士，英飛凌工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)部門應(yīng)用工程師，主要從事電力電子技術(shù)方面的研究工作。候增全（1997），男，工學碩士，英...

2026-02-25 標簽：功率器件儲能系統(tǒng)電芯 7.1k 0

安森美T2PAK封裝功率器件換流回路設(shè)計建議

T2PAK應(yīng)用筆記重點介紹T2PAK封裝的貼裝及其熱性能的高效利用。內(nèi)容涵蓋以下方面：T2PAK封裝詳解：全面說明封裝結(jié)構(gòu)與關(guān)鍵規(guī)格參數(shù);焊接注意事項：...

2026-02-10 標簽：安森美封裝功率器件 1.2k 0

安森美T2PAK封裝功率器件貼裝方法

T2PAK應(yīng)用筆記重點介紹T2PAK封裝的貼裝及其熱性能的高效利用。內(nèi)容涵蓋以下方面：T2PAK封裝詳解：全面說明封裝結(jié)構(gòu)與關(guān)鍵規(guī)格參數(shù)；焊接注意事項：...

2026-02-05 標簽：封裝功率器件回流焊 1.2萬 0

IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)的應(yīng)用實踐指南 v3.0

以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro系統(tǒng)工程智庫」知識星球-關(guān)于IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用指南，第三次更新-「SysPro|動力系統(tǒng)功能解讀」專欄內(nèi)容，全文155...

2026-01-05 標簽：IGBT 晶體管功率器件 4.8k 0

一文搞懂焊點金脆性問題的成因與破解方案

焊點金脆性是指過量金元素進入焊點后，與錫等形成脆性金屬間化合物，導致焊點韌性下降、易開裂的現(xiàn)象，嚴重影響電子器件在溫循、振動場景下的可靠性。其核心成因是...

2025-12-30 標簽：功率器件錫膏回流焊 626 0

使用鐵氧體磁珠解決EMC噪聲和功率器件柵極振蕩

整機應(yīng)用中，EMC測試是現(xiàn)在必不可少的一個測試環(huán)節(jié)，其中EMC產(chǎn)生的原因和功率器件的振蕩、電源紋波率等息息相關(guān)。隨著生活需求的發(fā)展，電器設(shè)備的小型化、高...

2025-12-30 標簽：磁珠 emc 功率器件 9.6k 0

采用先進碳化硅封裝技術(shù)有效提升系統(tǒng)耐久性

眾多行業(yè)領(lǐng)域的電氣化推動著對高性能功率器件的需求不斷增長，應(yīng)用場景日益多樣，這也給電源設(shè)計工程師帶來了新的挑戰(zhàn)。寬禁帶材料，如碳化硅 (SiC) 和氮化...

2025-12-22 標簽：封裝技術(shù)功率器件碳化硅 5.1k 0

一文帶您看懂如何避免因助焊劑使用不當導致的焊接不良？

助焊劑是電子封裝焊接的關(guān)鍵輔料，使用不當易引發(fā)虛焊、橋連、殘留腐蝕、空洞等不良，嚴重影響器件可靠性。其選用需精準匹配場景：汽車電子需車規(guī)級無鹵助焊劑，耐...

2025-12-20 標簽：汽車電子 BGA 功率器件 1.8k 0

瞻芯電子G2 650V SiC MOSFET的魯棒性驗證試驗

瞻芯電子(IVCT)基于經(jīng)典壽命模型，對大樣本量的第二代(G2)650V SiC MOSFET 進行了魯棒性驗證試驗(Robustness-Valida...

2025-12-18 標簽：MOSFET 功率器件瞻芯電子 6.6k 0

BGA植球中助焊劑的應(yīng)用工序及核心要求

BGA植球中，助焊劑是保障焊球定位與焊接質(zhì)量的核心輔料，僅在焊球放置前的焊盤預處理后集中涂覆，兼具粘結(jié)固定焊球、清除氧化層、防二次氧化的作用。其性能要求...

2025-12-16 標簽：smt BGA 功率器件 2k 0

淺析助焊劑在功率器件封裝焊接中的應(yīng)用匹配要求

本文聚焦助焊劑在功率器件封裝焊接中的應(yīng)用環(huán)節(jié)與匹配要求，其核心作用為清除氧化層、降低焊料表面張力、保護焊點。應(yīng)用環(huán)節(jié)覆蓋焊接前預處理、焊接中成型潤濕、焊...

2025-12-12 標簽：IGBT 功率器件錫膏 5.1k 0

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工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項目之一。該項目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預計達2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學的智慧工廠，在商業(yè)流程及價值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
英偉達

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Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個國家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市。
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以無人駕駛來說，城市中將建造一個巨大的交通共享網(wǎng)，只要拿出手機就能隨時呼叫無人駕駛汽車服務(wù)；交警能精準判斷每一輛汽車去向，更有效地管理交通……
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OpenWrt 可以被描述為一個嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對比一個單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個完全可寫的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
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ARM架構(gòu)過去稱作進階精簡指令集機器（Advanced RISC Machine，更早稱作：Acorn RISC Machine），是一個32位精簡指令集（RISC）處理器架構(gòu)，其廣泛地使用在許多嵌入式系統(tǒng)設(shè)計。
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Qualcomm最新的“龍板”——Qualcomm DragonBoard 410c，是一枚功能極為強大，身材特別小巧的開發(fā)板，它集成了目前最流行的智能手機處理能力，幫您實現(xiàn)對各種智能硬件的天馬行空想象。您可以研用“龍板”實現(xiàn)高清視頻、Wi-Fi/藍牙、多媒體、3D游戲等各項功能。
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OpenCL是一個為異構(gòu)平臺編寫程序的框架，此異構(gòu)平臺可由CPU，GPU或其他類型的處理器組成。OpenCL由一門用于編寫kernels （在OpenCL設(shè)備上運行的函數(shù)）的語言（基于C99）和一組用于定義并控制平臺的API組成。
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嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡稱：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動接口、通信協(xié)議、圖形界面、標準化瀏覽器等。
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　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動計算平臺的基礎(chǔ)，它是一個開放的、可升級的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時地了解目標虛擬機的狀態(tài)，例如查看目標虛擬機上有哪些類和實例等。
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　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計算機一樣。
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麒麟960（kirin 960）是海思半導體有限公司推出的新一代移動設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計費控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
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ARM公司是一家知識產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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OpenStack是一個開源的云計算管理平臺項目，是一系列軟件開源項目的組合。由NASA（美國國家航空航天局）和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起，以Apache許可證（Apache軟件基金會發(fā)布的一個自由軟件許可證）授權(quán)的開源代碼項目。
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MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時稱作分頁內(nèi)存管理單元，它是一種負責處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請求的計算機硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡單的計算機體系結(jié)構(gòu)中，負責總線的仲裁以及存儲體切換。
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OMAP-L138是美國德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點數(shù)字信號處理器（DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計對高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。

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