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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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是德科技Solution Talks寬禁帶半導(dǎo)體(WBG)雙脈沖測(cè)試方案
在億萬(wàn)斯年的歷史長(zhǎng)河中,提出問題與解決問題一直是推動(dòng)人類文明進(jìn)步的主要?jiǎng)恿ΑW鳛樘?yáng)系唯一的文明,人類不斷運(yùn)用智慧解決各種難題,從電、電話、無(wú)線電到計(jì)算...
季豐電子新增功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試方法
季豐電子ATE實(shí)驗(yàn)室最新引進(jìn)了兩臺(tái)雙脈沖測(cè)試儀DPT1000A和Edison,分別覆蓋功率單管和模塊。
2022年世強(qiáng)硬創(chuàng)新產(chǎn)品研討會(huì)年表正式發(fā)布
世強(qiáng)硬創(chuàng)新產(chǎn)品研討會(huì)旨在幫助研發(fā)工程師提升研發(fā)效率,加速產(chǎn)品落地。每年成功舉辦超過30場(chǎng)的會(huì)議,每年全球頂級(jí)供應(yīng)商的高管、技術(shù)專家在線發(fā)布超過500款新...
中芯集成IPO募資125億投建MEMS和功率器件芯片制造及封裝測(cè)試生產(chǎn)基地
中芯集成是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的特色工藝晶圓代工企業(yè),主要從事MEMS和功率器件等領(lǐng)域的晶圓代工及模組封測(cè)業(yè)務(wù),為客戶提供一站式系統(tǒng)代工解決方案;而且中芯集成也是目...
國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)趨勢(shì)
主驅(qū)采用碳化硅,綜合損耗比硅器件降低70%,行程里程提升約5%。在OBC上采用碳化硅,器件數(shù)量減半,意味著被動(dòng)器件直接減半,且配套的驅(qū)動(dòng)電路也減少了,體...
2023-11-20 標(biāo)簽:新能源汽車驅(qū)動(dòng)電路功率器件 2.2k 0
揚(yáng)杰科技榮獲“2023年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)
2024年7月22-24日,第十八屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)暨2024年中國(guó)半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在四川成都盛大召開。本屆年會(huì)由中...
2024-07-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件揚(yáng)杰科技 2.2k 0
賀利氏攜手復(fù)旦大學(xué),開展第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵封裝技術(shù)科研項(xiàng)目合作
雙方將聚焦先進(jìn)封裝、電力電子封裝和器件、材料表征測(cè)試等領(lǐng)域,開展多個(gè)科研項(xiàng)目,內(nèi)容豐富,希望在功率器件封裝與先進(jìn)封裝方面有所突破,進(jìn)而加速第三代半導(dǎo)體技...
中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新史步入一個(gè)新紀(jì)元
英諾賽科主要產(chǎn)品為30V-650V氮化鎵功率器件、功率模塊和射頻器件等,產(chǎn)品覆蓋面為全球氮化鎵企業(yè)之首。公司的IDM產(chǎn)業(yè)化模式及其首創(chuàng)的8英寸硅基氮化鎵...
傾佳電子戶儲(chǔ)與工商業(yè)混合逆變器功率器件從IGBT向SiC MOSFET全面轉(zhuǎn)型的驅(qū)動(dòng)因素深度研究報(bào)告
傾佳電子戶儲(chǔ)與工商業(yè)混合逆變器功率器件從IGBT向SiC MOSFET全面轉(zhuǎn)型的驅(qū)動(dòng)因素深度研究報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功...
2025-11-28 標(biāo)簽:IGBT功率器件SiC MOSFET 2.2k 0
硅功率器件要想獲得市場(chǎng)規(guī)模應(yīng)該怎么做
硅功率器件現(xiàn)正開始達(dá)到其性能改進(jìn)被抑制的階段,不可避免的結(jié)論是來(lái)自硅進(jìn)一步支持的技術(shù)演進(jìn)的能力逐漸減弱。現(xiàn)在明確地需要實(shí)質(zhì)上的具有顛覆性的技術(shù)。
利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長(zhǎng)SiC和AlN晶體
近日,第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)在廈門國(guó)際會(huì)議中心召開。期間在“碳化硅襯底、外延...
天狼芯的 SiC 產(chǎn)品尚未實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)
深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“天狼芯半導(dǎo)體”)宣布獲得數(shù)千萬(wàn)人民幣 A 輪融資,由青島大有資本領(lǐng)投,創(chuàng)享投資跟投。資金將主要用于晶圓采購(gòu)、產(chǎn)品生產(chǎn)...
碳化硅革新電力電子,以下是關(guān)于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法的詳細(xì)介紹,結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價(jià)值,助力電力電子領(lǐng)域的革新。
2025-02-05 標(biāo)簽:MOSFET功率器件功率半導(dǎo)體 2.2k 0
看領(lǐng)先功率器件企業(yè)上海貝嶺如何推進(jìn)國(guó)產(chǎn)化之路
【嗶哥嗶特導(dǎo)讀】《半導(dǎo)體器件應(yīng)用網(wǎng)》特別欄目——"走進(jìn)企業(yè)"。今天,我們將帶您走進(jìn)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先功率器件企業(yè)——上海貝嶺,一起探討其成功之...
300nm晶圓首次用于制造功率器件,英飛凌推出超結(jié)MOSFET
英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)(Super Junction)構(gòu)造的功率MOSFET“CoolM...
SiC碳化硅功率器件產(chǎn)品線和硅基產(chǎn)品線介紹
碳化硅功率器件涵蓋碳化硅裸芯片,碳化硅二極管和碳化硅MOSFET,還要碳化硅模塊。我們重點(diǎn)介紹一下碳化硅二極管和碳化硅MOSFET。碳化硅二極管除了確保...
目前,常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氧化鈹(BeO)、碳化硅(SiC)等。那么,誰(shuí)才是最有發(fā)...
2023-04-13 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體器件陶瓷材料 2.1k 0
森國(guó)科斬獲年度最具影響力獎(jiǎng)項(xiàng)榮譽(yù)
6月28日,SEMI-e第六屆深圳國(guó)際半導(dǎo)體展在深圳國(guó)際會(huì)展中心4/6/8號(hào)館圓滿落幕。本次展會(huì)精心設(shè)置了三館六大區(qū),涵蓋了芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造與封裝、半...
SiC功率模塊中微米級(jí)Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展
功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的及時(shí)導(dǎo)出成為保證功率器件性能及可靠性的關(guān)鍵。
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