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功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件資訊

是德科技Solution Talks寬禁帶半導(dǎo)體(WBG)雙脈沖測(cè)試方案

在億萬(wàn)斯年的歷史長(zhǎng)河中,提出問題與解決問題一直是推動(dòng)人類文明進(jìn)步的主要?jiǎng)恿ΑW鳛樘?yáng)系唯一的文明,人類不斷運(yùn)用智慧解決各種難題,從電、電話、無(wú)線電到計(jì)算...

2023-03-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體脈沖功率器件 2.2k 0

季豐電子新增功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試方法

季豐電子新增功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試方法

季豐電子ATE實(shí)驗(yàn)室最新引進(jìn)了兩臺(tái)雙脈沖測(cè)試儀DPT1000A和Edison,分別覆蓋功率單管和模塊。

2023-12-05 標(biāo)簽:IGBT功率器件脈沖測(cè)試 2.2k 0

2022年世強(qiáng)硬創(chuàng)新產(chǎn)品研討會(huì)年表正式發(fā)布

世強(qiáng)硬創(chuàng)新產(chǎn)品研討會(huì)旨在幫助研發(fā)工程師提升研發(fā)效率,加速產(chǎn)品落地。每年成功舉辦超過30場(chǎng)的會(huì)議,每年全球頂級(jí)供應(yīng)商的高管、技術(shù)專家在線發(fā)布超過500款新...

2022-01-27 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體功率器件 2.2k 0

中芯集成IPO募資125億投建MEMS和功率器件芯片制造及封裝測(cè)試生產(chǎn)基地

中芯集成是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的特色工藝晶圓代工企業(yè),主要從事MEMS和功率器件等領(lǐng)域的晶圓代工及模組封測(cè)業(yè)務(wù),為客戶提供一站式系統(tǒng)代工解決方案;而且中芯集成也是目...

2023-04-06 標(biāo)簽:mems功率器件 2.2k 0

國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)趨勢(shì)

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主驅(qū)采用碳化硅,綜合損耗比硅器件降低70%,行程里程提升約5%。在OBC上采用碳化硅,器件數(shù)量減半,意味著被動(dòng)器件直接減半,且配套的驅(qū)動(dòng)電路也減少了,體...

2023-11-20 標(biāo)簽:新能源汽車驅(qū)動(dòng)電路功率器件 2.2k 0

揚(yáng)杰科技榮獲“2023年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)

2024年7月22-24日,第十八屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)暨2024年中國(guó)半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在四川成都盛大召開。本屆年會(huì)由中...

2024-07-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件揚(yáng)杰科技 2.2k 0

賀利氏攜手復(fù)旦大學(xué),開展第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵封裝技術(shù)科研項(xiàng)目合作

雙方將聚焦先進(jìn)封裝、電力電子封裝和器件、材料表征測(cè)試等領(lǐng)域,開展多個(gè)科研項(xiàng)目,內(nèi)容豐富,希望在功率器件封裝與先進(jìn)封裝方面有所突破,進(jìn)而加速第三代半導(dǎo)體技...

2021-01-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體摩爾定律封裝技術(shù) 2.2k 0

中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新史步入一個(gè)新紀(jì)元

英諾賽科主要產(chǎn)品為30V-650V氮化鎵功率器件、功率模塊和射頻器件等,產(chǎn)品覆蓋面為全球氮化鎵企業(yè)之首。公司的IDM產(chǎn)業(yè)化模式及其首創(chuàng)的8英寸硅基氮化鎵...

2020-09-22 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體功率器件 2.2k 0

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2025-11-28 標(biāo)簽:IGBT功率器件SiC MOSFET 2.2k 0

硅功率器件要想獲得市場(chǎng)規(guī)模應(yīng)該怎么做

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硅功率器件現(xiàn)正開始達(dá)到其性能改進(jìn)被抑制的階段,不可避免的結(jié)論是來(lái)自硅進(jìn)一步支持的技術(shù)演進(jìn)的能力逐漸減弱。現(xiàn)在明確地需要實(shí)質(zhì)上的具有顛覆性的技術(shù)。

2020-09-01 標(biāo)簽:功率器件GaN 2.2k 0

利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長(zhǎng)SiC和AlN晶體

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近日,第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)在廈門國(guó)際會(huì)議中心召開。期間在“碳化硅襯底、外延...

2023-12-09 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體功率器件 2.2k 0

天狼芯的 SiC 產(chǎn)品尚未實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)

深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“天狼芯半導(dǎo)體”)宣布獲得數(shù)千萬(wàn)人民幣 A 輪融資,由青島大有資本領(lǐng)投,創(chuàng)享投資跟投。資金將主要用于晶圓采購(gòu)、產(chǎn)品生產(chǎn)...

2021-02-14 標(biāo)簽:新能源半導(dǎo)體晶圓 2.2k 0

SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法介紹

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碳化硅革新電力電子,以下是關(guān)于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法的詳細(xì)介紹,結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價(jià)值,助力電力電子領(lǐng)域的革新。

2025-02-05 標(biāo)簽:MOSFET功率器件功率半導(dǎo)體 2.2k 0

看領(lǐng)先功率器件企業(yè)上海貝嶺如何推進(jìn)國(guó)產(chǎn)化之路

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【嗶哥嗶特導(dǎo)讀】《半導(dǎo)體器件應(yīng)用網(wǎng)》特別欄目——"走進(jìn)企業(yè)"。今天,我們將帶您走進(jìn)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先功率器件企業(yè)——上海貝嶺,一起探討其成功之...

2023-11-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件上海貝嶺 2.2k 0

300nm晶圓首次用于制造功率器件,英飛凌推出超結(jié)MOSFET

英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)(Super Junction)構(gòu)造的功率MOSFET“CoolM...

2013-02-25 標(biāo)簽:MOSFET晶圓功率器件 2.2k 0

SiC碳化硅功率器件產(chǎn)品線和硅基產(chǎn)品線介紹

SiC碳化硅功率器件產(chǎn)品線和硅基產(chǎn)品線介紹

碳化硅功率器件涵蓋碳化硅裸芯片,碳化硅二極管和碳化硅MOSFET,還要碳化硅模塊。我們重點(diǎn)介紹一下碳化硅二極管和碳化硅MOSFET。碳化硅二極管除了確保...

2023-02-21 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 2.1k 0

誰(shuí)才是最有發(fā)展前途的封裝材料呢?

目前,常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氧化鈹(BeO)、碳化硅(SiC)等。那么,誰(shuí)才是最有發(fā)...

2023-04-13 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體器件陶瓷材料 2.1k 0

實(shí)驗(yàn)室內(nèi)如何去除MOSFET封裝

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如何在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)去除MOSFET的環(huán)氧樹脂以及鋁層

2022-07-12 標(biāo)簽:PCBMOSFET功率器件 2.1k 0

森國(guó)科斬獲年度最具影響力獎(jiǎng)項(xiàng)榮譽(yù)

6月28日,SEMI-e第六屆深圳國(guó)際半導(dǎo)體展在深圳國(guó)際會(huì)展中心4/6/8號(hào)館圓滿落幕。本次展會(huì)精心設(shè)置了三館六大區(qū),涵蓋了芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造與封裝、半...

2024-06-29 標(biāo)簽:封裝功率器件碳化硅 2.1k 0

SiC功率模塊中微米級(jí)Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展

SiC功率模塊中微米級(jí)Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展

功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的及時(shí)導(dǎo)出成為保證功率器件性能及可靠性的關(guān)鍵。

2023-12-13 標(biāo)簽:功率器件SBDSiC 2.1k 0

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    麒麟960(kirin 960)是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動(dòng)設(shè)備芯片,麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心,小核心為A53,組成四大四小的big.LITTLE組合,GPU為Mali G71 MP8。
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題

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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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