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標(biāo)簽 > 威兆半導(dǎo)體
威兆半導(dǎo)體始終聚焦功率器件研發(fā)與應(yīng)用技術(shù)研究,憑借多年的科研攻關(guān)已成為少數(shù)同時(shí)具備低壓、中壓、高壓全系列功率MOSFET/IGBT單管、模塊以及特殊半導(dǎo)體制程設(shè)計(jì)能力的先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司。產(chǎn)品涵蓋傳統(tǒng)硅基及第三代化合物半導(dǎo)體SiC和GaN,并廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電源、汽車電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源、通信等
威兆半導(dǎo)體遞表港交所,WLCSP技術(shù)引領(lǐng)功率半導(dǎo)體新發(fā)展
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近期,威兆半導(dǎo)體首次向港交所遞交招股書(shū),廣發(fā)證券為獨(dú)家保薦人。威兆半導(dǎo)體是中國(guó)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體器件
2026-03-02 標(biāo)簽: wlcsp 6487 0
選型手冊(cè):VSP011N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP011N10MS-G是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封
選型手冊(cè):HCKD5N65BM2 高速 IGBT 分立器件
威兆半導(dǎo)體推出的HCKD5N65BM2是一款650V高壓高速IGBT(搭配反并聯(lián)二極管),采用TO-252封裝,適配電機(jī)
選型手冊(cè):VS1606GS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS1606GS是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配中壓小型
選型手冊(cè):VS3620GPMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3620GPMC是一款面向30V低壓超大功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封
選型手冊(cè):VS1605ATM N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS1605ATM是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適
選型手冊(cè):VSP002N03MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP002N03MS-G是一款面向30V低壓超大功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5
選型手冊(cè):VSP007N07MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP007N07MS是一款面向80V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適
選型手冊(cè):VSO009N06MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSO009N06MS-G是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配
選型手冊(cè):VS4020AS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS4020AS是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用小型封裝(圖中未明確具體型號(hào)
深圳市威兆半導(dǎo)體股份有限公司成立于2012年,總部位于深圳市南山智園崇文園區(qū),在珠海、上海、天津、香港、韓國(guó)水原等地設(shè)有研發(fā)中心及辦事處,是國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)和國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)。
自成立以來(lái),威兆半導(dǎo)體始終聚焦功率器件研發(fā)與應(yīng)用技術(shù)研究,憑借多年的科研攻關(guān)已成為少數(shù)同時(shí)具備低壓、中壓、高壓全系列功率MOSFET/IGBT單管、模塊以及特殊半導(dǎo)體制程設(shè)計(jì)能力的先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司。產(chǎn)品涵蓋傳統(tǒng)硅基及第三代化合物半導(dǎo)體SiC和GaN,并廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電源、汽車電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源、通信等領(lǐng)域。
威兆半導(dǎo)體一直堅(jiān)定不移地提升研發(fā)技術(shù)、供應(yīng)鏈技術(shù)整合、品質(zhì)管控、技術(shù)行銷等綜合能力,堅(jiān)持以卓越的質(zhì)量和持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新為客戶創(chuàng)造價(jià)值,打造一流功率半導(dǎo)體價(jià)值運(yùn)營(yíng)體系,服務(wù)全球一流價(jià)值客戶。
選型手冊(cè):VSP011N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP011N10MS-G是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配中壓大功率電源管理、DC...
2026-01-06 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 800 0
選型手冊(cè):HCKD5N65BM2 高速 IGBT 分立器件
威兆半導(dǎo)體推出的HCKD5N65BM2是一款650V高壓高速IGBT(搭配反并聯(lián)二極管),采用TO-252封裝,適配電機(jī)驅(qū)動(dòng)、風(fēng)扇驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基...
2026-01-06 標(biāo)簽:分立器件MOS威兆半導(dǎo)體 356 0
選型手冊(cè):VS1606GS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS1606GS是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配中壓小型電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)...
2026-01-06 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 411 0
選型手冊(cè):VS3620GPMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3620GPMC是一款面向30V低壓超大功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓超大電流電源管理、D...
2026-01-06 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 364 0
選型手冊(cè):VS1605ATM N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS1605ATM是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配中壓大功率電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等...
2026-01-04 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 620 0
選型手冊(cè):VSP002N03MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP002N03MS-G是一款面向30V低壓超大功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓超大電流電源管...
2026-01-04 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 341 0
選型手冊(cè):VSP007N07MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP007N07MS是一款面向80V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配中壓大功率電源管理、DC/DC...
2026-01-04 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 351 0
選型手冊(cè):VSO009N06MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSO009N06MS-G是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配低壓小型電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域...
2026-01-04 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 283 0
選型手冊(cè):VS4020AS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS4020AS是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用小型封裝(圖中未明確具體型號(hào),推測(cè)為SOP類小封裝),適配低...
2025-12-31 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 1.9k 0
選型手冊(cè):VSO011N06MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSO011N06MS是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配低壓小型電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一...
2025-12-31 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 1.6k 0
威兆半導(dǎo)體遞表港交所,WLCSP技術(shù)引領(lǐng)功率半導(dǎo)體新發(fā)展
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近期,威兆半導(dǎo)體首次向港交所遞交招股書(shū),廣發(fā)證券為獨(dú)家保薦人。威兆半導(dǎo)體是中國(guó)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體器件提供商,始終專注于高性能功率半導(dǎo)...
2026-03-02 標(biāo)簽:wlcsp威兆半導(dǎo)體 6.5k 0
選型手冊(cè):VS3698AD-K 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3698AD-K是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用TO-252封裝,適...
2025-12-16 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 761 0
選型手冊(cè):VS3510AD P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AD是一款面向30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用TO-252封裝,適配低壓電源的高側(cè)開(kāi)...
2025-12-16 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 386 0
選型手冊(cè):VS3510AS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AS是一款面向30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用SOP8封裝,適配低壓電源的負(fù)載開(kāi)關(guān)、...
2025-12-16 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 457 0
選型手冊(cè):VS4603GPHT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS4603GPHT是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)...
2025-12-16 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 367 0
選型手冊(cè):VS3618AD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AD是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用TO-252封裝,適配低壓中功率電源管...
2025-12-15 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 489 0
VS3615GE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3615GE是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能,適配低...
2025-12-03 標(biāo)簽:MOSFETMOS威兆半導(dǎo)體 412 0
選型手冊(cè):VS40200AT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS40200AT是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB直插封裝,憑借超低導(dǎo)通電阻與200...
2025-12-03 標(biāo)簽:MOSFETMOS威兆半導(dǎo)體 511 0
威兆半導(dǎo)體發(fā)布新一代高性能SiC MOSFET
在近日舉行的elexcon2024深圳國(guó)際電子展上,威兆半導(dǎo)體震撼發(fā)布了其全新一代高性能碳化硅(SiC)MOSFET——HCF2030MR70KH0,該...
發(fā)力新能源汽車和儲(chǔ)能市場(chǎng),威兆半導(dǎo)體推出新一代700V SiC MOSFET
8月27日,在Elexcon2024深圳國(guó)際電子展上,威兆半導(dǎo)體正式發(fā)布了全新一代高性能碳化硅(SiC)MOSFET HCF2030MR70KH0,這款...
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