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威兆半導(dǎo)體

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威兆半導(dǎo)體始終聚焦功率器件研發(fā)與應(yīng)用技術(shù)研究，憑借多年的科研攻關(guān)已成為少數(shù)同時具備低壓、中壓、高壓全系列功率MOSFET/IGBT單管、模塊以及特殊半導(dǎo)體制程設(shè)計能力的先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)計公司。產(chǎn)品涵蓋傳統(tǒng)硅基及第三代化合物半導(dǎo)體SiC和GaN，并廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電源、汽車電子、電機(jī)驅(qū)動、工業(yè)電源、通信等

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威兆半導(dǎo)體技術(shù)

選型手冊：VSP011N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

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選型手冊：VSP002N03MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

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2026-01-04 標(biāo)簽：晶體管 MOS 威兆半導(dǎo)體 342 0

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選型手冊：VSO009N06MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

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選型手冊：VS4020AS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

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2025-12-31 標(biāo)簽：晶體管 MOS 威兆半導(dǎo)體 1.6k 0

選型手冊：VS6412AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

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2025-12-31 標(biāo)簽：晶體管 MOS 威兆半導(dǎo)體 1.5k 0

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2025-12-31 標(biāo)簽：晶體管 MOS 威兆半導(dǎo)體 1.5k 0

選型手冊：VS4604AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

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選型手冊：VSP003N06MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

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