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工藝技術

淺談軍工產(chǎn)品的設計工藝性

選擇元器件時應優(yōu)先考慮國產(chǎn)化的元器件，避免選擇國外定制或敏感度較高的器件，一旦發(fā)生突發(fā)狀況，將影響元器件的采購。原材料的選擇應從材料的物理和化學特性多方...

2023-02-07 標簽：元器件工藝輕量化 2.4k 0

什么是金屬共晶鍵合

金屬共晶鍵合是利用金屬間的化學反應，在較低溫度下通過低溫相變而實現(xiàn)的鍵合，鍵合后的金屬化合物熔點高于鍵合溫度。該定義更側重于從材料科學的角度定義。

2025-03-04 標簽：晶圓工藝鍵合 2.4k 0

通孔電鍍填孔工藝研究與優(yōu)化

為了提高高密度互連印制電路板的導電導熱性和可靠性，實現(xiàn)通孔與盲孔同時填孔電鍍的目的，以某公司已有的電鍍填盲孔工藝為參考，適當調整填盲孔電鍍液各組分濃度，...

2025-04-18 標簽：pcb 印制電路板工藝 2.4k 0

定向自組裝光刻技術的基本原理和實現(xiàn)方法

定向自組裝光刻技術通過材料科學與自組裝工藝的深度融合，正在重構納米制造的工藝組成。主要內容包含圖形結構外延法、化學外延法及圖形轉移技術。

2025-05-21 標簽：工藝制造納米 2.4k 0

頂層金屬AI工藝的制造流程

頂層金屬 AI工藝是指形成頂層金屬 AI 互連線。因為 Cu很容易在空氣中氧化，形成疏松的氧化銅，而且不會形成保護層防止銅進一步氧化，另外，Cu 是軟金...

2024-11-25 標簽：晶圓工藝光刻膠 2.4k 0

MOS集成電路設計中的等比例縮小規(guī)則

本文介紹了MOS集成電路中的等比例縮小規(guī)則和超大規(guī)模集成電路的可靠性問題。

2025-04-02 標簽：芯片集成電路工藝 2.4k 0

連接器生產(chǎn)數(shù)控車床的工藝

數(shù)控機床有許多種型號、規(guī)格和不同的性能，不同類型的機床有著不同的用途：數(shù)控車床適用于加工精度要求高、表面粗糙度好、形狀比較復雜的回轉類的軸類、盤類零件和...

2022-03-17 標簽：工藝數(shù)控車床 2.4k 0

先進封裝中TSV工藝需要的相關設備

Hello,大家好，我們來分享下先進封裝中TSV需要的相關設備。

2025-02-19 標簽：工藝 TSV 先進封裝 2.3k 0

InAs/GaSb II類超晶格長波焦平面陣列臺面ICP刻蝕技術研究

基于GaSb材料，包括InAs、GaSb、AlSb等材料可以靈活地設計成各種新型材料和器件，尤其是InAs/GaSb超晶格具有獨特的II型能帶結構，可以...

2022-11-29 標簽：工藝晶格 ICP 2.3k 0

淺談PCB表面處理工藝

PCB表面處理最基本的目的是保證良好的可焊性或電性能。由于自然界的銅在空氣中傾向于以氧化物的形式存在，不大可能長期保持為原銅，因此需要對銅進行其他處理。

2023-07-03 標簽：pcb 印刷電路板工藝 2.3k 0

氧化硅薄膜和氮化硅薄膜工藝詳解

氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。

2025-06-24 標簽：CMOS 單片機工藝 2.3k 0

成型、表面加工、連接、切割等4類120+工藝大匯總

模內裝飾鑲嵌注塑，簡稱IML，它是指在填充的同時，對塑料件表面進行印刷與裝飾，來提高塑料制品的附加價值，及提升生產(chǎn)效率。其工藝非常顯著的特點是：表面是一...

2023-06-19 標簽：工藝切割 IML 2.3k 0

邏輯集成電路制造中良率提升與缺陷查找

本文介紹了邏輯集成電路制造中有關良率提升以及對各種失效的分析。

2025-02-26 標簽：集成電路 MOSFET 工藝 2.3k 0

有源區(qū)工藝的制造過程

有源區(qū)工藝是指通過刻蝕去掉非有源區(qū)的區(qū)域的硅襯底，而保留器件的有源區(qū)。

2024-10-31 標簽：晶圓工藝光刻 2.3k 0

詳解化學鎳沉積技術的沉積過程

本文報道了這種化學鎳的形成，包括在100pm以下的模具,通過掃描電鏡檢查，研究了各種預處理刻蝕過程和鋅酸鹽活化對最終化學鎳碰撞質量的影響，以幫助詳細了解...

2022-05-13 標簽：工藝晶片刻蝕 2.2k 0

一文詳解BSIM-SOI模型

隨著半導體工藝進入納米尺度，傳統(tǒng)體硅（Bulk CMOS）技術面臨寄生電容大、閂鎖效應等瓶頸。SOI技術憑借埋氧層（BOX）的物理隔離優(yōu)勢，成為航空航天...

2025-09-22 標簽：工藝 SPICE 模型 2.2k 0

TSV制造技術里的關鍵界面材料與工藝

在TSV制造技術中，既包含TSV制造技術中通孔刻蝕與絕緣層的相關內容。

2025-08-01 標簽：工藝制造技術 TSV 2.2k 0

碳化硅薄膜沉積技術介紹

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化...

2025-02-05 標簽：半導體薄膜工藝 2.2k 0

源漏離子注入工藝的制造流程

與亞微米工藝類似，源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重摻雜的工藝，降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻，提高器件的速度。同時源漏離子注入也會形成n型和p型阱接...

2024-11-09 標簽：晶圓工藝離子注入 2.2k 0

SiC的離子注入工藝及其注意事項

離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域導電性控制。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。

2024-11-09 標簽：工藝制造 SiC 2.2k 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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