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標(biāo)簽 > 工藝
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熱平衡等離子體中,電子和離子的能量服從玻爾茲曼分布(見下圖)。電容耦合型等離子體源的平均電子能量為2?3eV。等離子體中離子能量主要取決于反應(yīng)室的溫度,...
2022-12-12 標(biāo)簽:等離子體工藝半導(dǎo)體制造 2.7k 0
低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù)是一種新型多層基板工藝技術(shù),采用了獨特的材料體系,因其燒結(jié)溫度低,可與金屬導(dǎo)體共燒,從而提高了電子器件性能。該技術(shù)已廣泛應(yīng)用...
SiP封裝是指將多個不同芯片集成在同一個封裝體內(nèi),形成一個器件系統(tǒng),以實現(xiàn)多功能、小尺寸、高性能、低成本的目標(biāo)。由于使用倒裝等不同的互連工藝,它可以分為...
與亞微米工藝類似,側(cè)墻工藝是指形成環(huán)繞多晶硅的氧化介質(zhì)層,從而保護(hù)LDD 結(jié)構(gòu),防止重?fù)诫s的源漏離子注入到LDD結(jié)構(gòu)的擴展區(qū)。側(cè)墻是由兩個主要工藝步驟形...
華大九天Empyrean GoldMask平臺重構(gòu)掩模版數(shù)據(jù)處理方案
對芯片產(chǎn)業(yè)鏈上的光罩廠、設(shè)計公司而言,掩模版數(shù)據(jù)處理環(huán)節(jié)的效率與精度,直接決定著產(chǎn)品能否如期上市、良率能否達(dá)標(biāo)、成本能否可控。當(dāng)芯片工藝向更先進(jìn)節(jié)點跨越...
ALD 和 ALE 是微納制造領(lǐng)域的核心工藝技術(shù),它們分別從沉積和刻蝕兩個維度解決了傳統(tǒng)工藝在精度、均勻性、選擇性等方面的挑戰(zhàn)。兩者既互補又相輔相成,未...
LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)
本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹,重點解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn),并結(jié)合不同工藝條件對材...
隨著生產(chǎn)裝置的大型化,生產(chǎn)工藝向高溫、高壓、高速的方向發(fā)展,出現(xiàn)泄漏的機會越來越多,發(fā)生事故的概率越來越大,造成的經(jīng)濟損失也越來越大。往往一處法蘭的泄漏...
由下圖可以看出當(dāng)氣體密度較高時MFP較短(a);而當(dāng)氣體密度較低時,MFP就較長(b)。大粒子的截面積較大,掃過的空間也較大。與一般或較小的離子相比,大...
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