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對于亞微米或深亞微米 ULSI 的制造,完全抑制在硅晶片表面產(chǎn)生的顆粒和污染非常重要。清潔需求的傳統(tǒng)概念是使用化學(xué)成分(APM、氨和過氧化氫混合物)發(fā)揮...
本文介紹了新型的全化學(xué)晶片清洗技術(shù),研究它們是否可以提供更低的水和化學(xué)消耗的能力,能否提供每種技術(shù)的工藝應(yīng)用、清潔機(jī)制、工藝效益以及考慮因素、環(huán)境、安全...
UV激光具有將一個(gè)完整孔的工藝步驟減至1種單獨(dú)的激光工序的能力,特別是取消了對去鉆污的需求,甚至完全可以不用這一工序,尤其是對于脈沖圖形電鍍。不需要使用...
一種制備PS層的超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻方法
本文采用超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層,利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu),用該方法可以制備質(zhì)量因...
磁控濺射(Magnetron Sputtering)是一種廣泛應(yīng)用的物理氣相沉積(PVD)工藝,是制造半導(dǎo)體、磁盤驅(qū)動(dòng)器和光學(xué)膜層的主要薄膜沉積方法。其...
2026-02-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝磁控濺射系統(tǒng) 800 0
半導(dǎo)體封裝框架的外部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
封裝框架的外部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),核心包含聯(lián)筋(Dambar)與假腳(False leads)兩大關(guān)鍵部分,以下將針對各設(shè)計(jì)要素及技術(shù)要求展開詳細(xì)說明。
功能測試正日益更多地用于生產(chǎn)線后工序中,甚至也用于進(jìn)行工藝中段的測試,但是其體系和實(shí)施方法與以前的測試幾乎已完全不同。如今的測試系統(tǒng)在多數(shù)情況下速度更快...
2023-08-16 標(biāo)簽:工藝測試系統(tǒng)PCB設(shè)計(jì) 657 0
利用Solido Design Environment準(zhǔn)確預(yù)測SRAM晶圓良率
晶圓級 SRAM 實(shí)測數(shù)據(jù)表明:由存取干擾導(dǎo)致的位失效數(shù)量,與單純基于本征器件波動(dòng)的預(yù)測結(jié)果存在顯著偏差。失效分析表明,SRAM 位單元 NFET 存在...
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