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微弧氧化又稱微等離子體氧化,是通過(guò)電解液與相應(yīng)電參數(shù)的組合,在鋁、鎂、鈦及其合金表面依靠弧光放電產(chǎn)生的瞬時(shí)高溫高壓作用,生長(zhǎng)出以基體金屬氧化物為主的陶瓷膜層。
在電機(jī)制造中,同樣的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)和同一批原材料所制成的產(chǎn)品,其質(zhì)量往往有相差很大的現(xiàn)象(鐵耗值相差可達(dá)40%,線圈絕緣耐壓強(qiáng)度相差可達(dá)80%,電機(jī)的使用壽命...
使用虛擬實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)加速半導(dǎo)體工藝發(fā)展
實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)是半導(dǎo)體工程研發(fā)中一個(gè)強(qiáng)大的概念,它是研究實(shí)驗(yàn)變量敏感性及其對(duì)器件性能影響的利器。如果DOE經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì),工程師就可以使用有限的實(shí)驗(yàn)晶...
涂布后,所得抗蝕劑膜將含有 20-40% 重量的溶劑。后應(yīng)用烘烤過(guò)程,也稱為軟烘烤或預(yù)烘烤,包括在旋涂后通過(guò)去除多余的溶劑來(lái)干燥光刻膠。減少溶劑含量的主...
硅片鍵合作為微機(jī)械加工領(lǐng)域的核心技術(shù),其工藝分類與應(yīng)用場(chǎng)景的精準(zhǔn)解析對(duì)行業(yè)實(shí)踐具有重要指導(dǎo)意義。
硅晶圓揀選測(cè)試作為半導(dǎo)體制造流程中的關(guān)鍵質(zhì)量控制環(huán)節(jié),旨在通過(guò)系統(tǒng)性電氣檢測(cè)篩選出功能異常的芯片。該測(cè)試體系主要包含直流特性分析、輸出驅(qū)動(dòng)能力驗(yàn)證和功能...
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開(kāi)設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...
Ludovic是一款同向嚙合雙螺桿擠出全工藝仿真軟件,分析材料在擠出工藝中的演變以及優(yōu)化工藝。通過(guò)仿真,Ludovic可在短時(shí)間內(nèi)計(jì)算出材料在雙螺桿擠出...
熱沖壓工藝(Hot Stamping)近年來(lái)在汽車制造域越來(lái)越流行,以前較高端車型使用的熱沖壓件才超過(guò)白車身重量的30%,而現(xiàn)在大部分的新能源車都可以做...
MACE工藝制備黑硅的表面形態(tài)學(xué)和光學(xué)性能研究
本文研究了用兩步金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)工藝制備的黑硅(b-Si)的表面形態(tài)學(xué)和光學(xué)性能,研究了銀膜低溫退火和碳硅片蝕刻時(shí)間短的兩步MACE法制備硼...
SiC的物理特性決定了其生長(zhǎng)難度。在常壓環(huán)境下,SiC并無(wú)熔點(diǎn),一旦溫度攀升至2000℃以上,便會(huì)直接發(fā)生氣化分解現(xiàn)象。從理論層面預(yù)測(cè),只有在壓強(qiáng)高達(dá)1...
如何處理?yè)闲噪娐?,適應(yīng)不同系統(tǒng)間的在線傳送帶傳輸?
將表面貼裝元件直接集成到撓性電路的蝕刻銅焊盤(pán)圖形上,與剛性電路板的組裝工藝沒(méi)有什么不同。然而為了最大限度地提高機(jī)器人組裝效率,提高撓性電路的產(chǎn)量,電路設(shè)...
2023-02-09 標(biāo)簽:電路板電路設(shè)計(jì)工藝 1.4k 0
DFM(Design for Manufacturability,可制造性設(shè)計(jì));是指產(chǎn)品設(shè)計(jì)需要滿足產(chǎn)品制造的工藝要求,具有良好的可制造性,使得產(chǎn)品以...
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