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工藝

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工藝技術(shù)

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TGV(Through Glass Via)和TSV(Through Silicon Via)是兩種用于實現(xiàn)不同層面之間電氣連接的技術(shù)。

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2023-06-13 標(biāo)簽:pcb工藝線路板 2.1k 0

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壓印光刻是許多新興應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù),例如微光學(xué)、增強現(xiàn)實、MEMS和光電傳感器;但它是什么以及它是如何工作的?

2022-07-25 標(biāo)簽:傳感器工藝光刻 2.1k 0

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半導(dǎo)體裝置為了達(dá)成附加值高的系統(tǒng)LSI,需要高集成化,高速化,這其中新的布線材料,絕緣膜是不可缺少的。其中,具有低電阻的Cu,作為布線材料受到關(guān)注?;瘜W(xué)...

2022-04-26 標(biāo)簽:晶圓工藝CMP 2.1k 0

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本文介紹了在緩沖氧化物腐蝕(BOE)溶液中溫度對氮化物和氧化物層腐蝕速率的影響。明確的框架結(jié)構(gòu)和減少的蝕刻時間將提高制造過程的生產(chǎn)率,該方法從圖案化氮化...

2022-05-05 標(biāo)簽:工藝蝕刻氧化物 2.1k 0

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2023-06-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體薄膜工藝 2.1k 0

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提供了一種在單個晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法。該方法開始于向設(shè)置在襯底上方的鄰近頭提供第一加熱流體。然后,在基板的表面和鄰近頭的相對表面之間產(chǎn)生...

2022-03-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓工藝 2.1k 0

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本文簡單介紹了芯片離子注入后退火會引入的工藝問題:射程末端(EOR)缺陷、硼離子注入退火問題和磷離子注入退火問題。

2025-04-23 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體工藝 2.1k 0

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隨著線條寬度的不斷縮小,為了防止膠上圖形出現(xiàn)太大的深寬比,提高對比度,應(yīng)該采用很薄的光刻膠。但薄膠會遇到耐腐蝕性的問題。由此開發(fā)出了 雙層光刻膠技術(shù),這...

2024-10-21 標(biāo)簽:芯片工藝光刻膠 2.1k 0

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目前,鋰離子電池用三元正極材料NCM111、NCM523和NCM622已投入量產(chǎn)用。從正極材料的角度而言,鎳含量的上升會導(dǎo)致三元材料中Li/Ni混排的加...

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IMD1工藝是什么意思

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在之前的文章中我們已經(jīng)對集成電路工藝的可靠性進行了簡單的概述,本文將進一步探討集成電路前段工藝可靠性。

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本文介紹了晶圓清洗的污染源來源、清洗技術(shù)和優(yōu)化。

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數(shù)控車床是一種高精度、高效率的自動化機床,使用數(shù)控車床可以提高加工效益,創(chuàng)造更多的價值,數(shù)控車床的出現(xiàn)使企業(yè)擺脫了那落后的加工技術(shù),數(shù)控車床加工的工藝與...

2025-01-22 標(biāo)簽:工藝數(shù)控車床 2k 0

什么是埋阻埋容工藝?

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粘片作為芯片與管殼間實現(xiàn)連接和固定的關(guān)鍵工序,達(dá)成了封裝對于芯片的固定功能,以及芯片背面電連接功能。在行業(yè)里,這一工序常被叫做粘片。由于其核心作用是固定...

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2022-04-14 標(biāo)簽:工藝氮化鎵蝕刻 2k 0

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ME-Pro是概倫電子自主研發(fā)的用于聯(lián)動集成電路工藝與設(shè)計的創(chuàng)新性驗證評估平臺,為集成電路設(shè)計、CAD、工藝開發(fā)、SPICE模型和PDK專業(yè)從業(yè)人員提供...

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詳解晶圓級可靠性評價技術(shù)

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隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升,可靠性要求與測試成本及時間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級可靠性(Wafer Level Reliability, WLR)技術(shù)通過...

2025-03-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓封裝 1.9k 0

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    802.11ac與11基站測試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對基站設(shè)備電氣性能所進行的測量。n的區(qū)別,802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動,802.11n怎么安裝。
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