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晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

集成電路IC封裝的術(shù)語解析

EDA設(shè)計(jì)中經(jīng)常會(huì)用到各種各樣的芯片，這些芯片通過一個(gè)外殼支架上引腳連接線路板上的導(dǎo)線和其他器件相連，這種外殼支架就稱為集成電路的封裝形式，芯片的晶圓通...

2023-05-06 標(biāo)簽：芯片集成電路晶圓 3.7k 0

半導(dǎo)體封裝的發(fā)展趨勢(shì)、結(jié)構(gòu)及類型

經(jīng)過半導(dǎo)體制造（FAB）工序制備的電路圖形化晶圓容易受溫度變化、電擊、化學(xué)和物理性外部損傷等各種因素的影響。為了彌補(bǔ)這些弱點(diǎn)，將芯片與晶圓分離后再進(jìn)行包...

2023-07-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓封裝 3.7k 0

晶圓表面缺陷類型和測(cè)量方法

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓堪稱核心基石，其表面質(zhì)量直接關(guān)乎芯片的性能、可靠性與良品率。

2025-05-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓電子束 3.7k 0

采用三種刻蝕方法制備黑硅材料

本文采用飛秒激光蝕刻法、深反應(yīng)離子蝕刻法和金屬催化化學(xué)蝕刻法制備了黑硅，研究發(fā)現(xiàn)，在400~2200nm的波長內(nèi)，光的吸收顯著增強(qiáng)，其中飛秒激光用六氟化...

2022-04-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕 3.7k 0

簡(jiǎn)述SiP項(xiàng)目成功的三要素

裸芯片(die,bare die,bare chip)，通常是指半導(dǎo)體元器件制造完成，封裝之前的產(chǎn)品形式。裸芯片通常是以晶圓形式(wafer form)...

2023-05-19 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體元器件 3.7k 0

晶圓背面研磨(Back Grinding)工藝簡(jiǎn)介

經(jīng)過前端工藝處理并通過晶圓測(cè)試的晶圓將從背面研磨（Back Grinding）開始后端處理。背面研磨是將晶圓背面磨薄的工序，其目的不僅是為了減少晶圓厚度...

2023-05-12 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 3.7k 0

Wolfspeed碳化硅產(chǎn)品在惡劣環(huán)境中實(shí)現(xiàn)更優(yōu)系統(tǒng)耐久性

可靠性是測(cè)量或方法的一致性。可靠性對(duì)我們行業(yè)的重要性再怎么強(qiáng)調(diào)也不為過。然而，一個(gè)必要的、可以帶來可靠性階躍式提升的概念討論得較少：即我們 Wolfsp...

2025-12-09 標(biāo)簽：晶圓 SiC 碳化硅 3.6k 0

芯片內(nèi)部，如何互聯(lián)？

隨著摩爾定律的放緩，芯粒（Chiplet）和異構(gòu)集成 (HI：heterogenous integration) 提供了一種令人信服的方式來繼續(xù)改進(jìn)性能...

2023-02-02 標(biāo)簽：芯片 cpu 晶圓 3.6k 0

如何在中試線上生產(chǎn)一片8英寸碳化硅襯底？

從實(shí)際情況上看，目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進(jìn)行生產(chǎn)，而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍，這也就意味著8英寸制造將會(huì)在很大程度上降...

2023-06-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 SiC 3.6k 0

半導(dǎo)體晶圓制程中“粒子缺陷（Particle Defect）”的詳解；

【博主簡(jiǎn)介】本人系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識(shí)。常言：...

2025-09-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 3.6k 0

CMP拋光墊有哪些重要指標(biāo)？

CMP（Chemical Mechanical Polishing）即“化學(xué)機(jī)械拋光”，是為了克服化學(xué)拋光和機(jī)械拋光的缺點(diǎn)

2023-12-05 標(biāo)簽：晶圓 CMP 3.6k 0

離子注入涉及到的隧道效應(yīng)為什么需要7°角？

隧道效應(yīng)，又稱溝道效應(yīng)，對(duì)晶圓進(jìn)行離子注入時(shí)，當(dāng)注入離子的方向與晶圓的某個(gè)晶向平行時(shí)，其運(yùn)動(dòng)軌跡將不再是無規(guī)則的碰撞，而是將沿溝道（原子之間的縫隙）運(yùn)動(dòng)...

2024-01-08 標(biāo)簽：晶圓單晶硅 3.6k 0

半導(dǎo)體制備中晶圓凹槽（Notch）與定位邊（Flat）工藝的詳解

同行都知道：晶圓，它是微電子產(chǎn)業(yè)的行業(yè)術(shù)語之一，英文稱作：Wafer。其中，高純度的硅（純度，99.99......，小數(shù)點(diǎn)后面9-11個(gè)9），一般被做...

2025-10-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 Notch 3.6k 0

一個(gè)晶圓被分割成多個(gè)半導(dǎo)體芯片的工藝

一個(gè)晶圓要經(jīng)歷三次的變化過程，才能成為一個(gè)真正的半導(dǎo)體芯片

2023-07-04 標(biāo)簽：pcb 晶圓 WLCSP封裝 3.6k 0

SiC MOSFET和SiC SBD的優(yōu)勢(shì)

下面將對(duì)于SiC MOSFET和SiC SBD兩個(gè)系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹

2023-11-01 標(biāo)簽：MOSFET 晶圓 SiC 3.6k 0

薄膜制造法、堆疊法—薄膜堆疊制造流程

在熱氧化法中，將矽放入高溫氧化爐，在氧氣與蒸氣的環(huán)境中使矽與氧產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，長成二氧化矽膜。

2024-04-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓反應(yīng)器 3.6k 0

電化學(xué)沉積技術(shù)在集成電路行業(yè)有哪些應(yīng)用呢？

電化學(xué) 沉積技術(shù)，簡(jiǎn) 稱 ECD（Electrical Chemical Deposition）技術(shù)，也是應(yīng)用于半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)行業(yè)的電鍍技術(shù)...

2023-11-29 標(biāo)簽：集成電路晶圓 CMP 3.6k 0

半導(dǎo)體工藝之生產(chǎn)力和工藝良率

晶圓實(shí)際被加工的時(shí)間可以以天為單位來衡量。但由于在工藝站點(diǎn)的排隊(duì)以及由于工藝問題導(dǎo)致的臨時(shí)減速，晶圓通常在制造區(qū)域停留數(shù)周。晶圓等待的時(shí)間越長，增加了污...

2024-07-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓模型 3.5k 0

激光與碳化硅相互作用的機(jī)理及應(yīng)用

本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理，并重點(diǎn)對(duì)碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片...

2023-05-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光晶圓 3.5k 0

半導(dǎo)體產(chǎn)品制造的八個(gè)步驟

當(dāng)聽到“半導(dǎo)體”這個(gè)詞時(shí)，你會(huì)想到什么？它聽起來復(fù)雜且遙遠(yuǎn)，但其實(shí)已經(jīng)滲透到我們生活的各個(gè)方面：從智能手機(jī)、筆記本電腦、信用卡到地鐵，我們?nèi)粘Ｉ钏蕾?..

2023-08-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓封裝 3.5k 0

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東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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