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晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

CP測試與FT測試的區(qū)別

在集成電路（IC）制造與測試過程中，CP（ChipProbing，晶圓探針測試）和FT（FinalTest，最終測試）是兩個(gè)重要的環(huán)節(jié)，它們承擔(dān)了不同的...

2024-11-02 標(biāo)簽：集成電路測試晶圓 2.7k 0

柵氧化層工藝的制造流程

與亞微米工藝類似，柵氧化層工藝是通過熱氧化形成高質(zhì)量的柵氧化層，它的熱穩(wěn)定性和界面態(tài)都非常好。

2024-11-05 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 2.7k 0

什么是晶圓級(jí)扇出封裝技術(shù)

晶圓級(jí)扇出封裝（FO-WLP）通過環(huán)氧樹脂模塑料（EMC）擴(kuò)展芯片有效面積，突破了扇入型封裝的I/O密度限制，但其技術(shù)復(fù)雜度呈指數(shù)級(jí)增長。

2025-06-05 標(biāo)簽：芯片晶圓封裝 2.7k 0

LTCC/HTCC基板在晶圓測試探針卡中的應(yīng)用

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的制造流程上，主要可分成IC設(shè)計(jì)、晶圓制程、晶圓測試及晶圓封裝四大步驟。其中所謂的晶圓測試，就是對(duì)晶圓上的每顆晶粒進(jìn)行電性特性檢測，以檢測...

2023-05-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 LTCC 2.7k 0

SiC外延生長技術(shù)的生產(chǎn)過程及注意事項(xiàng)

SiC外延生長技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），本文簡...

2024-11-14 標(biāo)簽：晶圓功率器件 SiC 2.7k 0

采用臨界粒子雷諾數(shù)方法去除晶圓表面的粘附顆粒

化學(xué)機(jī)械平面化后的葉片清洗，特別是刷子擦洗，是半導(dǎo)體器件制造的一個(gè)關(guān)鍵步驟，尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評(píng)估在刷擦洗過程中去除晶圓表面的粘附...

2022-05-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓顆粒 2.7k 0

晶圓需求暴增，晶圓廠如何快速增加晶圓產(chǎn)量？

大多數(shù)成熟的晶圓廠都知道他們有性能問題，需要更多關(guān)于根源的信息。為了開發(fā)解決其特定問題的解決方案，他們必須超越一般化，并確定在工具級(jí)別出現(xiàn)瓶頸的方式和位置。

2022-09-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 2.7k 0

國產(chǎn)CVD設(shè)備在4H-SiC襯底上的同質(zhì)外延實(shí)驗(yàn)

SiC薄膜生長方法有多種，其中化學(xué)氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較...

2023-06-19 標(biāo)簽：新能源汽車晶圓 SiC 2.7k 0

晶圓制備工藝與清洗工藝介紹

晶圓制備是材料科學(xué)、熱力學(xué)與精密控制的綜合體現(xiàn)，每一環(huán)節(jié)均凝聚著工程技術(shù)的極致追求。而晶圓清洗本質(zhì)是半導(dǎo)體工業(yè)與污染物持續(xù)博弈的縮影，每一次工藝革新都在...

2025-05-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓清洗工藝 2.6k 0

第四篇：了解不同類型的半導(dǎo)體封裝（第二部分）

想象一下，在一個(gè)由多棟低層樓房組成的住宅綜合體內(nèi)，若要容納數(shù)千名居民，則需要占據(jù)非常大的面積才能滿足需求。

2024-01-25 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器晶圓半導(dǎo)體封裝 2.6k 0

一文詳解晶圓級(jí)封裝與多芯片組件

晶圓級(jí)封裝（WLP）與多芯片組件（MCM）作為先進(jìn)封裝的“雙引擎”，前者在晶圓未切割時(shí)即完成再布線與凸點(diǎn)制作，以“封裝即制造”實(shí)現(xiàn)芯片級(jí)尺寸、70 μm...

2025-10-13 標(biāo)簽：芯片晶圓封裝 2.6k 0

照亮半導(dǎo)體創(chuàng)新之路

上海2024年9月5日?/美通社/ -- 全球半導(dǎo)體行業(yè)正處于爆炸性增長的軌道上，預(yù)計(jì)到2030年市場規(guī)模將達(dá)到驚人的1萬億美元（2023年超過5000...

2024-09-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器晶圓 2.6k 0

簡單認(rèn)識(shí)晶圓減薄技術(shù)

在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度，以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，避免彎曲變形，并為芯片制造工藝提供操作便利。不同規(guī)格晶圓的原始厚...

2025-05-09 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 2.6k 0

混合鍵合工藝介紹

所謂混合鍵合（hybrid bonding），指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過金屬互連的混合鍵合工藝，來實(shí)現(xiàn)三維集成，在Hybrid Bo...

2025-06-03 標(biāo)簽：芯片晶圓工藝 2.6k 0

晶圓背面涂覆技術(shù)在 IC封裝中的應(yīng)用

摘要：論述了傳統(tǒng)的集成電路裝片工藝面臨的挑戰(zhàn)以及現(xiàn)有用DAF膜（DieAttachmentFilm，裝片膠膜）技術(shù)進(jìn)行裝片的局限性；介紹了一種先進(jìn)的、通...

2023-12-30 標(biāo)簽：集成電路晶圓 IC封裝 2.6k 0

五彩斑斕的芯片晶圓：不僅僅是科技的結(jié)晶

在半導(dǎo)體行業(yè)中，芯片晶圓是核心組件，而在展示這些精密的科技產(chǎn)品時(shí)，人們常常會(huì)發(fā)現(xiàn)它們呈現(xiàn)出五彩斑斕的外觀。這一現(xiàn)象并非偶然，而是由多種因素共同作用的結(jié)果...

2024-08-12 標(biāo)簽：芯片晶圓半導(dǎo)體封裝 2.6k 0

芯片的封裝工藝科普

芯片的封裝工藝始于將晶圓分離成單個(gè)的芯片。劃片有兩種方法：劃片分離或鋸片分離。

2023-11-09 標(biāo)簽：芯片晶圓封裝工藝 2.6k 0

背金工藝的工藝流程

本文介紹了背金工藝的工藝流程。本文將解析一下背金工藝的具體的工藝流程及每步的工藝原理。背金工藝的工藝流程 ? 如上圖，步驟為： ? tape→gri...

2025-02-12 標(biāo)簽：晶圓工藝 2.6k 0

光刻可制造性檢查如何檢測掩模版質(zhì)量

隨著工藝節(jié)點(diǎn)不斷變小，掩模版制造難度日益增加，耗費(fèi)的資金成本從數(shù)十萬到上億，呈指數(shù)級(jí)增長，同時(shí)生產(chǎn)掩模版的時(shí)間成本也大幅增加。如果不能在制造掩模版前就保...

2023-11-02 標(biāo)簽：探測器晶圓光刻 2.6k 0

掩模工藝中硬烘培的操作方法及顯影檢驗(yàn)

硬烘培溫度的上限以光刻膠流動(dòng)點(diǎn)而定。光刻膠有像塑料的性質(zhì)，當(dāng)加熱時(shí)會(huì)變軟并可流動(dòng)。當(dāng)光刻膠流動(dòng)時(shí)，圖案尺寸便會(huì)改變。當(dāng)在顯微鏡下觀察光刻膠流動(dòng)時(shí)，將會(huì)明...

2020-02-29 標(biāo)簽：晶圓光刻 2.6k 0

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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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晶圓

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