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晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

晶圓邊緣需要鋪滿電路的原因分析

本文簡單介紹了在晶圓制造過程中，晶圓邊緣需要鋪滿電路的原因。晶圓制造工藝是半導(dǎo)體生產(chǎn)中的關(guān)鍵步驟，晶圓的邊緣區(qū)域?qū)φ麄€制造過程和成品良率具有重要影響。...

2024-12-31 標簽：電路晶圓 2.4k 0

半導(dǎo)體芯片需要做哪些測試

首先我們需要了解芯片制造環(huán)節(jié)做?款芯片最基本的環(huán)節(jié)是設(shè)計->流片->封裝->測試，芯片成本構(gòu)成?般為人力成本20%，流片40%，封裝3...

2025-05-09 標簽：測試晶圓半導(dǎo)體芯片 2.4k 0

什么是金屬共晶鍵合

金屬共晶鍵合是利用金屬間的化學(xué)反應(yīng)，在較低溫度下通過低溫相變而實現(xiàn)的鍵合，鍵合后的金屬化合物熔點高于鍵合溫度。該定義更側(cè)重于從材料科學(xué)的角度定義。

2025-03-04 標簽：晶圓工藝鍵合 2.4k 0

一種新型的硅基亞波長光柵耦合器設(shè)計

近日，天津大學(xué)精密儀器與光電子工程學(xué)院的光子芯片實驗室與深圳大學(xué)合作，設(shè)計開發(fā)了一種新型的硅基亞波長光柵耦合器，可以同時實現(xiàn)超高再現(xiàn)性、超寬帶寬、超低反...

2024-07-23 標簽：光柵晶圓耦合器 2.4k 0

氮化鎵的晶體學(xué)濕式化學(xué)蝕刻法

目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生...

2023-11-24 標簽：半導(dǎo)體晶圓晶圓蝕刻 2.4k 0

半導(dǎo)體芯片封裝工藝介紹

半導(dǎo)體芯片在作為產(chǎn)品發(fā)布之前要經(jīng)過測試以篩選出有缺陷的產(chǎn)品。每個芯片必須通過的 “封裝”工藝才能成為完美的半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝主要作用是電氣連接和保護半導(dǎo)體...

2024-01-17 標簽：晶圓封裝倒裝芯片 2.4k 0

晶圓生產(chǎn)的目標及術(shù)語介紹

芯片的制造分為原料制作、單晶生長和晶圓的制造、集成電路晶圓的生產(chǎn)和集成電路的封裝階段。本節(jié)主要講解集成電路封裝階段的部分。集成電路晶圓生產(chǎn)是在晶...

2023-05-06 標簽：芯片集成電路晶圓 2.4k 0

頂層金屬AI工藝的制造流程

頂層金屬 AI工藝是指形成頂層金屬 AI 互連線。因為 Cu很容易在空氣中氧化，形成疏松的氧化銅，而且不會形成保護層防止銅進一步氧化，另外，Cu 是軟金...

2024-11-25 標簽：晶圓工藝光刻膠 2.4k 0

GaAs晶圓的清洗和表面處理工藝

GaAs晶圓作為常用的一類晶圓，在半導(dǎo)體功率芯片和光電子芯片都有廣泛應(yīng)用。而如何處理好該類晶圓的清洗和進一步的鈍化工作是生產(chǎn)工藝過程中需要關(guān)注的點。

2024-10-30 標簽：半導(dǎo)體晶圓 GaAs 2.4k 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡述(2)

嚴重的離子轟擊將產(chǎn)生大量的熱量，所以如果沒有適當?shù)睦鋮s系統(tǒng)，晶圓溫度就會提高。對于圖形化刻蝕，晶圓上涂有一層光刻膠薄膜作為圖形屏蔽層，如果晶圓溫度超過1...

2023-03-06 標簽：半導(dǎo)體等離子體晶圓 2.4k 0

濕式化學(xué)蝕刻法制備硅片微孔

微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨特的性質(zhì)，特別是，當用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強烈的共振。然而，...

2023-05-25 標簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 2.4k 0

半導(dǎo)體晶片的測試—晶圓針測制程的確認

將制作在晶圓上的許多半導(dǎo)體，一個個判定是否為良品，此制程稱為“晶圓針測制程”。

2024-04-19 標簽：半導(dǎo)體晶圓電源線 2.3k 0

如何在芯片中減少光刻膠的使用量

光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對于需要長時間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場景，較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時間。

2024-03-04 標簽：晶圓光刻膠 2.3k 0

什么是線刻蝕干法線刻蝕的常見形貌介紹

刻蝕過程中形成幾乎完全垂直于晶圓表面的側(cè)壁，是一種各向異性的刻蝕。刻蝕后的側(cè)壁非常垂直，底部平坦。這是理想的刻蝕形態(tài)，它能夠非常精確地復(fù)制掩膜上的圖案。

2024-03-27 標簽：晶圓刻蝕 2.3k 0

干法蝕刻異向機制的原理解析

無偏差的刻蝕過程，我們稱之為各向異性刻蝕。為了更清晰地理解這一過程，我們可以將其拆解為幾個基本環(huán)節(jié)。首先，第一個環(huán)節(jié)是刻蝕氣體的處理，這些氣體在等離子體...

2024-12-17 標簽：晶圓刻蝕 2.3k 0

單晶圓系統(tǒng)的多晶硅沉積方法

單晶圓系統(tǒng)也能進行多晶硅沉積。這種沉積方法的好處之一在于能夠臨場進行多晶硅和鎢硅化物沉積。DRAM芯片中通常使用由多晶硅-鈞硅化物形成的疊合型薄膜作為柵...

2022-09-30 標簽：多晶硅晶圓 2.3k 0

離子在非晶態(tài)材料內(nèi)的投影射程

離子在非晶態(tài)材料內(nèi)的投影射程通常遵循高斯分布，即所謂的常態(tài)分布。單晶硅中的晶格原子整齊排列，而且在特定的角度具有很多通道。

2023-05-15 標簽：晶圓 2.3k 0

半導(dǎo)體行業(yè)|復(fù)合機器人晶圓盒轉(zhuǎn)運及上下料解決方案

經(jīng)世智能半導(dǎo)體行業(yè)晶圓盒轉(zhuǎn)運復(fù)合機器人，復(fù)合機器人在半導(dǎo)體行業(yè)主要應(yīng)用于晶圓盒轉(zhuǎn)運、機臺上下料等環(huán)節(jié)，通過“AGV移動底盤+協(xié)作機械臂+視覺系統(tǒng)&...

2025-08-13 標簽：半導(dǎo)體機器人晶圓 2.3k 0

南大高力波組堆垛生長晶圓級二維材料范德華超導(dǎo)異質(zhì)結(jié)

近期，南京大學(xué)物理學(xué)院高力波教授課題組和南方科技大學(xué)林君浩副教授課題組緊密合作，在晶圓級二維材料范德華異質(zhì)結(jié)的可控制備領(lǐng)域取得最新進展，相關(guān)研究成果以“...

2023-09-14 標簽：晶圓 2.3k 0

季豐電子極速封裝線磨劃能力介紹

季豐電子極速封裝車間擁有千級無塵化磨劃生產(chǎn)線、一支經(jīng)驗豐富的磨劃團隊以及全套的先進設(shè)備，致力于為客戶提供優(yōu)質(zhì)高效的一站式磨劃服務(wù)。

2023-12-28 標簽：晶圓封裝工藝流程 2.3k 0

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