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晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

半導(dǎo)體封裝互連技術(shù)詳解

一般的半導(dǎo)體封裝都類似于下面的結(jié)構(gòu)，將裸片安裝到某個基板上，裸片的引腳通過內(nèi)部連接路徑與基板相連，通過塑封將內(nèi)部封裝好后，基板再通過封裝提供的外部連接路...

2023-02-24 標簽：三極管晶圓半導(dǎo)體封裝 2.1k 0

通過表面分析評估Cu-CMP工藝

半導(dǎo)體裝置為了達成附加值高的系統(tǒng)LSI，需要高集成化，高速化，這其中新的布線材料，絕緣膜是不可缺少的。其中，具有低電阻的Cu，作為布線材料受到關(guān)注?；瘜W(xué)...

2022-04-26 標簽：晶圓工藝 CMP 2.1k 0

一種在單個晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法

提供了一種在單個晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法。該方法開始于向設(shè)置在襯底上方的鄰近頭提供第一加熱流體。然后，在基板的表面和鄰近頭的相對表面之間產(chǎn)生...

2022-03-22 標簽：半導(dǎo)體晶圓工藝 2.1k 0

Cu CMP后清洗中添加劑對顆粒粘附和去除的影響

引言 Cu作為深度亞微米的多電級器件材料，由于其電阻低、電遷移電阻高和電容降低，與鋁相比的時間延遲。本文從理論和實驗上研究了檸檬酸基銅化學(xué)機械平坦化后二...

2021-12-29 標簽：半導(dǎo)體晶圓晶片 2.1k 0

針對去離子水在晶片表面處理的應(yīng)用的研究

隨著半導(dǎo)體科技的發(fā)展，在固態(tài)微電子器件制造中，人們對清潔基底表面越來越重視。濕法清洗一般使用無機酸、堿和氧化劑，以達到去除光阻劑、顆粒、輕有機物、金屬污...

2023-06-05 標簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 2.1k 0

晶圓外緣為什么不利用-邊緣去除法

觀察矽晶圓的外緣，可以發(fā)現(xiàn)有如圖4-6-1所示的邊緣磨邊加工。此種針對外緣進行磨邊的加工，一般稱為“導(dǎo)角（beve-ling）。

2024-05-11 標簽：半導(dǎo)體晶圓 2.1k 0

晶圓級立方碳化硅單晶生長研究進展

碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在新能源汽車、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。與目前應(yīng)用廣泛的4H-...

2024-01-16 標簽：晶圓晶體管 SiC 2.1k 0

集成電路封裝關(guān)鍵流程：由晶圓到成品芯片

封裝測試為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心環(huán)節(jié)之一，指將經(jīng)過測試的晶圓加工成獨立芯片的過程，主要分為封裝與測試兩個環(huán)節(jié)。

2024-01-25 標簽：集成電路半導(dǎo)體晶圓 2.1k 0

晶圓級多層堆疊技術(shù)的可靠性管理

5D 封裝和 3D 封裝是兩種常用的晶圓級多層堆疊技術(shù)。2. 5D 封裝是將芯片封裝到 Si 中介層上，并利用 Si 中介層上的高密度走線進行互連。

2022-09-22 標簽：半導(dǎo)體晶圓封裝技術(shù) 2.1k 0

晶圓封裝過程缺陷解析

在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓測試是確保產(chǎn)品質(zhì)量和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。與此同時封裝過程中的缺陷對半導(dǎo)體器件的性能和可靠性具有重要影響，本文就上述兩個方面進行介紹。

2024-11-04 標簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 2.1k 0

半導(dǎo)體行業(yè)之晶圓制造與封裝概述（一）

在本章當中，我們將為大家介紹硅片制造中使用的四種基本工藝，這四種基本工藝常用于在晶圓片表面上加工集成電路(IC)的電子元件。

2024-01-15 標簽：半導(dǎo)體晶圓集成電路IC 2.1k 0

半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新案例

當技術(shù)優(yōu)化的整體方法包括芯片設(shè)計、封裝和產(chǎn)品級相互依賴性時，產(chǎn)品、設(shè)計、封裝、工藝和器件相互依賴性的整體方法，以提高研發(fā)效率和價值創(chuàng)造

2023-10-07 標簽：晶圓芯片設(shè)計半導(dǎo)體器件 2.1k 0

晶圓為什么要減薄

300mm晶圓的厚度為775um，200mm晶圓的度為725um，這個厚度在實際封裝時太厚了。前段制程中晶圓要被處理、要在設(shè)備內(nèi)和設(shè)備間傳送，這時候上面...

2024-12-24 標簽：晶圓封裝 2.1k 0

什么是晶圓切割與框架內(nèi)貼片

在半導(dǎo)體制造的精密工藝鏈條中，芯片切割作為晶圓級封裝的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其技術(shù)演進與設(shè)備精度直接關(guān)系到芯片良率與性能表現(xiàn)；框架內(nèi)貼片作為連接芯片與封裝體的核心環(huán)...

2025-11-05 標簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 2.1k 0

MEMS的相關(guān)術(shù)語及MEMS芯片制造過程

ALD是Atomic Layer Deposition（原子層沉積）的縮寫，是通過重復(fù)進行材料供應(yīng)（前體）和排氣，利用與基板之間的表面反應(yīng)，分步逐層沉積...

2022-10-11 標簽：mems 晶圓 2.1k 0

芯片和先進封裝的制程挑戰(zhàn)和解決方案

當今世界，人工智能的迅猛發(fā)展已經(jīng)成為熱門話題，當人們都在關(guān)注它將如何改變我們未來生活的時候，身處芯片業(yè)的工程師們開始關(guān)注如何在有限的物理空間內(nèi)，將芯片的...

2024-09-25 標簽：芯片晶圓 chiplet 2.1k 0

imec與Pulsify Medical打造用于心臟監(jiān)測的概念驗證醫(yī)療貼片

通過向人體發(fā)射高頻聲波并將其回波轉(zhuǎn)換為電信號，可以構(gòu)建體內(nèi)實時圖像。通過超聲成像對子宮內(nèi)的胎兒進行非侵入性可視化已得到廣泛認可。除了醫(yī)學(xué)成像，超聲波還可...

2023-09-11 標簽：顯示器晶圓貼片 2.1k 0

背面供電選項：一項DTCO研究

來源：IMEC Imec強調(diào)了背面供電在高性能計算方面的潛力，并評估了背面連接的選項背面供電：下一代邏輯的游戲規(guī)則改變者背面供電打破了在硅晶圓正面處...

2023-09-05 標簽：芯片晶圓供電 2.1k 0

三維集成電路與晶圓級3D集成介紹

微電子技術(shù)的演進始終圍繞微型化、高效性、集成度與低成本四大核心驅(qū)動力展開，封裝技術(shù)亦隨之從傳統(tǒng)TSOP、CSP、WLP逐步邁向系統(tǒng)級集成的PoP、SiP...

2025-10-21 標簽：集成電路晶圓封裝 2.1k 0

芯片內(nèi)部有多小呢？芯片內(nèi)部為什么能這么?。? /></a>
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芯片內(nèi)部有多小呢？芯片內(nèi)部為什么能這么小？

芯片藏身于城市中隨處可見的電子設(shè)備，智能手機、電腦、家電等都離不開它的控制。

2024-03-12 標簽：晶圓晶體管芯片制造 2.1k 0

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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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