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晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱(chēng)為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

晶圓制造業(yè)的特點(diǎn)

單晶硅棒的直徑是由籽晶拉出的速度和旋轉(zhuǎn)速度決定的，一般來(lái)說(shuō)，上拉速率越慢，生長(zhǎng)的單晶硅棒直徑越大。而切出的晶圓片的厚度與直徑有關(guān)，雖然半導(dǎo)體器件的制備只...

2019-10-14 標(biāo)簽：集成電路晶圓制造業(yè) 3k 0

晶圓熱處理目的及主要制程

半導(dǎo)體制造過(guò)程的熱處理，指的是將矽晶圓放置在充滿(mǎn)氮?dú)猓∟2）或氫氣（Ar2）等惰性氣體環(huán)境中施予熱能的處理。

2024-04-15 標(biāo)簽：晶圓熱處理半導(dǎo)體制造 3k 0

多晶硅柵工藝的制造流程

與亞微米工藝類(lèi)似，多晶硅柵工藝是指形成 MOS器件的多晶硅柵極，柵極的作用是控制器件的關(guān)閉或者導(dǎo)通。淀積的多晶硅是未摻雜的，它是通過(guò)后續(xù)的源漏離子注入進(jìn)...

2024-11-07 標(biāo)簽：晶圓工藝 MOS 3k 0

晶圓上的‘凸’然驚喜：甲酸回流工藝大揭秘

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓級(jí)凸點(diǎn)制作是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，對(duì)于提高集成電路的集成度和性能具有重要意義。其中，甲酸回流工藝作為一種重要的凸點(diǎn)制作方法，因其具有工藝簡(jiǎn)...

2024-11-07 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體封裝回流 3k 0

一文讀懂 | 晶圓圖Wafer Maps：半導(dǎo)體數(shù)據(jù)可視化的核心工具

在精密復(fù)雜的半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，海量數(shù)據(jù)的有效解讀是提升產(chǎn)能、優(yōu)化良率的關(guān)鍵。數(shù)據(jù)可視化技術(shù)通過(guò)直觀呈現(xiàn)信息，幫助工程師快速識(shí)別問(wèn)題、分析規(guī)律，而晶圓圖正是...

2025-08-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓可視化 3k 0

淺談碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工，包括長(zhǎng)晶、切割、研磨拋光、沉積外延；第二部分芯片加工，這部分跟硅基IGBT類(lèi)似。

2024-01-25 標(biāo)簽：晶圓功率半導(dǎo)體碳化硅 3k 0

半導(dǎo)體制程前端技術(shù)的概覽和氧化工藝

MOSFET結(jié)構(gòu)的核心就是柵極（Gate）。MOSFET與BJT晶體管不同，柵極不與電流溝道（S與D的中間部分）直接接觸，只是“間接”發(fā)揮作用。

2023-06-11 標(biāo)簽：電子元器件 MOSFET 晶圓 2.9k 0

簡(jiǎn)述晶圓減薄的幾種方法

減薄晶片有四種主要方法，(1)機(jī)械研磨，(2)化學(xué)機(jī)械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學(xué)蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研...

2023-05-09 標(biāo)簽：等離子體晶圓蝕刻 2.9k 0

氫氟酸在晶圓中的作用是什么

硅在暴露在空氣中時(shí)會(huì)形成一層氧化硅（SiO2）層。在許多制程步驟中，如在熱處理過(guò)程之前，需要移除這層氧化硅。氫氟酸是唯一能夠有效清洗硅片表面氧化硅的化學(xué)...

2023-08-02 標(biāo)簽：晶圓熱處理 SiO2 2.9k 0

氮化鎵技術(shù)的壁壘是什么氮化鎵晶體管工作原理

氮化鎵晶體管型號(hào)參數(shù)主要包括電壓限值、電流密度、功率密度、效率、溫度系數(shù)、漏電流、漏電壓、抗電磁干擾能力等。

2023-02-14 標(biāo)簽：晶圓晶體管氮化鎵 2.9k 0

p+硅上的鍍鎳：接觸的表征

為了提高鍍鎳層的粘附性，從而降低接觸電阻率，介紹了兩種分離的鍍鎳工藝，即“兩步鍍鎳”。在這個(gè)過(guò)程中，證明了接觸電阻率約為0.6 mΩcm2的窄而銳利的譜...

2023-04-19 標(biāo)簽：太陽(yáng)能半導(dǎo)體晶圓 2.9k 0

IGBT芯片技術(shù)的發(fā)展

加工技術(shù)：IGBT芯片的加工技術(shù)包括晶圓制備、摻雜、光刻、腐蝕、沉積等方面。加工技術(shù)的發(fā)展可以提高芯片的制造精度和一致性。例如，采用新型的晶圓制備技術(shù)，...

2023-02-20 標(biāo)簽：晶圓光刻 igbt芯片 2.9k 0

CMOS工藝流程簡(jiǎn)介

互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）技術(shù)是現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)的核心，它利用了N型和P型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的互補(bǔ)特性來(lái)實(shí)現(xiàn)低功耗的電子...

2025-05-23 標(biāo)簽：CMOS 半導(dǎo)體晶圓 2.9k 0

芯片封裝的主要生產(chǎn)過(guò)程

封裝的主要生產(chǎn)過(guò)程包括：晶圓切割，將晶圓上每一晶粒加以切割分離。粘晶，（Die-Attach）將切割完成的晶粒放置在導(dǎo)線(xiàn)架上。焊線(xiàn)，（WireBond）...

2024-04-12 標(biāo)簽：集成電路晶圓 BGA 2.9k 0

基于TSV的3D-IC關(guān)鍵集成技術(shù)

3D-IC通過(guò)采用TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了不同層芯片之間的垂直互連。這種設(shè)計(jì)顯著提升了系統(tǒng)集成度，同時(shí)有效地...

2025-02-21 標(biāo)簽：芯片 IC 晶圓 2.9k 0

詳解超高密度互連的InFO封裝技術(shù)

InFO-R作為基礎(chǔ)架構(gòu)，采用"芯片嵌入+RDL成型"的工藝路徑。芯片在晶圓級(jí)基板上完成精準(zhǔn)定位后，通過(guò)光刻工藝直接在芯片表面構(gòu)建多...

2025-09-01 標(biāo)簽：芯片晶圓先進(jìn)封裝 2.9k 0

詳解芯片封裝的工藝步驟

芯片封裝是半導(dǎo)體制造過(guò)程中至關(guān)重要的一步，它不僅保護(hù)了精密的硅芯片免受外界環(huán)境的影響，還提供了與外部電路連接的方式。通過(guò)一系列復(fù)雜的工藝步驟，芯片從晶圓...

2025-08-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓芯片封裝 2.9k 0

先進(jìn)封裝之芯片熱壓鍵合簡(jiǎn)介

回顧過(guò)去五六十年，先進(jìn)邏輯芯片性能基本按照摩爾定律來(lái)提升。提升的主要?jiǎng)恿?lái)自三極管數(shù)量的增加來(lái)實(shí)現(xiàn)，而單個(gè)三極管性能的提高對(duì)維護(hù)摩爾定律只是起到輔佐的...

2023-04-19 標(biāo)簽：芯片三極管晶圓 2.9k 0

前段制程FEOL—晶圓上的元件制程

此節(jié)以半導(dǎo)體的代表，CMOS-半導(dǎo)體為例，對(duì)前段制程FEOL進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。此說(shuō)明將依照FEOL主要制程的剖面構(gòu)造模型，說(shuō)明非常詳細(xì)，但一開(kāi)始先掌握大概即可。

2024-04-03 標(biāo)簽：CMOS 半導(dǎo)體晶圓 2.9k 0

大族半導(dǎo)體SiC晶圓激光切割整套解決方案

改質(zhì)切割是一種將半導(dǎo)體晶圓分離成單個(gè)芯片或晶粒的激光技術(shù)。該過(guò)程是使用精密激光束在晶圓內(nèi)部形成改質(zhì)層，使晶圓可以通過(guò)輕微外力沿激光掃描路徑精確分離。

2023-05-25 標(biāo)簽：晶圓 SiC 激光切割 2.9k 0

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寒武紀(jì)是目前國(guó)際上少數(shù)幾家全面系統(tǒng)掌握了通用型智能芯片及其基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件研發(fā)和產(chǎn)品化核心技術(shù)的企業(yè)之一，能提供云邊端一體、軟硬件協(xié)同、訓(xùn)練推理融合、具備統(tǒng)一生態(tài)的系列化智能芯片產(chǎn)品和平臺(tái)化基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件。
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德國(guó)易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無(wú)線(xiàn)能量采集技術(shù)的開(kāi)創(chuàng)者。2012年3月，國(guó)際電工技術(shù)委員會(huì)將EnOcean無(wú)線(xiàn)通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無(wú)線(xiàn)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
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RISC-V是一個(gè)基于精簡(jiǎn)指令集（RISC）原則的開(kāi)源指令集架構(gòu)（ISA），重點(diǎn)在于它是開(kāi)源的，這是與另外兩個(gè)主流架構(gòu)英特爾的 X86和軟銀的Arm最大區(qū)別。
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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國(guó)處理器大廠(chǎng)AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺(tái)積電，后來(lái)到三星，現(xiàn)在為中芯國(guó)際執(zhí)行長(zhǎng)。
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MACOM是一家高性能模擬射頻、微波、毫米波和光電解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，總部位于美國(guó)馬薩諸塞州洛厄爾，擁有超過(guò)60年的歷史?？偛吭O(shè)在美國(guó)洛厄爾，馬薩諸塞州。
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北京時(shí)間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋(píng)果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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公司在特別依賴(lài)分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷(xiāo)全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶(hù)喜愛(ài)。
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iBeacon是蘋(píng)果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周?chē)l(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車(chē)電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
東軟

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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
OLED電視

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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱(chēng)“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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