深度剖析LED燈具的光效、熱阻與光衰

LED光效LED光效是衡量光源性能的關鍵指標，其定義為光通量（lm）與光源消耗功率（W）的比值，單位為lm/W。LED領域的科研檢測機構，具備先進的測試...

2025-11-28 標簽：光源熱阻LED燈具 2.7k 0

芯片熱特性的熱阻描述

熱阻(Thermal Resistance)表示熱量在傳遞過程中所受到的阻力，為傳熱路徑上的溫差與熱量的比值。根據(jù)傳熱方式的不同，熱阻又分為導熱熱阻、對...

2025-11-27 標簽：芯片熱阻熱特性 2.1k 0

SiC碳化硅MOSFET功率半導體熱設計深度分析報告

1. 引言：功率半導體熱管理的重要性與SiC技術的崛起 1.1 功率器件熱管理在電力電子中的核心地位 在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中，功率半導體器件的熱管理已超越...

2025-09-15 標簽：MOSFET熱阻功率半導體 1.9k 0

導熱硅脂怎么選？七大核心參數(shù)硬核解析

1導熱系數(shù)在導熱硅脂的諸多參數(shù)中，導熱系數(shù)無疑是最為關鍵的，堪稱散熱性能的“核心引擎”，其單位為W/(m?K)。這個參數(shù)直觀地反映了硅脂傳導熱量的能力，...

2025-09-04 標簽：散熱器熱阻導熱硅脂 5.2k 0

深度解析LED燈具發(fā)展的巨大瓶頸——熱阻

什么是熱阻即熱量？熱阻即熱量在熱流路徑上遇到的阻力，反映介質或介質間的傳熱能力的大小，表明了1W熱量所引起的溫升大小，單位為℃/W或K/W?？梢杂靡粋€類...

2025-07-17 標簽：led熱阻 608 0

技術資訊 I 導熱材料對熱阻的影響

在電子器件（如導熱材料或導熱硅脂）上涂覆導熱材料的目的是幫助發(fā)熱器件加快散熱。此舉旨在降低器件每單位電能耗散所產生的溫升。衡量每功耗所產生溫升的指標稱為...

2025-08-22 標簽：電子器件熱阻導熱材料 947 0

DDR4堆疊模組的熱仿真案例分析

在電子設備的散熱設計中，熱阻（Thermal Resistance）是一個至關重要的物理量，它定量描述了材料或系統(tǒng)對熱量傳遞的阻礙能力。從本質上看，熱阻...

2025-08-18 標簽：封裝熱阻散熱 3.5k 0

導熱材料的“界面”疑難雜癥，你了解多少？

1界面這些“小麻煩”可別小瞧熱界面材料雖然在電子設備散熱中起著關鍵作用，但在實際應用過程中，卻常常面臨各種界面問題的困擾。這些問題看似不起眼，卻會對熱界...

2025-07-03 標簽：材料熱阻導熱材料 1.6k 0

LED光效、熱阻與光衰的深度剖析

LED光效LED光效是衡量光源性能的關鍵指標，其定義為光通量（lm）與光源消耗功率（W）的比值，單位為lm/W。瞬態(tài)光效是LED光源啟動瞬間的發(fā)光效率，...

2025-03-20 標簽：led熱阻光效 2.2k 0

主驅逆變器應用中不同 Zth 模型對分立 IGBT Tvj 計算的影響

*本論文摘要由PCIM官方授權發(fā)布/摘要/在xEV應用的主驅逆變器中，關于IGBT分立器件熱阻網絡建模和虛擬結溫計算的研究和論文相對較少。本文基于最新的...

2025-02-08 標簽：逆變器IGBT熱阻 1.9k 0

濕度大揭秘！如何影響功率半導體器件芯片焊料熱阻？

近年來，隨著電力電子技術的快速發(fā)展，功率半導體器件在風力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動汽車等戶外工況中的應用日益廣泛。然而，這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度，這對...

2025-02-07 標簽：熱阻半導體封裝焊料 1.9k 0

電源設計之對熱阻的認識

電源熱設計之--對熱阻的認識 之前做了這么多電源還有高頻機，我一直沒有想過如何設計散熱，或者說怎么樣的散熱設計才不會讓芯片過溫而損壞。對于發(fā)熱元件，散熱...

2024-12-18 標簽：熱阻散熱 1.2k 0

功率器件的熱設計基礎（二）——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)

/前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低...

2024-10-29 標簽：熱阻功率器件SiC 1.6k 0

功率器件熱設計基礎（一）——功率半導體的熱阻

功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本...

2024-10-22 標簽：熱阻功率器件功率半導體 2.5k 0

MOSFET器件參數(shù)：TJ、TA、TC到底講啥？

我將分享關于MOSFET中幾個關鍵溫度參數(shù)的計算方法：TJ(結溫)、TA(環(huán)境溫度)和TC(外殼溫度)。1.MOSFET溫度參數(shù)的重要性在電力電子應

2024-08-30 標簽：MOSFET熱阻器件 7.4k 0

北大王瑋教授團隊在芯片熱管理領域取得進展

來源：北京大學集成電路學院 隨著GaN為代表的新一代寬禁帶半導體材料的廣泛應用，功率器件的性能大幅度提高。然而受限于器件熱管理性能，目前GaN功率器件僅...

2024-07-03 標簽：芯片熱阻熱管理 2k 0

一文掌握集成電路封裝熱仿真要點

本文要點要想準確預測集成電路封裝的結溫和熱阻，進而優(yōu)化散熱性能，仿真的作用舉足輕重。準確的材料屬性、全面的邊界條件設置、真實的氣流建模、時域分析以及實證...

2024-05-18 標簽：集成電路封裝熱阻 3.1k 0