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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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Transphorm推出基于GaN的新型汽車/EV功率轉(zhuǎn)換解決方案
Transphorm驗證并實現(xiàn)了采用電橋配置的分立封裝GaN器件的功率可達10千瓦,這進一步印證了GaN用于電動汽車轉(zhuǎn)換器和變頻器的令人興奮的前景。
2020-12-07 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換DC-DC轉(zhuǎn)換器氮化鎵 3.4k 0
碳化硅三極管的引腳辨識與焊接方式? 碳化硅三極管是一種被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在進行焊接之前,正確辨識并連接三極管的引腳非常關(guān)鍵。本文將詳細...
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道??近期碳化硅襯底供應(yīng)商天科合達與微納光電器件公司慕德微納共同出資成立合資公司,雙方將在AR衍射光波導(dǎo)鏡片技術(shù)研發(fā)與市場推廣方面展開...
硅基氮化鎵是第三代半導(dǎo)體化合材料,有著能量密度高、可靠性高的優(yōu)點,能夠代替很多傳統(tǒng)的硅材料,晶圓可以做得很大,晶圓的長度可以拉長至2米。 硅基氮化鎵器件...
芯三代半導(dǎo)體啟動A股IPO輔導(dǎo),專注碳化硅外延設(shè)備研發(fā)
證監(jiān)會官網(wǎng)最新披露,碳化硅(SiC)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)芯三代半導(dǎo)體科技(蘇州)股份有限公司(簡稱“芯三代”)已在江蘇證監(jiān)局完成輔導(dǎo)備案登記,計劃首次公開發(fā)行...
Wolfspeed聯(lián)合創(chuàng)始人John Palmour博士正式成為美國國家工程院院士
美國國家工程院(National Academy of Engineering)于近日召開 2022 年度大會,Wolfspeed, Inc.(美國紐約...
過去幾年來,碳化硅(SiC)型功率半導(dǎo)體解決方案的使用情形大幅成長,成為各界仰賴的革命性發(fā)展。推動此項市場發(fā)展的力量包括下列趨勢:節(jié)能、縮減體積、系統(tǒng)整...
2016-11-14 標(biāo)簽:igbtSiC功率半導(dǎo)體 3.3k 0
碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢: ...
2家臺灣企業(yè)正在加速推進其SiC模塊工廠的建設(shè)
近期,2家臺灣企業(yè)正在加速推進其SiC模塊工廠的建設(shè)
2024-03-18 標(biāo)簽:電動汽車場效應(yīng)晶體管功率模塊 3.3k 0
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)近日,由西湖大學(xué)孵化的西湖儀器成功實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離自動化解決方案,大幅降低損耗,提升加工速度,推進了碳化硅行...
2025-04-16 標(biāo)簽:碳化硅 3.3k 0
國外碳化硅大廠:產(chǎn)能瘋狂擴張 豐富的產(chǎn)品組合
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李誠)碳化硅、氮化鎵這兩種新型半導(dǎo)體材料,憑借其耐高溫、耐高壓、高頻的特性在功率器件領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。尤其是碳化硅功率器件與傳...
新能源汽車市場化發(fā)展要把握好高密度IGBT和碳化硅器件
在萬物互聯(lián)的指引下,新能源汽車也駛向了“百年未來大變革”的道路上。
芯聚能:半導(dǎo)體產(chǎn)能短缺會貫穿2021,SiC會迎來爆發(fā)的時機
2020半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷了全球疫情和國際形勢的復(fù)雜化和不確定性,而2021年行業(yè)會如何發(fā)展,廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“芯聚能”)給出了答案。 產(chǎn)...
國內(nèi)首家打通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈,三安集成完成MOSFET量產(chǎn)平臺打造
隨著中國“十四五”規(guī)劃浮出水面,第三代半導(dǎo)體項目投資升溫加劇。據(jù)不完全統(tǒng)計,2020年有8家企業(yè)計劃投資總計超過430億元,碳化硅、氮化鎵材料半導(dǎo)體建設(shè)...
碳化硅SiC材料應(yīng)用 碳化硅SiC的優(yōu)勢與性能
碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料,尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中。SiC基半導(dǎo)體器件包括肖特基二...
2024-11-25 標(biāo)簽:SiC半導(dǎo)體器件碳化硅 3.3k 0
據(jù)招股書顯示,以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料是繼硅材料之后最有前景的半導(dǎo)體材料之一,與硅材料相比,以碳化硅晶片為襯底制造的半導(dǎo)體器件具備高功率、耐高壓...
2020-08-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料晶片碳化硅 3.3k 0
比亞迪作為國內(nèi)車企,在車上用碳化硅已經(jīng)有差不多5、6 年的歷史,最早是在車載的OBC上用,后面是在車載彈簧、車載電控上面用,目前國內(nèi)在碳化硅車型上,我們...
由于第三代半導(dǎo)體材料具有非常顯著的性能優(yōu)勢和巨大的產(chǎn)業(yè)帶動作用,歐美日等發(fā)達國家和地區(qū)都把發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)列入國家戰(zhàn)略,投入巨資支持發(fā)展。本文將對第...
Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列,專為嚴苛的汽車環(huán)境設(shè)計。Wolfsp...
Soitec 發(fā)布首款 200mm SmartSiC? 優(yōu)化襯底,拓展碳化硅產(chǎn)品組合
? 中國北京,2022 年?5 月?6日?——設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)Soitec 近日發(fā)布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSi...
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