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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

納微半導(dǎo)體:氮化鎵和碳化硅齊頭并進(jìn),抓住繼充電器之后的下一波熱點應(yīng)用

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早前,納微半導(dǎo)體率先憑借氮化鎵功率芯片產(chǎn)品,踩準(zhǔn)氮化鎵在充電器和電源適配器應(yīng)用爆發(fā)的節(jié)奏,成為氮化鎵領(lǐng)域的頭部企業(yè)。同時,納微也不斷開發(fā)氮化鎵和碳化硅產(chǎn)...

2023-08-01 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅 3.1k 0

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2023-08-21 標(biāo)簽:電阻MOSFET晶圓 3.1k 0

捷捷微電:擁有氮化鎵和碳化硅相關(guān)實用新型專利4件

11月30日,捷捷微電發(fā)布投資者關(guān)系活動記錄表稱,晶閘管是2019年占公司總營收49%的產(chǎn)品,由于公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的調(diào)整,今年預(yù)計占營收的比重在40%左右,...

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碳化硅頭部企業(yè)基本半導(dǎo)體完成C2輪融資,廣汽資本、潤峽招贏、藍(lán)海華騰聯(lián)合投資

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6月7日,國內(nèi)第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件頭部企業(yè)——基本半導(dǎo)體在公司成立六周年之際宣布完成C2輪融資,由廣汽資本、潤峽招贏、藍(lán)海華騰等機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資。本輪...

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中國車企首次自建碳化硅生產(chǎn)線

碳化硅(SiC)電力電子器件將替代IGBT——這是英飛凌、羅姆等國際知名企業(yè)一致觀點。而比亞迪已經(jīng)開始布局。

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碳化硅陶瓷線路板在太陽能電池板上的突出貢獻(xiàn)

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碳化硅陶瓷線路板是一種基于碳化硅陶瓷材料制成的電路板。它與傳統(tǒng)的FR-4(玻璃纖維增強(qiáng)環(huán)氧樹脂)電路板相比,具有更高的熱穩(wěn)定性、更高的絕緣性、更好的耐腐...

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碳化硅電驅(qū)動總成設(shè)計與測試

摘 要 基于進(jìn)一步提升電驅(qū)動總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計了一款碳化硅三合一電驅(qū)動總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動電機(jī)的結(jié)構(gòu)設(shè)計方案,并詳細(xì)闡述了...

2022-12-21 標(biāo)簽:IGBT碳化硅驅(qū)動電機(jī) 3.1k 0

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傾佳電子SiC碳化硅MOSFET開關(guān)行為深度研究與波形解析

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2022-07-28 標(biāo)簽:電力SiC能源 3.1k 0

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華為濾波器專利公布 可以用于基站了?

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來自中國微米納米技術(shù)學(xué)會通知,10月28-30日,一年一度的納米技術(shù)領(lǐng)域最盛大的博覽會中國國際納米技術(shù)產(chǎn)業(yè)博覽會即將隆重召開! 不管您是來自學(xué)術(shù)界、企業(yè)...

2020-09-16 標(biāo)簽:納米技術(shù)mems碳化硅 3.1k 0

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全球存儲器缺貨、價格飆漲的風(fēng)口下,力積電的銅鑼新廠成了國際大廠爭搶的核心資源 —— 繼晟碟之后,美光也正在與力積電洽談合作,希望借助這座已建成、仍有 4...

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碳化硅半導(dǎo)體器件為你加油 富昌電子英飛凌超級品牌月活動來襲

碳化硅(SiC)材料一直被視為半導(dǎo)體器件的最佳材料,隨著科學(xué)技術(shù)的日新月異以及新能源的快速發(fā)展,它被廣泛使用于各個領(lǐng)域,整個市場對它的需求也與日俱增。 ...

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8英寸襯底井噴,11月國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來新進(jìn)展

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,成本占比最高的部分是襯底,碳化硅襯底的產(chǎn)能決定了下游器件的產(chǎn)量上限。因此,襯底廠商可以稱之為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈...

2023-12-12 標(biāo)簽:碳化硅 3.1k 0

SIC功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀!

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2022-11-24 標(biāo)簽:功率器件SiC功率半導(dǎo)體 3.1k 0

碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)全景:國內(nèi)外主要廠商分布圖

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中國在碳化硅襯底領(lǐng)域的布局顯示出了其對半導(dǎo)體材料自主供應(yīng)鏈建設(shè)的重視。隨著全球?qū)Ω咝?、高耐用性電子器件需求的增加,碳化硅襯底由于其在高溫、高電壓和高頻...

2024-02-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料碳化硅 3.1k 0

總投資10個億!簽約!年產(chǎn)六萬顆,正齊半導(dǎo)體落地

馬來西亞正齊集團(tuán)CEO胡光榮表示,非常榮幸能夠在杭州蕭山建設(shè)第三代半導(dǎo)體模塊封裝工廠,這是我們集團(tuán)響應(yīng)全球‘雙碳’目標(biāo)和‘自主可控’戰(zhàn)略的重要舉措。我們...

2023-10-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT碳化硅 3.1k 0

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開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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