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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

碳化硅SiC的高溫氧化研究

SiC材料具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性、耐腐蝕性、熱導(dǎo)性能和機(jī)械強(qiáng)度等優(yōu)勢(shì)，因此受到廣泛關(guān)注和應(yīng)用。

2023-12-26 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 MOS管功率器件 3.1k 0

碳化硅SiC在電子器件中的應(yīng)用

隨著科技的不斷進(jìn)步，電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅（Si）材料在某些應(yīng)用中已經(jīng)接近其物理極限，尤其是在高溫、高壓和高頻領(lǐng)域。碳化硅（SiC）作為...

2024-11-25 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料 SiC 3.1k 0

日本研發(fā)電化學(xué)機(jī)械拋光(ECMP)技術(shù)

在當(dāng)今追求高性能電子器件的時(shí)代背景下，碳化硅材料憑借其卓越的物理與電學(xué)特性，成為了電力電子器件制造領(lǐng)域的璀璨明星。然而，碳化硅襯底的拋光工藝卻長(zhǎng)期受制于...

2024-07-05 標(biāo)簽：CMP 碳化硅 3.1k 0

青銅劍科技發(fā)布全碳化硅器件解決方案，助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展

青銅劍科技、基本半導(dǎo)體聯(lián)合發(fā)布了面向新能源汽車電機(jī)控制器的全碳化硅器件解決方案。

2019-09-27 標(biāo)簽：新能源汽車碳化硅青銅劍科技 3k 0

氮化鎵和碳化硅的結(jié)構(gòu)和性能有何不同

作為第三代功率半導(dǎo)體的絕世雙胞胎，氮化鎵MOS管和碳化硅MOS管日益受到業(yè)界特別是電氣工程師的關(guān)注。電氣工程師之所以如此關(guān)注這兩種功率半導(dǎo)體，是因?yàn)樗鼈?..

2023-10-07 標(biāo)簽：MOS 氮化鎵功率半導(dǎo)體 3k 0

賽力斯華為智選SF5宣布調(diào)漲2萬元星鏈推出便攜功能

近日中科院物理研究所在官網(wǎng)發(fā)文表示，科研人員通過優(yōu)化生長(zhǎng)工藝，進(jìn)一步解決了多型相變問題，持續(xù)改善晶體結(jié)晶質(zhì)量，成功生長(zhǎng)出單一4H晶型的8英寸SiC晶體，...

2022-05-07 標(biāo)簽：iPhone 碳化硅賽力斯 3k 0

基本半導(dǎo)體推出汽車級(jí)全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore6

汽車級(jí)全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore6是基本半導(dǎo)體基于廣大汽車廠商對(duì)核心牽引驅(qū)動(dòng)器功率器件的高性能、高效率等需求設(shè)計(jì)并推出的產(chǎn)品。

2022-09-13 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件碳化硅 3k 0

三安光電碳化硅傳獲車規(guī)級(jí)質(zhì)量認(rèn)證通過IATF 16949:2016質(zhì)量管理體系認(rèn)證

三安光電碳化硅傳獲車規(guī)級(jí)質(zhì)量認(rèn)證通過IATF 16949:2016質(zhì)量管理體系認(rèn)證行業(yè)內(nèi)有標(biāo)準(zhǔn)如果要進(jìn)入一級(jí)汽車電子大廠供應(yīng)鏈，必須取得對(duì)應(yīng)的認(rèn)證，...

2022-10-17 標(biāo)簽：汽車電子 SiC GaN 3k 0

碳化硅的缺陷分析與解決方案

碳化硅作為一種新型半導(dǎo)體材料，因其高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度和高擊穿電場(chǎng)等特性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而，碳化硅材料中的缺陷，如微管、...

2025-01-24 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料電導(dǎo)率 3k 0

重磅！國(guó)產(chǎn)SiC襯底激光剝離實(shí)現(xiàn)新突破

以砂漿線切割為例，多達(dá)40%的碳化硅晶錠以粉塵的形式浪費(fèi)掉，而且切割線的高速行走過程還會(huì)造成20~50μm的粗糙起伏與表面/亞表面結(jié)構(gòu)損傷，據(jù)分析，碳化...

2023-05-24 標(biāo)簽：SiC 產(chǎn)業(yè)鏈碳化硅 3k 0

SiC功率器件的主要特點(diǎn)

基于以日本、美國(guó)和歐洲為中心對(duì)生長(zhǎng)、材料特性和器件加工技術(shù)的廣泛研究，SiC SBD和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的生產(chǎn)已經(jīng)開始。然而，...

2022-11-02 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 3k 0

第16屆“中國(guó)芯”-寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)成功舉辦

大會(huì)同期舉辦了面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體領(lǐng)域的“寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)”。峰會(huì)以“創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用，推動(dòng)后摩爾時(shí)代發(fā)展”為主題，邀請(qǐng)了英諾賽科科技有限公司、蘇...

2021-12-23 標(biāo)簽：中國(guó)芯 SiC 氮化鎵 3k 0

碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子市場(chǎng)推廣中的核心技術(shù)洞見與溝通策略

國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET比如BASiC基本半導(dǎo)體代理商銷售經(jīng)理在電力電子市場(chǎng)推廣中的核心技術(shù)洞見與溝通策略：國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET比如...

2025-08-25 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 3k 0

英飛凌新款8kW、12kW服務(wù)器電源可滿足AI需求?

相比常規(guī)服務(wù)器，AI服務(wù)器的峰值功率和持續(xù)運(yùn)行時(shí)間較長(zhǎng)，加上需處理更大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心的電力供應(yīng)，無疑給這個(gè)行業(yè)帶來了巨大壓力。

2024-05-29 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心碳化硅 AI服務(wù)器 3k 0

羅姆和正海集團(tuán)成立合資公司達(dá)協(xié)議以碳化硅功率模塊為核心

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）10月21日，正海集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱：正海集團(tuán)）和全球領(lǐng)先的碳化硅芯片/模組供應(yīng)商ROHM Co.， Ltd.（以下簡(jiǎn)...

2021-10-27 標(biāo)簽：新能源汽車功率模塊碳化硅 3k 0

國(guó)奧科技搶跑第三代半導(dǎo)體封測(cè)市場(chǎng)的兩大關(guān)鍵

第三代半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)明顯，市場(chǎng)需求加大，先進(jìn)封裝工藝及封測(cè)設(shè)備升級(jí)是降低成本、確保良率‘搶跑’封測(cè)市場(chǎng)的兩大關(guān)鍵。

2022-08-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅封測(cè) 3k 0

高壓快充充電樁產(chǎn)業(yè) 碳化硅材料模塊或成必由之路

為適應(yīng)未來大功率高壓快充發(fā)展趨勢(shì)，主流車企及充電運(yùn)營(yíng)商已經(jīng)開始布局大功率快充樁。但高壓快充對(duì)充電樁的高效性和安全性都提出了更高的要求，在設(shè)備方面亟需采用...

2024-01-17 標(biāo)簽：SiC 充電樁碳化硅 3k 0

比亞迪半導(dǎo)體SiC功率模塊斬獲2021年度“全球電子成就獎(jiǎng)”

11月3日，由全球電子技術(shù)領(lǐng)域知名媒體集團(tuán)ASPENCORE主辦的2021全球 CEO 峰會(huì)暨全球電子成就獎(jiǎng)（WEAA）頒獎(jiǎng)典禮在深如期舉辦。比亞迪半導(dǎo)...

2021-12-03 標(biāo)簽：芯片比亞迪碳化硅 3k 0

一文了解SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)

共讀好書碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕...

2024-02-21 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體封裝 3k 0

碳化硅襯底材料研磨拋光耗材和工藝技術(shù)

磨削和研磨等磨料處理是生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片的必要方式，然而研磨會(huì)導(dǎo)致芯片表面的完整性變差。因此，拋光的一致性、均勻性和表面粗糙度對(duì)生產(chǎn)芯片來說是十分重要的。

2023-12-21 標(biāo)簽：CMP 碳化硅半導(dǎo)體芯片 3k 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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