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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

文章:2960個(gè) 瀏覽:52592 帖子:39個(gè)

碳化硅資訊

三安半導(dǎo)體獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金8,107.43萬(wàn)元

2月2日,三安光電發(fā)布公告稱,全資子公司湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“湖南三安”)獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金8,107.43萬(wàn)元。 公告顯示,根據(jù)三安光電...

2021-02-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 2.8k 0

碳化硅外延技術(shù):解鎖第三代半導(dǎo)體潛力

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碳化硅(Silicon Carbide, SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,以其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性,在電力電子、光電子、射頻器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的...

2024-11-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體封裝碳化硅 2.8k 0

芯片研發(fā)過(guò)程中的可靠性測(cè)試——碳化硅功率器件

作為高尖精的產(chǎn)品,芯片的可靠性測(cè)試貫徹始終,從設(shè)計(jì)到選材再到最后的出產(chǎn),那研發(fā)過(guò)程中具體需要做哪些測(cè)試呢?金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家了解一下。

2022-11-03 標(biāo)簽:功率器件碳化硅 2.8k 0

湖南三安點(diǎn)亮中國(guó)首條碳化硅垂直整合生產(chǎn)線

6月23日上午,位于長(zhǎng)沙高新產(chǎn)業(yè)園區(qū)的湖南三安半導(dǎo)體正式點(diǎn)亮投產(chǎn)。

2021-06-23 標(biāo)簽:集成電路新能源汽車碳化硅 2.8k 0

2025年中國(guó)SiC芯片價(jià)格或迎大幅降價(jià)潮

近期,業(yè)內(nèi)傳來(lái)振奮人心的消息,預(yù)計(jì)未來(lái)兩年內(nèi),中國(guó)碳化硅(SiC)芯片市場(chǎng)將迎來(lái)價(jià)格的大幅下調(diào),降幅有望達(dá)到驚人的30%。這一預(yù)測(cè)背后,是中國(guó)SiC產(chǎn)業(yè)...

2024-08-02 標(biāo)簽:芯片SiC碳化硅 2.8k 0

納微半導(dǎo)體公布2025年第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)

加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊:下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克...

2025-11-07 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 2.8k 0

芯粵能半導(dǎo)體碳化硅芯片制造項(xiàng)目通過(guò)廣東省能源局節(jié)能審查

日前,廣東省能源局發(fā)布廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司“面向車規(guī)級(jí)和工控領(lǐng)域的碳化硅芯片制造項(xiàng)目”節(jié)能報(bào)告的審查意見(jiàn):項(xiàng)目采用的主要技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和建設(shè)方案符合國(guó)家相...

2023-01-29 標(biāo)簽:碳化硅 2.8k 0

斯達(dá)半導(dǎo)投資建設(shè)全碳化硅功率模組產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目

可行性分析:2020年下半年,歐洲新能源汽車市場(chǎng)呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng),中國(guó)新能源汽車月產(chǎn)銷量屢創(chuàng)新高,各國(guó)紛紛加強(qiáng)戰(zhàn)略謀劃、強(qiáng)化政策驅(qū)動(dòng),加速發(fā)展新能源汽車。

2021-01-08 標(biāo)簽:新能源汽車模組碳化硅 2.8k 0

SiC+Si,全球8大混碳技術(shù)方案揭秘

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-關(guān)于2025上海車展·全球8家混碳技術(shù)方案解讀-文字原創(chuàng),素材來(lái)源:2025上海車展,廠商官網(wǎng)-本篇為知識(shí)星球節(jié)選,完整版報(bào)告與解讀在知識(shí)星球發(fā)布-1...

2025-08-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC碳化硅 2.7k 0

半導(dǎo)體行業(yè)中的陶瓷材料

一般可采用高純Al2O3涂層作為刻蝕腔體和腔體內(nèi)部件的防護(hù)材料。但是隨著半導(dǎo)體器件最小特征尺寸的減小和晶圓尺寸的增大,為了獲得更高的刻蝕精度和保證刻蝕的...

2022-11-17 標(biāo)簽:等離子體碳化硅 2.7k 0

國(guó)電南自引領(lǐng)儲(chǔ)能核心技術(shù)突破,碳化硅功率模塊助雙碳目標(biāo)實(shí)現(xiàn)

中國(guó)電科基礎(chǔ)辦付興昌表示:“碳化硅器件在電網(wǎng)和儲(chǔ)能領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用空間,希望雙方未來(lái)能發(fā)掘出更多的合作場(chǎng)景。”

2024-01-05 標(biāo)簽:功率模塊變流器碳化硅 2.7k 0

新能源汽車行業(yè)是碳化硅市場(chǎng)最大的驅(qū)動(dòng)力

第三代半導(dǎo)體主要是指碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料。相比于第一、二代半導(dǎo)體,第三代半導(dǎo)體具有更高的禁帶寬度、高擊穿電壓、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率等特點(diǎn)。...

2020-12-10 標(biāo)簽:新能源汽車半導(dǎo)體碳化硅 2.7k 0

年產(chǎn)11萬(wàn)的國(guó)宏中能碳化硅襯底片項(xiàng)目將完成設(shè)備安裝

據(jù)大眾網(wǎng)報(bào)道,山東國(guó)宏中能年產(chǎn)11萬(wàn)片碳化硅襯底片項(xiàng)目將于7月底完成一期建筑工程,9月份完成設(shè)備安裝,10月份進(jìn)入設(shè)備調(diào)試階段。

2020-04-17 標(biāo)簽:碳化硅 2.7k 0

碳化硅熱導(dǎo)性能如何

碳化硅(SiC)是一種共價(jià)鍵結(jié)合的陶瓷材料,以其高硬度、高熱導(dǎo)率、高化學(xué)穩(wěn)定性和良好的電絕緣性能而聞名。這些特性使得SiC成為高溫應(yīng)用和電子器件的理想材...

2025-01-23 標(biāo)簽:絕緣性能碳化硅熱導(dǎo)性 2.7k 0

納微半導(dǎo)體將展示下一代功率半導(dǎo)體的重大突破

下一代平臺(tái)將為數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車、家電及工業(yè)市場(chǎng)設(shè)定新標(biāo)桿

2023-08-28 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車太陽(yáng)能半導(dǎo)體 2.7k 0

碳化硅SiC在光電器件中的使用

碳化硅的基本特性 碳化硅是一種由碳和硅組成的化合物半導(dǎo)體,具有以下特性: 寬帶隙 :SiC的帶隙寬度約為3.26eV,遠(yuǎn)大于硅(Si)的1.12eV,這...

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芯三代啟動(dòng)上市輔導(dǎo)

近日,中國(guó)證監(jiān)會(huì)正式披露了芯三代半導(dǎo)體科技(蘇州)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“芯三代”)首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市的輔導(dǎo)備案報(bào)告。這標(biāo)志著這家尖端半導(dǎo)體芯片制造...

2024-02-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 2.7k 0

森國(guó)科650V/10A SiC二極管的七大封裝形態(tài)

森國(guó)科650V/10A SiC二極管的七大封裝形態(tài)

第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件領(lǐng)軍企業(yè)森國(guó)科推出的碳化硅二極管 KS10065(650V/10A),針對(duì)不同場(chǎng)景的散熱、空間及絕緣要求,提供7種封裝形態(tài),靈...

2025-08-16 標(biāo)簽:二極管碳化硅森國(guó)科 2.7k 0

博世2025上海車展亮點(diǎn)搶先看

你是否曾好奇,每輛智能電動(dòng)汽車的背后,究竟隱藏著怎樣的科技奧秘?在車展的萬(wàn)千精彩背后,有一個(gè)決定未來(lái)出行體驗(yàn)的“幕后主角”——半導(dǎo)體。它是汽車世界背后的...

2025-04-18 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車汽車電子碳化硅 2.7k 0

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    28nm
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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    TI公司
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    TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè),我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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    羅姆
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    提供最新的羅姆公司產(chǎn)品,最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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    工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)
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      柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí),使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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