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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注26人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：2960個 瀏覽：52597次 帖子：39個

      碳化硅資訊

      CISSOID和Silicon Mobility 宣布推出新能源汽車緊湊及高效碳化硅逆變器

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      CISSOID 和 Silicon Mobility 宣布推出新能源汽車緊湊及高效碳化硅逆變器，并以此體現(xiàn)其所建立的合作伙伴關(guān)系。

      2021-12-09 標(biāo)簽：新能源汽車逆變器碳化硅 2.7k 0

      SiC功率元件迎來快速發(fā)展期

      國內(nèi)的晟光硅研（Lasic）成立于2021年2月，是航天基地科技成果就地轉(zhuǎn)化項目，技術(shù)團隊包括來自西安電子科技大學(xué)、中國工程物理研究院、山東大學(xué)、西北工...

      2022-08-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 2.7k 0

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      碳化硅器件在新能源車電驅(qū)動系統(tǒng)的應(yīng)用

      隨著全球及國內(nèi)在新能源汽車、新能源發(fā)電和儲能等終端市場需求的快速增長，行業(yè)對碳化硅襯底需求呈現(xiàn)出持續(xù)旺盛的趨勢。

      2023-12-14 標(biāo)簽：新能源汽車轉(zhuǎn)換器逆變器 2.7k 0

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      2022-08-02 標(biāo)簽：應(yīng)用氮化鎵碳化硅 2.7k 0

      半導(dǎo)體如何引領(lǐng)物聯(lián)網(wǎng)革命？ST總裁兼CEO歸納四大路徑

      11月8日，意法半導(dǎo)體總裁兼CEO Jean-Marc Chery先生在全球CEO峰會上表示，在物聯(lián)網(wǎng)時代，我們的愿景是讓數(shù)十億智能物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備實現(xiàn)互聯(lián)互...

      2018-11-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體ST碳化硅 2.7k 0

      大眾汽車！開始導(dǎo)入碳化硅基板開發(fā)車用逆變器

      大眾汽車集團運營與策略半導(dǎo)體工作小組 COMPASS 的負責(zé)人 Karsten Schnake 表示，安森美主驅(qū)逆變器模組的杰出性能和品質(zhì)，加上共同努力...

      2023-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體逆變器碳化硅 2.7k 0

      SiC 碳化硅 IGBT/MOSFET導(dǎo)熱散熱絕緣材料特性研究 | 二維氮化硼熱管理材料

      SiC 碳化硅 IGBT/MOSFET導(dǎo)熱散熱絕緣材料特性研究 | 二維氮化硼熱管理材料

      引言1.1研究背景與意義碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV，是硅的近3倍...

      2025-10-31 標(biāo)簽：MOSFETIGBTSiC 2.6k 0

      意法半導(dǎo)體新廠2023年開始投產(chǎn) 加強碳化硅組件及解決方案襯底供應(yīng)

      意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）襯底制造廠，以支持意法半導(dǎo)體客戶對汽車及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求，...

      2022-10-08 標(biāo)簽：晶圓意法半導(dǎo)體碳化硅 2.6k 0

      三安光電：碳化硅芯片產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于光伏、新能源汽車、充電樁等領(lǐng)域

      三安光電目前擁有1200V系列碳化硅二極管（sic）和mosfet，可應(yīng)用于800v平臺。其中，碳化硅（sic）二極管產(chǎn)品經(jīng)過持續(xù)的反復(fù)作業(yè)，推出了第四...

      2023-10-12 標(biāo)簽：二極管碳化硅三安光電 2.6k 0

      為什么要用碳化硅？碳化硅晶體長不“高”到底難在哪兒？

      硅是半導(dǎo)體行業(yè)的第一代基礎(chǔ)材料，目前全球95%以上的集成電路都是以硅為襯底制造的。不過，由于轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)頻率、工作溫度等多方面受限，當(dāng)電壓大于900V...

      2023-08-01 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 2.6k 0

      碳化硅MOSFET串?dāng)_抑制策略深度解析：負壓關(guān)斷與寄生電容分壓的根本性優(yōu)勢

      碳化硅MOSFET串?dāng)_抑制策略深度解析：負壓關(guān)斷與寄生電容分壓的根本性優(yōu)勢

      傾佳電子剖析SiC MOSFET串?dāng)_問題的物理機制，并對各類抑制措施進行詳盡的比較分析。報告的核心論點在于：通過優(yōu)化器件本征參數(shù)實現(xiàn)的寄生電容分壓優(yōu)化，...

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      最新材料碳化硅(SiC) MOSFET已發(fā)布

      SiCMOSFET支持高能效、小外形、強固和高性價比的高頻設(shè)計，用于汽車、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng) 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體，推出了兩款新的碳化...

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      　　你可能不知道，采用碳化硅取代傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體材料制作的電力芯片能減少75%的能耗，碳化硅半導(dǎo)體已成為國際上公認(rèn)的將引領(lǐng)電力電子，特別是大功率電力電子下...

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      電動出行和可再生能源系統(tǒng)需要能夠提高性能效率和加快開發(fā)時間的電源管理解決方案。為滿足這些要求，Microchip Technology Inc.（美國微...

      2021-12-14 標(biāo)簽：驅(qū)動器microchip碳化硅 2.6k 0

      效率飆升3倍！碳化硅如何改寫儲能市場游戲規(guī)則？

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）隨著儲能高速發(fā)展，對于性能的要求也越來越高。而SiC器件憑借高開關(guān)頻率、低損耗、耐高溫等特性，在儲能功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（PCS）...

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      意法半導(dǎo)體供應(yīng)超千萬顆碳化硅器件

      意法半導(dǎo)體（ST）宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導(dǎo)體采購碳化硅器件。

      2023-04-26 標(biāo)簽：電動汽車逆變器碳化硅 2.6k 0

      芯聯(lián)集成獲調(diào)研，披露業(yè)績展望、技術(shù)優(yōu)勢、市場趨勢等多項核心信息

      2024年11月6日，芯聯(lián)集成披露接待調(diào)研公告，公司于11月5日接待線上參與公司2024年第三季度業(yè)績說明會的投資者1家機構(gòu)調(diào)研。 公告顯示，芯聯(lián)集成參...

      2024-11-11 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 2.6k 0

      基本半導(dǎo)體與廣電計量達成戰(zhàn)略合作，加快推出車規(guī)級碳化硅器件

      深圳基本半導(dǎo)體與廣州廣電計量檢測股份有限公司（簡稱廣電計量）在廣州舉行戰(zhàn)略合作簽約儀式，雙方宣布將圍繞第三代半導(dǎo)體功率器件開展上下游全產(chǎn)業(yè)鏈的深度合作，...

      2019-05-14 標(biāo)簽：新能源汽車碳化硅基本半導(dǎo)體 2.6k 0

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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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        TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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        +關(guān)注
        　　柵極驅(qū)動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時，使用微控制器輸出不會損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動功率較大的晶體管。
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        華星光電
        +關(guān)注
        深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項目，也是深圳市政府重點推動的項目。
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        CC2541
        +關(guān)注
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      • STM32F4
        STM32F4
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        超級本
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