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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體極大地影響了使用它們的設(shè)備的可能性。材料的帶隙是指電子從半導(dǎo)體價(jià)帶的最高占據(jù)態(tài)移動(dòng)到導(dǎo)帶的最低未占據(jù)態(tài)所需的能量。
愛發(fā)科王禹:碳化硅功率器件制造工藝設(shè)備技術(shù)進(jìn)展
面向未來智能社會(huì)所需的信息通信,電力電子,自動(dòng)駕駛等領(lǐng)域,近年來第三代功率半導(dǎo)體材料(SiC,GaN等)具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能...
2023-09-28 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料碳化硅 2.5k 0
聯(lián)合電子400V SiC(碳化硅)電橋在太倉(cāng)工廠迎來首次批產(chǎn)
2024年3月,聯(lián)合電子400V SiC(碳化硅)電橋在太倉(cāng)工廠迎來首次批產(chǎn)。本次量產(chǎn)標(biāo)志著聯(lián)合電子在400V電壓平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了Si和SiC技術(shù)的全面覆蓋...
碳化硅外延設(shè)備廠商納設(shè)智能啟動(dòng)上市輔導(dǎo)
近日,證監(jiān)會(huì)正式披露了深圳市納設(shè)智能裝備股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“納設(shè)智能”)的首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報(bào)告,這標(biāo)志著納設(shè)智能正式啟動(dòng)了上市進(jìn)程。
力爭(zhēng)“碳中和”,第三代半導(dǎo)體可提升能源轉(zhuǎn)換效率
為應(yīng)對(duì)氣候變化,我國(guó)提出,二氧化碳排放力爭(zhēng)于2030年前達(dá)到峰值,努力爭(zhēng)取2060年前實(shí)現(xiàn)“碳中和”。
第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用面臨哪些挑戰(zhàn)?如何破局?
近年來,碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)熱點(diǎn)之一。
前段時(shí)間,奧迪宣布年底生產(chǎn)碳化硅車型Q6 e-tron(,最近,奧迪又有1款碳化硅車型公布,同時(shí)Lucid也發(fā)布了最新的900V碳化硅車型。
2023-11-25 標(biāo)簽:SiC碳化硅驅(qū)動(dòng)電機(jī) 2.4k 0
新能源汽車800V時(shí)代的超強(qiáng)風(fēng)口到來 碳化硅器件市場(chǎng)需求上量“雙碳”成為各個(gè)國(guó)家的主要發(fā)展戰(zhàn)略,新能源汽車的節(jié)能減排成為落實(shí)“雙碳”的主要抓手之一,因此...
近兩年來,瞻芯電子快速推出了過百款產(chǎn)品,其中既有高品質(zhì)、高可靠的車規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET,也有成為業(yè)界創(chuàng)新標(biāo)桿的碳化硅專用驅(qū)動(dòng)芯片和模擬PFC控制芯片,...
碳化硅 (SiC) 與氮化鎵 (GaN)應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn):1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)在帶隙和...
車規(guī)級(jí)!碳化硅(SiC)MOSFET,正式開啟量產(chǎn)交付
據(jù)介紹,瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)為15-18V,可提升應(yīng)用兼容性,簡(jiǎn)化應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上,第二代SiC M...
江西罡豐科技年產(chǎn)40萬(wàn)片第三代半導(dǎo)體襯底外延建項(xiàng)目
在電動(dòng)汽車、可再生能源及工業(yè)自動(dòng)化等行業(yè)的推動(dòng)下,碳化硅市場(chǎng)需求日益增長(zhǎng)。然而,在碳化硅的總成本構(gòu)架里,襯底環(huán)節(jié)占據(jù)大頭,且遠(yuǎn)高于外延和制造等環(huán)節(jié)。
2024-04-28 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車工業(yè)自動(dòng)化碳化硅 2.4k 0
碳化硅MOS B1M080120HC在車載OBC上的應(yīng)用
基本半導(dǎo)體推出的高性能碳化硅MOS,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)、無(wú)鉛、不含鹵素,非常適用于車載OBC體積及發(fā)熱要求較高的應(yīng)用;B1M080120HC耐壓1200V...
業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè),今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)方面,碳化...
爍科晶體:向世界一流的碳化硅材料供應(yīng)商不斷邁進(jìn)
第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)及研究開發(fā)企業(yè)作為中國(guó)電科集團(tuán)的“12大創(chuàng)新平臺(tái)之一,山西爍科晶體有限公司聚焦碳化硅單晶襯底領(lǐng)域,已成為國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底材料...
中國(guó)制造2025:SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的高度國(guó)產(chǎn)化
碳化硅功率半導(dǎo)體的高國(guó)產(chǎn)化程度是中國(guó)制造2025戰(zhàn)略的典型成果,通過 政策引導(dǎo)、產(chǎn)業(yè)鏈整合、技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)需求共振 ,實(shí)現(xiàn)了從“進(jìn)口替代”到“全球競(jìng)爭(zhēng)”...
2025-03-09 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 2.4k 0
安世半導(dǎo)體宣布推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET
Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7 表面貼裝器件(SMD)封...
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