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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

寬帶隙半導(dǎo)體終結(jié)了硅的主導(dǎo)地位

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體,例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC),已經(jīng)終結(jié)了硅在電力電子領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。自硅問(wèn)世以來(lái),WBG 半導(dǎo)體被證明是電力...

2022-07-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體FET碳化硅 2.5k 0

SST固態(tài)變壓器所需SiC模塊之中國(guó)本土供應(yīng)鏈分析

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在全球能源結(jié)構(gòu)向低碳化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型的宏大背景下,電力系統(tǒng)正經(jīng)歷著百年來(lái)未有之大變局。傳統(tǒng)的電力傳輸與分配網(wǎng)絡(luò),長(zhǎng)期以來(lái)依賴于基于電磁感應(yīng)原理的工頻變壓器...

2026-01-20 標(biāo)簽:SiC碳化硅固態(tài)變壓器 2.5k 0

安富利推出基于英飛凌產(chǎn)品的6.6KW雙向DCDC方案

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隨著新能源車快充、光儲(chǔ)一體系統(tǒng)及工業(yè)微電網(wǎng)需求激增,高效率、高功率密度雙向DCDC成為關(guān)鍵部件。傳統(tǒng)硅基方案受限于開關(guān)損耗和體積,效率已盡極限,且散熱成...

2025-08-21 標(biāo)簽:英飛凌mcuDCDC 2.5k 0

國(guó)產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓邁入新紀(jì)元,芯聯(lián)集成引領(lǐng)行業(yè)突破

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5月27日,中國(guó)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域迎來(lái)里程碑式的事件——芯聯(lián)集成宣布其8英寸碳化硅工程批次成功下線,這一成就標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)正式邁入國(guó)產(chǎn)化階...

2024-05-30 標(biāo)簽:晶圓碳化硅芯聯(lián)集成 2.5k 0

中國(guó)電科48所發(fā)布最新研制的8英寸碳化硅外延設(shè)備

但是,在提升晶圓面積的同時(shí),如何保證良率是目前需要解決的難題,也是目前8英寸晶圓設(shè)備面臨的挑戰(zhàn)之一。擴(kuò)大尺寸是產(chǎn)業(yè)鏈降本增效的有效路徑之一。但在擴(kuò)大尺寸...

2023-07-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓碳化硅 2.5k 0

碳化硅MOS管在消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的應(yīng)用前景

自從碳化硅MOS管在Model3牽引電驅(qū)中使用后,整個(gè)世界對(duì)碳化硅的討論就沒(méi)有停過(guò),也促進(jìn)了碳化硅MOS管在充電樁與新能源汽車中的應(yīng)用,從而提高充電速度...

2022-09-02 標(biāo)簽:MOS管氮化鎵碳化硅 2.5k 0

意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問(wèn)世

意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個(gè)方面成為新的市場(chǎng)標(biāo)桿。在滿足汽...

2024-10-12 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體碳化硅 2.5k 0

GaN和SiC熱管理的進(jìn)展

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電子元件和電路的適當(dāng)熱管理是確保系統(tǒng)在所有操作條件下正確運(yùn)行和可靠性的基本要求。當(dāng)前電子設(shè)備逐漸小型化的趨勢(shì)以及對(duì)功率密度的需求不斷增加,將熱管理問(wèn)題置...

2022-08-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 2.5k 0

半導(dǎo)體硅片行業(yè)報(bào)告,國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程加速

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第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表。第三代半導(dǎo)體材料主 要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、硒化鋅(ZnSe)等,因其禁...

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傾佳電子碳化硅SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)特性與保護(hù)機(jī)制深度研究報(bào)告

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傾佳電子碳化硅SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)特性與保護(hù)機(jī)制深度研究報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。...

2025-11-23 標(biāo)簽:SiC碳化硅SiC MOSFET 2.5k 0

從硅到碳化硅(SiC) 有哪些好處和應(yīng)用?

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2022-08-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 2.5k 0

Nexperia(安世半導(dǎo)體)針對(duì)要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用推出先進(jìn)的650 V碳化硅二極管

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和...

2023-04-20 標(biāo)簽:肖特基二極管電源轉(zhuǎn)換碳化硅 2.5k 0

英飛凌推出Sixpack三相橋碳化硅產(chǎn)品系列

 新一代碳化硅模塊采用增強(qiáng)型CoolSiC? MOSFET(M1H),首發(fā)型號(hào)為EasyPACK?和EasyDUAL?封裝。

2022-06-14 標(biāo)簽:英飛凌驅(qū)動(dòng)器封裝 2.5k 0

三安半導(dǎo)體首發(fā)8英寸碳化硅襯底,國(guó)內(nèi)8英寸加速布局!

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2023-09-14 標(biāo)簽:SiC氮化鎵碳化硅 2.5k 0

國(guó)芯思辰|混合式碳化硅分立器件用于便攜儲(chǔ)能,效率提升0.2%-0.4%

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國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代

2023-03-02 標(biāo)簽:儲(chǔ)能器件碳化硅 2.5k 0

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總體來(lái)看,當(dāng)下的晶圓代工業(yè),有兩類代工廠,一類專注于數(shù)字技術(shù),以滿足行業(yè)對(duì)存儲(chǔ)、CPU和邏輯芯片的代工需求,這類多采用先進(jìn)制程工藝,目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)更小的節(jié)點(diǎn)...

2023-07-22 標(biāo)簽:處理器半導(dǎo)體晶體管 2.5k 0

致瞻科技完成數(shù)億元B輪融資

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致瞻科技成立于2019年,是一家聚焦于碳化硅功率模塊和先進(jìn)電驅(qū)系統(tǒng)的高科技公司。為滿足自身的快速發(fā)展,致瞻科技于2021年落戶臨港浦江高科技園區(qū),建設(shè)了...

2023-09-13 標(biāo)簽:SiC功率模塊碳化硅 2.5k 0

一文看懂車規(guī)級(jí)碳化硅模塊

未來(lái)兩年高端化是整車廠主戰(zhàn)場(chǎng),軍備競(jìng)賽開啟。補(bǔ)能時(shí)間是電動(dòng)車面臨的核心短板之一,升級(jí)800V結(jié)構(gòu)有利于實(shí)現(xiàn)快充,在短期內(nèi)形成對(duì)中低端車型的差異化競(jìng)爭(zhēng)力。...

2022-04-07 標(biāo)簽:電動(dòng)車元器件碳化硅 2.5k 0

納微半導(dǎo)體公布2025年第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)

納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)公布了截至2025年3月31日的未經(jīng)審計(jì)的2025年第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。

2025-05-08 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 2.5k 0

碳化硅如何實(shí)現(xiàn)更高效的分布式太陽(yáng)能發(fā)電

碳化硅如何實(shí)現(xiàn)更高效的分布式太陽(yáng)能發(fā)電

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2022-08-05 標(biāo)簽:太陽(yáng)能半導(dǎo)體碳化硅 2.5k 0

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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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