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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

碳化硅功率器件在新能源汽車(chē)、光伏發(fā)電、軌道交通以及智能電網(wǎng)的應(yīng)用

軌道交通車(chē)輛表現(xiàn)出多樣化的發(fā)展態(tài)勢(shì),在運(yùn)營(yíng)狀態(tài)方面可以劃分為干線機(jī)車(chē)、城市軌道車(chē)輛、高速列車(chē)等類型,而城市軌道車(chē)輛與高速列車(chē)構(gòu)成了未來(lái)軌道交通發(fā)展的重要推動(dòng)力。

2022-10-19 標(biāo)簽:功率器件光伏逆變器碳化硅 3k 0

大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于ST產(chǎn)品的數(shù)字電源解決方案

大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于ST產(chǎn)品的數(shù)字電源解決方案

大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚推出基于意法半導(dǎo)體(ST)STEVAL-DPSTPFC1的數(shù)字電源解決方案。

2021-10-12 標(biāo)簽:電池充電器數(shù)字電源碳化硅 3k 0

中國(guó)電科山西碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地實(shí)現(xiàn)4英寸晶片量產(chǎn)

據(jù)中央紀(jì)委國(guó)家監(jiān)委網(wǎng)報(bào)道,目前,中國(guó)電科山西碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地已經(jīng)實(shí)現(xiàn)4英寸晶片的大批量產(chǎn),6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底也已經(jīng)開(kāi)始工程化驗(yàn)證,預(yù)計(jì)年底...

2020-06-09 標(biāo)簽:晶片碳化硅中國(guó)電科 3k 0

國(guó)產(chǎn)碳化硅進(jìn)擊8英寸 8英寸有何優(yōu)勢(shì)

隨著新能源汽車(chē)、光伏和儲(chǔ)能等市場(chǎng)的快速發(fā)展,國(guó)內(nèi)的碳化硅產(chǎn)業(yè)正迅速進(jìn)入商業(yè)化階段。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭對(duì)該產(chǎn)業(yè)表達(dá)了濃厚的興趣,并與國(guó)內(nèi)企業(yè)合作,積極追趕...

2023-07-10 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)功率半導(dǎo)體碳化硅 3k 0

湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目進(jìn)展迅速 第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目廠房主體相繼封頂

近日,湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目(一期)Ⅰ標(biāo)段濺度廠房實(shí)現(xiàn)主體結(jié)構(gòu)封頂。這是該項(xiàng)目繼M3器件封裝廠房、M4碳化硅長(zhǎng)晶廠房順利完成主體結(jié)構(gòu)封頂之后,項(xiàng)目建設(shè)迎來(lái)的...

2021-01-22 標(biāo)簽:封裝碳化硅三安 3k 0

車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率半導(dǎo)體助力新能源汽車(chē)發(fā)展

汽車(chē)電子事業(yè)部是博世汽車(chē)業(yè)務(wù)的電子產(chǎn)品的能效中心,同時(shí)也是ICs系統(tǒng)專用集成電路和MEMS傳感器等半導(dǎo)體組件的制造商和供應(yīng)商。用碳化硅(SiC)生產(chǎn)的M...

2021-03-31 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)功率半導(dǎo)體碳化硅 2.9k 0

華為海思入局碳化硅!推出1200V工規(guī)級(jí)SiC單管

華為海思入局碳化硅!推出1200V工規(guī)級(jí)SiC單管

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近海思半導(dǎo)體在官網(wǎng)上架了兩款工規(guī)1200V SiC MOSFET單管產(chǎn)品,ASO1K2H020M1T4和ASO1K2H035M1...

2025-07-27 標(biāo)簽:SiC海思碳化硅 2.9k 0

5G通信技術(shù)進(jìn)一步引領(lǐng)新興半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模

5G通信技術(shù)進(jìn)一步引領(lǐng)新興半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模

半導(dǎo)體材料升級(jí)換代。作為集成電路發(fā)展基礎(chǔ),半導(dǎo)體材料逐步更新?lián)Q代,第一代半導(dǎo)體材料以硅(Si)為主導(dǎo),目前,95%的半導(dǎo)體器件和 99%以上的集成電路都...

2017-03-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料碳化硅5G 2.9k 0

國(guó)內(nèi)上市的碳化硅企業(yè)的表現(xiàn)情況

碳化硅之所以受到投資青睞,歸功于其獨(dú)特的半導(dǎo)體屬性,能夠在極端的高溫、高壓、高功率、和高頻環(huán)境中發(fā)揮出色,預(yù)示著其在多種應(yīng)用場(chǎng)景中的巨大潛力。

2024-02-25 標(biāo)簽:碳化硅 2.9k 0

SiC碳化硅MOSFET在LLC應(yīng)用中取代超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)和邏輯

SiC碳化硅MOSFET在LLC應(yīng)用中取代超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)和邏輯

傾佳電子電源LLC深度研究分析與SiC碳化硅MOSFET在LLC應(yīng)用中取代超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)和邏輯 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于...

2025-09-01 標(biāo)簽:MOSFETSiCLLC 2.9k 0

從柵極驅(qū)動(dòng)電路的器件選型到設(shè)計(jì),提升碳化硅MOSFET性能

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))近年來(lái),隨著光伏、軌道交通、汽車(chē)電子產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,以及對(duì)性能與效率的追求,具有寬禁帶、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽遷移率...

2022-11-27 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅 2.9k 0

科銳在美國(guó)紐約建造全球最大的碳化硅(SiC)制造工廠

美國(guó)北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊––Cree,Inc.(Nasdaq:CREE)宣布,科銳正在推進(jìn)從硅(Si)向碳化硅(SiC)的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。為了滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)...

2020-09-02 標(biāo)簽:LEDSic碳化硅 2.9k 0

CISSOID和清華大學(xué)電機(jī)系共同研發(fā)碳化硅功率模塊系統(tǒng)

CISSOID與清華大學(xué)電機(jī)工程與應(yīng)用電子技術(shù)系(簡(jiǎn)稱電機(jī)系)達(dá)成技術(shù)合作意向,雙方將攜手研發(fā)基于碳化硅(SiC)功率模塊的系統(tǒng),期望共同攻克技術(shù)難題以...

2019-04-08 標(biāo)簽:CISSOID功率模塊碳化硅 2.9k 0

增長(zhǎng)超250%!13家SiC廠商業(yè)績(jī)PK

增長(zhǎng)超250%!13家SiC廠商業(yè)績(jī)PK

據(jù)天岳先進(jìn)披露,2023年前三季度營(yíng)業(yè)收入8.25億元,較去年同期2.69億元,同比增長(zhǎng)206.06%,公司1-9月?tīng)I(yíng)收已經(jīng)遠(yuǎn)超去年全年;2023年第三...

2023-11-03 標(biāo)簽:SiC碳化硅華潤(rùn)微 2.9k 0

碳化硅材料有什么特點(diǎn)

碳化硅材料有什么特點(diǎn)

目前車(chē)規(guī)級(jí)IGBT功率模塊主要采用硅基材料制作,與硅基半導(dǎo)體材料相比, 以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率等特...

2025-09-29 標(biāo)簽:MOSFETIGBT碳化硅 2.9k 0

2024年中國(guó)碳化硅晶圓全球占比將達(dá)到50%

天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等公司紛紛增加碳化硅晶圓/襯底的產(chǎn)能。目前,這些中國(guó)企業(yè)的總產(chǎn)能約為每月6萬(wàn)片。隨著各公司產(chǎn)能的逐步釋放,預(yù)計(jì)到2024年,...

2023-11-20 標(biāo)簽:晶圓SiC碳化硅 2.9k 0

積塔半導(dǎo)體增資至169億,國(guó)調(diào)二期基金等入股,猛增66.5%!

積塔半導(dǎo)體增資至169億,國(guó)調(diào)二期基金等入股,猛增66.5%!

公司通過(guò)了ISO9001、VDA 6.3 (Grade A)、IATF 16949、ISO 14001、ISO/IEC 27001等質(zhì)量、環(huán)境及信息安全...

2024-01-29 標(biāo)簽:集成電路碳化硅積塔半導(dǎo)體 2.9k 0

漢京半導(dǎo)體完成數(shù)千萬(wàn)元天使輪融資,加速半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅制品研發(fā)

近日,遼寧漢京半導(dǎo)體材料有限公司(以下簡(jiǎn)稱“漢京半導(dǎo)體”)宣布完成數(shù)千萬(wàn)元天使輪融資,由浙商創(chuàng)投獨(dú)家投資。本輪融資將主要用于半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅制品的研發(fā)...

2022-11-01 標(biāo)簽:碳化硅漢京半導(dǎo)體 2.9k 0

6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

2023年12月,日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼(VB)法成功制備出直徑6英寸的β型氧化鎵(β-Ga2O3)單...

2023-12-29 標(biāo)簽:功率器件SiCGaN 2.9k 0

改進(jìn)碳化硅晶圓工藝

改進(jìn)碳化硅晶圓工藝

碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)和新能源等市場(chǎng)的重要性促使許多公司重新審視和投資晶圓技術(shù),以制定符合需求的發(fā)展計(jì)劃。 X-Trinsic 是一家旨在改進(jìn)制造工藝并專注于...

2022-08-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓設(shè)計(jì) 2.9k 0

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  • 28nm
    28nm
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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料,設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電,汽車(chē)相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等,都有村田公司的身影。
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    TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè),我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷(xiāo)售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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    提供最新的羅姆公司產(chǎn)品,最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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