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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

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2026-02-10 標(biāo)簽：共模電壓電力電子系統(tǒng)碳化硅 126 0

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2026-02-08 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 673 0

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2026-02-01 標(biāo)簽：SiC 碳化硅固態(tài)變壓器 370 0

隔離DC-DC：DAB和LLC技術(shù)特點及發(fā)展趨勢

在全球能源結(jié)構(gòu)向低碳化、電氣化轉(zhuǎn)型的宏大背景下，電力電子技術(shù)正經(jīng)歷著一場深刻的架構(gòu)性變革。隨著電動汽車（EV）滲透率的指數(shù)級增長以及新型電力系統(tǒng)對儲能（...

2026-02-01 標(biāo)簽：DC-DC 功率器件碳化硅 1k 0

無橋功率因數(shù)校正（PFC）拓撲演進及碳化硅（SiC）MOSFET應(yīng)用研究

隨著全球能效法規(guī)（如80 PLUS Titanium、歐盟ErP指令）的日益嚴苛以及電力電子系統(tǒng)對高功率密度的迫切需求，傳統(tǒng)的AC-DC轉(zhuǎn)換架構(gòu)正經(jīng)歷著...

2026-02-01 標(biāo)簽：MOSFET 功率因數(shù)碳化硅 477 0

基本半導(dǎo)體汽車級Pcore6 HPD Mini封裝碳化硅MOSFE模塊介紹

基本半導(dǎo)體汽車級Pcore6 HPD Mini封裝碳化硅MOSFE模塊是一款專為新能源汽車主驅(qū)逆變器設(shè)計的高性能、高功率、小型化的功率模塊。

2026-02-01 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅基本半導(dǎo)體 748 0

SiC碳化硅功率模塊與配套驅(qū)動技術(shù)的系統(tǒng)性變革：從IGBT模塊替代到電力電子架構(gòu)重構(gòu)

當(dāng)前，全球電力電子產(chǎn)業(yè)正處于從硅（Si）基器件向?qū)捊麕В╓BG）半導(dǎo)體器件轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵歷史時期。隨著“雙碳”戰(zhàn)略的推進和工業(yè)裝備電氣化程度的加深，對電能轉(zhuǎn)...

2026-02-01 標(biāo)簽：SiC 功率模塊碳化硅 1.9k 0

功率因數(shù)校正（PFC）技術(shù)的演進與變革：從起源到碳化硅（SiC）賦能

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2026-01-30 標(biāo)簽：PFC 功率因數(shù)校正碳化硅 808 0

新品 | Q-DPAK封裝的碳化硅CoolSiC? 750V MOSFET評估板

新品Q-DPAK封裝的碳化硅CoolSiC750VMOSFET評估板EVAL_QDPAK_FB_V2_1評估板旨在評估采用Q-DPAK封裝的CoolSi...

2026-01-29 標(biāo)簽：MOSFET 評估板碳化硅 1.3k 0

Stercom采用Wolfspeed碳化硅打造創(chuàng)新22kW車載充電機

越來越多的新能源汽車用戶希望借助不斷擴展的充電網(wǎng)絡(luò)充分利用他們的電池，來為家庭、本地電網(wǎng)、另一輛車進行供電，或者通過雙向充電機從任何這些負載端接收電力。...

2026-01-29 標(biāo)簽：碳化硅電池 Wolfspeed 575 0

全碳化硅 (All-SiC) 有源中點鉗位 (ANPC) 拓撲解決方案研究報告

全碳化硅 (All-SiC) 有源中點鉗位 (ANPC) 拓撲解決方案研究報告：設(shè)計、性能分析與系統(tǒng)集成 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)...

2026-01-28 標(biāo)簽：碳化硅 ANPC 297 0

派恩杰深度解讀SiC MOSFET柵氧可靠性問題

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體的核心材料，正在電動汽車(EV)、可再生能源和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域引發(fā)一場深刻的革命。其卓越的高電壓、高頻率和高溫性能，使得功率...

2026-01-28 標(biāo)簽：功率器件碳化硅派恩杰 579 0

新品 | 碳化硅SiC 5.5kW三相交錯并聯(lián)LLC諧振變換器評估板

新品碳化硅SiC5.5kW三相交錯并聯(lián)LLC諧振變換器評估板EVAL_5K5W_3PH_LLC_SiC5.5kW三相交錯并聯(lián)LLC諧振變換器，能將400...

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森國科微型化750V SiC MOSFET晶圓的破局之道

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2026-01-26 標(biāo)簽：SiC 碳化硅森國科 928 0

深度解析SiC碳化硅功率MOSFET米勒效應(yīng)：物理機制、動態(tài)影響與橋式電路中的串?dāng)_抑制

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2026-01-26 標(biāo)簽：SiC 功率MOSFET 碳化硅 357 0

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2026-01-25 標(biāo)簽：MPPT 功率半導(dǎo)體碳化硅 259 0

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28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
20nm

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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

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TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
羅姆

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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因為與典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時間往往是個問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?shù)據(jù)，無線鏈路可用時再行處理。
金升陽

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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
Vicor

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美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓撲。
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動作，與周邊的裝置或環(huán)境互動，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動。本章詳細介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計算機視覺算法運行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實時存儲器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進行提取。
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