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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

碳化硅功率 MOSFET 制造中外延后和爐前清潔

碳化硅MOSFETs進(jìn)入量產(chǎn)階段碳化硅(SiC)功率器件提供更高的開關(guān)效率，非常適合高溫和中高壓應(yīng)用(1，2)。因此，它們有望在未來十年刺激1000 ...

2022-06-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 1.8k 0

簡述碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅（SiliconCarbide,SiC）是一種新興的半導(dǎo)體材料，因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性，正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅（Si）材料，成為功率器件領(lǐng)域的...

2025-06-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1.8k 0

利用C2000實(shí)時(shí)MCU提高GaN數(shù)字電源設(shè)計(jì)實(shí)用性

Other Parts Discussed in Post: TMS320F280025, TMS320F28379D 與碳化硅 (SiC)FET 和...

2022-01-12 標(biāo)簽：嵌入式處理 SiC 碳化硅 1.8k 0

納微半導(dǎo)體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET

納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn)，以滿足最嚴(yán)苛汽車及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“...

2025-05-14 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅納微半導(dǎo)體 1.7k 0

多家產(chǎn)業(yè)機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資，瞻芯電子完成數(shù)億元Pre-B輪融資

上海瞻芯電子科技有限公司（以下簡稱“瞻芯電子”）宣布完成數(shù)億元Pre-B輪融資，本輪融資由上汽集團(tuán)戰(zhàn)略直投基金、尚頎資本（上汽集團(tuán)旗下私募股權(quán)投資平臺(tái)）...

2022-12-23 標(biāo)簽：晶圓 SiC 碳化硅 1.7k 0

功率半導(dǎo)體的成長之路

在日常生活中，我們對手機(jī)、電腦、電視等電子設(shè)備習(xí)以為常，享受著它們帶來的便利與娛樂。但你是否想過，這些設(shè)備正常運(yùn)行的背后，是什么在默默發(fā)揮關(guān)鍵作用?答案...

2025-02-06 標(biāo)簽：晶閘管功率半導(dǎo)體碳化硅 1.7k 0

科銳推出封裝型1700V碳化硅肖特基二極管C3Dxx170H

碳化硅(SiC)功率器件的市場領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出全新系列封裝型二極管。在現(xiàn)有碳化硅肖特基二極管技術(shù)條件下，該系列二極...

2012-02-07 標(biāo)簽：肖特基二極管科銳碳化硅 1.7k 0

基本半導(dǎo)體參加2017中國半導(dǎo)體器件創(chuàng)新產(chǎn)品與應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇

近日，第十一屆中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件年會(huì)暨2017中國半導(dǎo)體器件創(chuàng)新產(chǎn)品與應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在西安順利舉行，深圳基本半導(dǎo)體有限公司作為支持單位參與了...

2017-08-09 標(biāo)簽：igbt 功率器件碳化硅 1.7k 0

CISSOID和中科院電工所建立戰(zhàn)略合作關(guān)系共同推動(dòng)碳化硅功率器件應(yīng)用

高溫半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商CISSOID日前宣布：公司已與中國科學(xué)院電工研究所（簡稱中科院電工所）達(dá)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，將共同開展基于碳化硅（SiC）功率模塊...

2019-06-10 標(biāo)簽：CISSOID SiC 碳化硅 1.7k 0

淺談碳化硅器件對充電樁的的作用分析

電動(dòng)汽車發(fā)展正步入高速增長階段。2023年開年，行業(yè)研究機(jī)構(gòu)伊維經(jīng)濟(jì)研究院發(fā)布數(shù)據(jù)稱，2022年，全球新能源汽車銷量達(dá)到1082.4萬輛，同比增長61....

2023-02-20 標(biāo)簽：MOSFET SiC 充電樁 1.7k 0

碳化硅功率器件的基本特性和主要類型

隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注日益加深，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的半導(dǎo)體材料，正在快速崛起。SiC以其優(yōu)異的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和抗輻...

2025-09-03 標(biāo)簽：功率器件碳化硅 1.7k 0

三菱電機(jī)將于4月開始在熊本縣菊池市建設(shè)新SiC廠房

三菱電機(jī)計(jì)劃在熊本縣菊池市的現(xiàn)有工廠廠區(qū)內(nèi)投資約1000億日元（折合人民幣約48.56億元）建設(shè)新的SiC（碳化硅）晶圓廠。

2024-03-21 標(biāo)簽：晶圓三菱電機(jī)SiC 1.7k 0

環(huán)旭電子推出創(chuàng)新型150KW功率模組，適用于電動(dòng)車驅(qū)動(dòng)逆變器

全球電子設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者USI環(huán)旭電子（上海證券交易所代碼：601231）今日宣布其功率模組團(tuán)隊(duì)正式啟動(dòng)了一項(xiàng)開創(chuàng)性的聯(lián)合設(shè)計(jì)制造（JDM）項(xiàng)目，...

2024-03-14 標(biāo)簽：電動(dòng)車逆變器碳化硅 1.7k 0

破局300mm！Wolfspeed碳化硅晶圓取得關(guān)鍵突破

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道美國東部時(shí)間2026年1月13日，全球碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)Wolfspeed公司宣布成功制造出單晶300毫米（12英寸）碳化硅...

2026-01-15 標(biāo)簽：碳化硅 Wolfspeed 1.7k 0

碳化硅（SiC）MOSFET以低價(jià)策略顛覆市場的核心邏輯

碳化硅（SiC）MOSFET以低價(jià)策略顛覆市場的核心邏輯:低價(jià)SiC器件的“致命性”在于性價(jià)比的絕對碾壓

2025-02-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.7k 0

2025被廣泛視為SiC碳化硅在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT的元年

2025年被廣泛視為碳化硅（SiC）器件在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的元年，在于國產(chǎn)SiC（碳化硅）單管和模塊價(jià)格首次低于進(jìn)口...

2025-03-07 標(biāo)簽：IGBT SiC 碳化硅 1.7k 0

2024年意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)精彩回顧

???????? 展示工業(yè)技術(shù)產(chǎn)品和解決方案的頂級(jí)行業(yè)盛會(huì)——2024年意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)已經(jīng)圓滿閉幕。意法半導(dǎo)體和技術(shù)合作伙伴帶來了令人耳目一新的...

2024-11-13 標(biāo)簽：ST 意法半導(dǎo)體碳化硅 1.7k 0

氮化鎵器件在高頻應(yīng)用中的優(yōu)勢

氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率，主要?dú)w功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。

2025-06-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 GaN 1.7k 0

安森美助力工業(yè)光伏儲(chǔ)能與伺服系統(tǒng)高效進(jìn)化

在工業(yè)新能源與伺服驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，高功率密度、高效率、長壽命及系統(tǒng)成本優(yōu)化已經(jīng)成為市場的核心挑戰(zhàn)。在2025年7月12日的電源網(wǎng)電力電子與應(yīng)用大會(huì)（深圳站）上...

2025-07-28 標(biāo)簽：安森美逆變器光伏 1.7k 0

228億！三安光電與意法半導(dǎo)體投建8英寸SiC廠

據(jù)悉，該合資廠全部建設(shè)總額預(yù)計(jì)約達(dá)32億美元（約228.2億人民幣），其中未來5年的資本支出約為24億美元，資金來源包括來自意法半導(dǎo)體和三安光電的資金投...

2023-06-09 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體碳化硅三安光電 1.7k 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
20nm

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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個(gè)國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
驍龍

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驍龍是Qualcomm Technologies（美國高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
Cortex-A

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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
Mobileye

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Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
超級(jí)本

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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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