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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

碳化硅（SiC）MOSFET模塊硬并聯(lián)中環(huán)流產(chǎn)生的根本機(jī)理及綜合抑制策略

碳化硅（SiC）MOSFET模塊硬并聯(lián)中環(huán)流產(chǎn)生的根本機(jī)理及綜合抑制策略研究報(bào)告 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級(jí)代理商傾佳電子（C...

2026-01-25 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅 254 0

商業(yè)航天產(chǎn)業(yè)里國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）功率器件與驅(qū)動(dòng)解決方案的戰(zhàn)略價(jià)值分析

在全球航天工業(yè)經(jīng)歷從政府主導(dǎo)向商業(yè)化運(yùn)作轉(zhuǎn)型的歷史性時(shí)刻，功率電子系統(tǒng)的性能、可靠性與成本效益已成為決定運(yùn)載火箭運(yùn)力、衛(wèi)星壽命及星座運(yùn)營(yíng)經(jīng)濟(jì)性的核心變量。

2026-01-24 標(biāo)簽：航天功率器件碳化硅 305 0

基于碳化硅MOSFET并聯(lián)的125kW T型三電平混合逆變器工程設(shè)計(jì)報(bào)告

隨著全球工商業(yè)（C&I）儲(chǔ)能與光伏系統(tǒng)的快速發(fā)展，100kW至150kW功率段的變流器已成為連接分布式能源與中壓電網(wǎng)的核心樞紐。

2026-01-24 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器碳化硅 1.2k 0

B3M系列碳化硅MOSFET在高效高防護(hù)戶儲(chǔ)逆變器中的應(yīng)用

基本半導(dǎo)體B3M系列碳化硅MOSFET在高效高防護(hù)戶儲(chǔ)逆變器中的應(yīng)用與可靠性研究 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級(jí)代理商傾佳電子（C...

2026-01-24 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器碳化硅 808 0

新品 | CoolSiC? 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL? 1200V

新品CoolSiC碳化硅MOSFETM1HEasyDUAL1200VEasyDUAL2BCoolSiCMOSFET半橋模塊通過AQG324認(rèn)證，采用Pr...

2026-01-22 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.3k 0

森國(guó)科發(fā)布SOD123封裝1200V/1A碳化硅二極管

深圳市森國(guó)科科技股份有限公司將原本用于硅基器件的小型封裝SOD123成功應(yīng)用于1200V/1A碳化硅二極管，這一突破彰顯了其在碳化硅器件設(shè)計(jì)領(lǐng)域的領(lǐng)先實(shí)力。

2026-01-20 標(biāo)簽：二極管碳化硅森國(guó)科 736 0

博世碳化硅垂直溝槽蝕刻技術(shù)的核心優(yōu)勢(shì)

隨著全球汽車行業(yè)向電動(dòng)化轉(zhuǎn)型，碳化硅芯片因其卓越的性能，成為電動(dòng)汽車發(fā)展的關(guān)鍵推動(dòng)力以及眾多整車廠的首選。在這一技術(shù)前沿，博世憑借其創(chuàng)新的溝槽蝕刻技術(shù)，...

2026-01-19 標(biāo)簽：芯片制造碳化硅博世 515 0

核聚變電源的主要分類和功能及SiC碳化硅功率元器件與配套驅(qū)動(dòng)的支撐作用

核聚變電源的主要分類和功能及基本半導(dǎo)體SiC功率元器件與驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品線的支撐作用研究報(bào)告 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級(jí)代理商傾佳電...

2026-01-18 標(biāo)簽：電源 SiC 碳化硅 292 0

維也納整流拓?fù)浼夹g(shù)的全景解析：從歷史溯源到SiC碳化硅時(shí)代的效能革命

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2026-01-17 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 167 0

圖騰柱PFC整流原理、拓?fù)溲葸M(jìn)與碳化硅MOSFET應(yīng)用深度研究報(bào)告

圖騰柱PFC整流原理、拓?fù)溲葸M(jìn)與碳化硅MOSFET應(yīng)用深度研究報(bào)告 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級(jí)代理商傾佳電子（Changer ...

2026-01-17 標(biāo)簽：MOSFET PFC 碳化硅 337 0

國(guó)產(chǎn)低內(nèi)阻SiC碳化硅MOSFET單管的產(chǎn)品矩陣特點(diǎn)與應(yīng)用范疇研究報(bào)告

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2026-01-17 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅 228 0

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面替代進(jìn)口器件征程的品質(zhì)底色

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面替代進(jìn)口器件征程的品質(zhì)底色：以基本半導(dǎo)體可靠性報(bào)告為核心的深度解析 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級(jí)...

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深度解析SiC碳化硅MOSFET功率模塊并聯(lián)技術(shù):交錯(cuò)與硬并聯(lián)

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2026-01-17 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率模塊 1.4k 0

行業(yè)快訊：第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?，碳化硅器件成本有望三年?nèi)接近硅基

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2026-01-16 標(biāo)簽：碳化硅第三代半導(dǎo)體 463 0

Wolfspeed成功制造出單晶300mm碳化硅晶圓

球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (美國(guó)紐約證券交易所上市代碼: WOLF) 今日宣布了一項(xiàng)重大行業(yè)里程碑：成功制造出單晶 300 m...

2026-01-16 標(biāo)簽：功率器件碳化硅 Wolfspeed 2.2k 0

破局300mm！Wolfspeed碳化硅晶圓取得關(guān)鍵突破

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道美國(guó)東部時(shí)間2026年1月13日，全球碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)Wolfspeed公司宣布成功制造出單晶300毫米（12英寸）碳化硅...

2026-01-15 標(biāo)簽：碳化硅 Wolfspeed 1.7k 0

電力電子DPT雙脈沖測(cè)試原理及其在國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊進(jìn)程中的技術(shù)價(jià)值

隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型與電氣化進(jìn)程的加速，電力電子技術(shù)作為電能高效轉(zhuǎn)換的核心，正經(jīng)歷著從硅（Si）基器件向?qū)捊麕В╓BG）半導(dǎo)體器件——特別是碳化硅（S...

2026-01-24 標(biāo)簽：SiC 功率模塊碳化硅 535 0

SST固態(tài)變壓器所需SiC模塊之中國(guó)本土供應(yīng)鏈分析

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固態(tài)變壓器SST即電力電子變壓器（PET）拓?fù)浼軜?gòu)解析與演進(jìn)趨勢(shì)研究報(bào)告

傳統(tǒng)的電力系統(tǒng)建立在交流電（AC）與低頻變壓器（LFT）的基礎(chǔ)之上，這一架構(gòu)在一個(gè)多世紀(jì)以來一直是全球能源傳輸?shù)幕?/p>

2026-01-20 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅固態(tài)變壓器 966 0

軌道級(jí)能源革命：太空太陽能光伏逆變器技術(shù)演進(jìn)與碳化硅（SiC）器件的天然適配性

軌道級(jí)能源革命：太空太陽能光伏逆變器技術(shù)演進(jìn)與碳化硅（SiC）器件的天然適配性 —— 以基本半導(dǎo)體技術(shù)路線為例 BASiC Semiconductor基...

2026-01-13 標(biāo)簽：太陽能光伏逆變器碳化硅 642 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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