碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

碳化硅陶瓷應(yīng)用在光纖領(lǐng)域的優(yōu)勢有哪些？碳化硅陶瓷是一種具有廣泛應(yīng)用潛力的材料，特別是在光纖領(lǐng)域。以下是碳化硅陶瓷在光纖領(lǐng)域的優(yōu)勢。 1. 高溫穩(wěn)定性：...

2023-12-19 標(biāo)簽：光纖傳感器激光器碳化硅 1.3k 0

方正微電子亮相2025慕尼黑上海電子展

方正微電子攜碳化硅全場景解決方案，亮相上海慕尼黑電子展，這場以“車規(guī)碳化硅功率專家”為核心的場景化展示，引來了客戶、媒體、同行矚目，紛紛來展臺交流參觀，...

2025-04-17 標(biāo)簽：SiC 碳化硅慕尼黑上海電子展 1.3k 0

基本半導(dǎo)體亮相2025上海國際充換電與光儲充展覽會

此前，5月14-16日，2025第四屆上海國際充換電與光儲充展覽會（簡稱：CPSE上海充換電展）在上海汽車會展中心盛大開幕?；景雽?dǎo)體攜全系列碳化硅功率...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件碳化硅 1.3k 0

國星光電SiC-SBD通過車規(guī)級認(rèn)證

國星光電SiC-SBD器件采用TO-247-2L封裝形式,在長達(dá)1000小時的高溫、高濕等惡劣環(huán)境下驗證，仍能保持正常穩(wěn)定的工作狀態(tài)，可更好地適應(yīng)復(fù)雜多...

2023-03-22 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 碳化硅 1.3k 0

三安半導(dǎo)體與虹安微電子簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

近日，三安半導(dǎo)體與虹安微電子在湖南長沙成功簽署了一項重要的戰(zhàn)略合作協(xié)議，標(biāo)志著雙方在碳化硅（SiC）領(lǐng)域的合作邁上了新臺階。此次合作旨在通過強強聯(lián)合，共...

2024-09-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.3k 0

專為純電動汽車平臺設(shè)計的800V碳化硅高壓逆變器

新型逆變器具有兩種模塊，且都可用于乘用BEV：一種250kW模塊，適用于乘用車和全輪驅(qū)動跨界多功能車。

2023-02-27 標(biāo)簽：逆變器碳化硅高壓逆變器 1.3k 0

SiC FET封裝選項提高了車載充電器性能

功率轉(zhuǎn)換效率對于解決電動汽車?yán)m(xù)航里程和充電時間的擔(dān)憂至關(guān)重要。具有直流輸出和大型磁性元件的車載充電器（OBC）可以通過在更高頻率下切換而受益于減小的...

2022-07-25 標(biāo)簽：電動車充電器碳化硅 1.3k 0

PI擬收購Odyssey以推動PowiGaN技術(shù)研發(fā)

PI方面強調(diào)，此舉將提升公司獨特的PowiGaN技術(shù)的研發(fā)實力，這是其廣泛用于InnoSwitch IC、HiperPFS-5功率因數(shù)校正IC等一系列產(chǎn)...

2024-05-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅晶圓制造 1.3k 0

如何選擇 1200V SiC（碳化硅）TO-247 單管的耐高溫絕緣導(dǎo)熱墊片？

近期，華為旗下海思技術(shù)有限公司正式進(jìn)軍碳化硅功率器件領(lǐng)域，推出了兩款1200V工規(guī)SiC單管產(chǎn)品——ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H020M...

2025-07-29 標(biāo)簽：碳化硅導(dǎo)熱 1.3k 0

碳化硅助力電動汽車應(yīng)用

關(guān)于硅基 IGBT，碳化硅 MOSFET 在此應(yīng)用中也提供更好的性能：效率提高 2% 以上，功率密度增加 33%，系統(tǒng)成本更低，組件更少。

2022-08-09 標(biāo)簽：電動汽車充電器碳化硅 1.3k 0

安森美收購碳化硅JFET技術(shù)，強化AI數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品組合

近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司安森美(onsemi)宣布了一項重大收購計劃，已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，將以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Si...

2024-12-24 標(biāo)簽：安森美 JFET AI 1.3k 0

Wolfspeed建廠成本高，預(yù)計虧損超預(yù)期

據(jù)refinitive預(yù)測，與分析家們預(yù)測的29美分相比，Wolfspeed速度最近季度的調(diào)整損失將在每股60美分到75美分之間。該公司的中期季度收益從...

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中國碳化硅襯底價格驟降，外資企業(yè)仍主導(dǎo)市場

盡管部分中國企業(yè)計劃加大本土供應(yīng)鏈采購力度以降低成本，然而考慮到安全性和可靠性問題，一些電動汽車制造商可能不會完全依賴或提高本土供應(yīng)份額，從而使得實際自...

2024-03-06 標(biāo)簽：電動汽車供應(yīng)鏈碳化硅 1.3k 0

碳化硅（SiC）功率模塊方案對工商業(yè)儲能變流器PCS市場格局的重構(gòu)

碳化硅（SiC）模塊方案（如BMF240R12E2G3）對工商業(yè)儲能變流器PCS市場格局產(chǎn)生顛覆性的重構(gòu)： 2025年， SiC模塊方案（如BMF240...

2025-04-13 標(biāo)簽：碳化硅儲能變流器 1.3k 0

安森美與Entegris達(dá)成碳化硅半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議

近日，工業(yè)材料領(lǐng)域的佼佼者Entegris宣布與知名芯片制造商安森美半導(dǎo)體簽署了一項長期供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，Entegris將為安森美提供制造碳化硅...

2024-08-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體安森美碳化硅 1.3k 0

SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模塊：高效能、超快開關(guān)與卓越熱管理

近日，半導(dǎo)體技術(shù)公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術(shù)的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的共封裝設(shè)計，具備...

2025-04-25 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 SemiQ 1.3k 0

東芝私有化后 CEO島田太郎仍將留任

此外，日本金融服務(wù)公司歐力士以及中部電力各自將派出一名高層加入董事會。這兩家企業(yè)分別出資 2000 億日元（折合約 14 億美元）和 1000 億日元（...

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ST未來3年制造戰(zhàn)略揭秘

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2023-06-05 標(biāo)簽：晶圓氮化鎵功率半導(dǎo)體 1.3k 0

國產(chǎn)碳化硅MOSFET全面開啟對超結(jié)MOSFET的替代浪潮

碳化硅（SiC）MOSFET全面取代超結(jié)（SJ）MOSFET的趨勢分析及2025年對電源行業(yè)的影響一、SiC MOSFET取代SJ MOSFET的必然...

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新能源車的福音：雙面燒結(jié)銀技術(shù)替代焊線技術(shù)，提升碳化硅模塊的功率

2024-01-24 標(biāo)簽：功率新能源車碳化硅 1.3k 0

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28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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