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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

+關(guān)注26人關(guān)注

金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

英飛凌擴(kuò)展碳化硅晶圓供應(yīng)陣營(yíng),與美國(guó)高意集團(tuán)簽署供應(yīng)協(xié)議

英飛凌擴(kuò)展碳化硅晶圓供應(yīng)陣營(yíng),與美國(guó)高意集團(tuán)簽署供應(yīng)協(xié)議

【2022年9月19日,德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)與高意集團(tuán) (納斯達(dá)克代碼:IIVI)簽...

2022-09-20 標(biāo)簽:英飛凌晶圓碳化硅 1.1k 0

多維科技推出2MHz帶寬的TMR265x系列可編程TMR線性傳感器

多維科技推出2MHz帶寬的TMR265x系列可編程TMR線性傳感器

全新的TMR傳感器系列具有出色的溫度穩(wěn)定性和多功能性,為高速功率器件提供寬頻譜電流檢測(cè)方案。

2023-05-11 標(biāo)簽:傳感器旋轉(zhuǎn)編碼器電流傳感器 1.1k 0

新品 | 用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動(dòng)評(píng)估板

新品 | 用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動(dòng)評(píng)估板

新品用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動(dòng)評(píng)估板評(píng)估板EVAL-FFXMR20KM1HDR可以幫助客戶快速啟動(dòng)基于2kV碳化硅MOSFET樣機(jī)的特性...

2024-05-09 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅數(shù)字驅(qū)動(dòng)器 1.1k 0

車規(guī)功率器件量?jī)r(jià)齊升市場(chǎng)規(guī)模已超過(guò)1000億元

按技術(shù)特點(diǎn)與功能的不同,功率半導(dǎo)體器件可以分為二極管、晶閘管、晶體管等產(chǎn)品。其中,晶體管包含BJT、MOSFET、IGBT等熱門品線,總體占比超過(guò)70%...

2023-02-14 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 1.1k 0

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其...

2025-06-10 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 1.1k 0

中微公司提議回購(gòu)股份,以維護(hù)公司價(jià)值及股東權(quán)益

據(jù)了解,中微公司自2012年至2023年,每年?duì)I收平均增長(zhǎng)率保持在35%以上。近期推出的LPCVD設(shè)備和ALD設(shè)備已成功推向市場(chǎng),其中三款設(shè)備已獲客戶認(rèn)...

2024-02-01 標(biāo)簽:功率器件碳化硅中微 1.1k 0

國(guó)芯思辰 |1200V的碳化硅肖特基二極管B2D60120H1可用于光伏MPPT

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國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代

2023-04-23 標(biāo)簽:二極管碳化硅國(guó)芯思辰 1.1k 0

Wolfspeed破產(chǎn)重組 SiC行業(yè)格局生變

Wolfspeed破產(chǎn)重組 SiC行業(yè)格局生變

近日,行業(yè)先驅(qū)Wolfspeed被曝?cái)M通過(guò)破產(chǎn)保護(hù)程序?qū)嵤I(yè)務(wù)重組。這一動(dòng)向折射出SiC產(chǎn)業(yè)激烈競(jìng)爭(zhēng)下的洗牌趨勢(shì),也凸顯中國(guó)供應(yīng)鏈的快速崛起對(duì)傳統(tǒng)巨頭的...

2025-05-26 標(biāo)簽:SiC碳化硅 1.1k 0

200mm SiC 生產(chǎn)之路

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降低半導(dǎo)體制造成本的一個(gè)關(guān)鍵方法是采用更大直徑的晶圓。Si CMOS 制造在 90 年代經(jīng)歷了 150 毫米到 200 毫米的轉(zhuǎn)變,隨后在十年左右的時(shí)間...

2022-07-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓工業(yè) 1.1k 0

SiC MOSFET的基本概念

隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注不斷加深,寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用逐漸成為電子器件行業(yè)的熱點(diǎn)。碳化硅(SiC)作為一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,因...

2025-07-08 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 1.1k 0

國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

碳化硅行業(yè)觀察:國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來(lái),碳化硅(SiC)功率器件市場(chǎng)雖高速增長(zhǎng),但行業(yè)集中度快速提升,2024年以來(lái)...

2025-02-24 標(biāo)簽:功率器件碳化硅 1.1k 0

碳化硅襯底價(jià)格戰(zhàn)風(fēng)起云涌?聽(tīng)產(chǎn)業(yè)鏈上市公司怎么說(shuō)

對(duì)于一線SiC廠商掀起“價(jià)格戰(zhàn)”、SiC襯底降價(jià)近三成等說(shuō)法,業(yè)內(nèi)持有不同觀點(diǎn)。

2024-02-23 標(biāo)簽:碳化硅三安光電 1.1k 0

Diodes公司推出五款高性能650V碳化硅肖特基二極管

Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布擴(kuò)大碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品組合,推出五款高性能、低品質(zhì)因數(shù) (FoM) 的 65...

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使用碳化硅模塊的充電設(shè)備設(shè)計(jì)

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碳化硅(SiC)功率模塊因其高效能和可靠性,正在迅速成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備中不可或缺的組件。MPRA1C65-S61是一款先進(jìn)的SiC模塊,特別適用于各種...

2024-06-06 標(biāo)簽:SiC碳化硅充電設(shè)備 1.1k 0

方正微電子榮膺2025灣芯展卓越企業(yè)獎(jiǎng)

三天的精彩呈現(xiàn),無(wú)數(shù)的思想碰撞,本次灣芯展于10月17日?qǐng)A滿落下帷幕。

2025-10-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅 1.1k 0

萬(wàn)年芯:半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代浪潮,機(jī)遇與挑戰(zhàn)的“加速跑”

萬(wàn)年芯:半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代浪潮,機(jī)遇與挑戰(zhàn)的“加速跑”

半導(dǎo)體作為現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的基石,從智能手機(jī)、電腦、服務(wù)器等消費(fèi)電子產(chǎn)品,到汽車、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新興領(lǐng)域,其重要性不言而喻。近年來(lái),中國(guó)半...

2024-12-27 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 1.1k 0

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體全面取代Wolfspeed進(jìn)口器件的路徑

在Wolfspeed宣布破產(chǎn)的背景下,國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來(lái)了替代其市場(chǎng)份額的重大機(jī)遇。

2025-06-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 1.1k 0

SemiQ 600V SiC Diode Modules說(shuō)明介紹

SemiQ 600V SiC Diode Modules說(shuō)明介紹

與傳統(tǒng)的硅基二極管相比,SiC二極管模塊具有更快的開(kāi)關(guān)速度、更低的反向恢復(fù)損耗和更高的工作溫度。SiC技術(shù)的發(fā)展推動(dòng)了電力電子設(shè)備的能效提升和尺寸縮小。

2024-05-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體Modules碳化硅 1.1k 0

碳化硅芯片正在占領(lǐng)電動(dòng)汽車市場(chǎng)

在純電動(dòng)汽車的眾多電子系統(tǒng)中,功率電子設(shè)備是核心所在,而半導(dǎo)體在其能源管理中發(fā)揮著關(guān)鍵作用,確保能源的高效使用。由碳化硅制成的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體...

2025-05-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管碳化硅 1.1k 0

碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

隨著全球?qū)沙掷m(xù)能源的需求不斷增加,能源轉(zhuǎn)換技術(shù)的提升已成為實(shí)現(xiàn)低碳經(jīng)濟(jì)的重要一環(huán)。碳化硅(SiC)功率器件因其在高溫、高電壓和高頻率下優(yōu)越的性能,正逐...

2025-04-27 標(biāo)簽:功率器件碳化硅能源轉(zhuǎn)換 1.1k 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè),我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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    Cirrus LogIC
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Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
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Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
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放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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