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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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英飛凌擴(kuò)展碳化硅晶圓供應(yīng)陣營(yíng),與美國(guó)高意集團(tuán)簽署供應(yīng)協(xié)議
【2022年9月19日,德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)與高意集團(tuán) (納斯達(dá)克代碼:IIVI)簽...
多維科技推出2MHz帶寬的TMR265x系列可編程TMR線性傳感器
全新的TMR傳感器系列具有出色的溫度穩(wěn)定性和多功能性,為高速功率器件提供寬頻譜電流檢測(cè)方案。
2023-05-11 標(biāo)簽:傳感器旋轉(zhuǎn)編碼器電流傳感器 1.1k 0
新品 | 用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動(dòng)評(píng)估板
新品用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動(dòng)評(píng)估板評(píng)估板EVAL-FFXMR20KM1HDR可以幫助客戶快速啟動(dòng)基于2kV碳化硅MOSFET樣機(jī)的特性...
2024-05-09 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅數(shù)字驅(qū)動(dòng)器 1.1k 0
車規(guī)功率器件量?jī)r(jià)齊升市場(chǎng)規(guī)模已超過(guò)1000億元
按技術(shù)特點(diǎn)與功能的不同,功率半導(dǎo)體器件可以分為二極管、晶閘管、晶體管等產(chǎn)品。其中,晶體管包含BJT、MOSFET、IGBT等熱門品線,總體占比超過(guò)70%...
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其...
2025-06-10 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 1.1k 0
中微公司提議回購(gòu)股份,以維護(hù)公司價(jià)值及股東權(quán)益
據(jù)了解,中微公司自2012年至2023年,每年?duì)I收平均增長(zhǎng)率保持在35%以上。近期推出的LPCVD設(shè)備和ALD設(shè)備已成功推向市場(chǎng),其中三款設(shè)備已獲客戶認(rèn)...
Wolfspeed破產(chǎn)重組 SiC行業(yè)格局生變
近日,行業(yè)先驅(qū)Wolfspeed被曝?cái)M通過(guò)破產(chǎn)保護(hù)程序?qū)嵤I(yè)務(wù)重組。這一動(dòng)向折射出SiC產(chǎn)業(yè)激烈競(jìng)爭(zhēng)下的洗牌趨勢(shì),也凸顯中國(guó)供應(yīng)鏈的快速崛起對(duì)傳統(tǒng)巨頭的...
降低半導(dǎo)體制造成本的一個(gè)關(guān)鍵方法是采用更大直徑的晶圓。Si CMOS 制造在 90 年代經(jīng)歷了 150 毫米到 200 毫米的轉(zhuǎn)變,隨后在十年左右的時(shí)間...
隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注不斷加深,寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用逐漸成為電子器件行業(yè)的熱點(diǎn)。碳化硅(SiC)作為一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,因...
國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果
碳化硅行業(yè)觀察:國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來(lái),碳化硅(SiC)功率器件市場(chǎng)雖高速增長(zhǎng),但行業(yè)集中度快速提升,2024年以來(lái)...
碳化硅襯底價(jià)格戰(zhàn)風(fēng)起云涌?聽(tīng)產(chǎn)業(yè)鏈上市公司怎么說(shuō)
對(duì)于一線SiC廠商掀起“價(jià)格戰(zhàn)”、SiC襯底降價(jià)近三成等說(shuō)法,業(yè)內(nèi)持有不同觀點(diǎn)。
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布擴(kuò)大碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品組合,推出五款高性能、低品質(zhì)因數(shù) (FoM) 的 65...
方正微電子榮膺2025灣芯展卓越企業(yè)獎(jiǎng)
三天的精彩呈現(xiàn),無(wú)數(shù)的思想碰撞,本次灣芯展于10月17日?qǐng)A滿落下帷幕。
萬(wàn)年芯:半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代浪潮,機(jī)遇與挑戰(zhàn)的“加速跑”
半導(dǎo)體作為現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的基石,從智能手機(jī)、電腦、服務(wù)器等消費(fèi)電子產(chǎn)品,到汽車、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新興領(lǐng)域,其重要性不言而喻。近年來(lái),中國(guó)半...
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體全面取代Wolfspeed進(jìn)口器件的路徑
在Wolfspeed宣布破產(chǎn)的背景下,國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來(lái)了替代其市場(chǎng)份額的重大機(jī)遇。
SemiQ 600V SiC Diode Modules說(shuō)明介紹
與傳統(tǒng)的硅基二極管相比,SiC二極管模塊具有更快的開(kāi)關(guān)速度、更低的反向恢復(fù)損耗和更高的工作溫度。SiC技術(shù)的發(fā)展推動(dòng)了電力電子設(shè)備的能效提升和尺寸縮小。
碳化硅芯片正在占領(lǐng)電動(dòng)汽車市場(chǎng)
在純電動(dòng)汽車的眾多電子系統(tǒng)中,功率電子設(shè)備是核心所在,而半導(dǎo)體在其能源管理中發(fā)揮著關(guān)鍵作用,確保能源的高效使用。由碳化硅制成的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體...
隨著全球?qū)沙掷m(xù)能源的需求不斷增加,能源轉(zhuǎn)換技術(shù)的提升已成為實(shí)現(xiàn)低碳經(jīng)濟(jì)的重要一環(huán)。碳化硅(SiC)功率器件因其在高溫、高電壓和高頻率下優(yōu)越的性能,正逐...
2025-04-27 標(biāo)簽:功率器件碳化硅能源轉(zhuǎn)換 1.1k 0
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