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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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半導體是現(xiàn)代科技的心臟,跳動于各種電子設備中,為世界提供源源不斷的動力。從汽車工業(yè)、消費電子產品、到能源基礎設施,幾乎每一個現(xiàn)代科技的角落都依賴于半導體...
該報道指出,嘉晶的鎵供應來源為韓國廠商,韓廠并未因此一禁令而提高報價,后續(xù)仍待觀察。漢磊則未用到鎵,因此,未受到影響。以產能來看,嘉晶2024年GaN產...
實驗研究了預清洗對KOH/IPA溶液中單晶硅表面紋理化的影響。如果沒有適當?shù)念A清洗,表面污染會形成比未污染區(qū)域尺寸小的金字塔,導致晶片表面紋理特征不均勻...
巧妙分離電氣通路與散熱通路的碳化硅Q-DPAK頂部散熱封裝,實現(xiàn)極致功率密度
英飛凌CoolSiCMOSFET1200VG2系列產品采用先進的Q-DPAK頂部冷卻封裝,針對高功率密度與高溫運行場景優(yōu)化設計,適用于電動汽車充電、光伏...
此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中,我們討論了寬禁帶半導體基礎知識及碳化硅制造挑戰(zhàn),本文為白皮書第二部分,將重點介紹碳...
IPAC碳化硅直播季丨如何設計2000V CoolSiC?驅動評估板
英飛凌繼推出市面首款擊穿電壓達到2000V的CoolSiCMOSFET分立器件,再次推出首個應用于2000VCoolSiCMOSFET的評估板。本次IP...
不控整流后的隔離DC-DC變換必要性與碳化硅MOSFET的戰(zhàn)略價值
本深度研究報告旨在全面剖析高功率電力電子系統(tǒng)中,在不控整流級之后引入隔離型DC-DC變換環(huán)節(jié)的架構必要性,并深入探討碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效...
碳化硅(SiC)技術正引領一場革新,為從新能源汽車到工業(yè)電源管理等多個行業(yè)帶來前所未有的效率和性能提升。為了幫助工程師們更好地探索和利用 SiC 技術的...
Microchip新推出一系列SiC功率器件 具有良好耐用性以及寬帶隙技術優(yōu)勢
隨著市場對SiC技術的效率和功率密度的要求不斷上升,新推出的700V MOSFET和700V、1200V SBD可為客戶提供更多選擇。
傾佳電子B3M010C075Z碳化硅MOSFET深度分析:性能基準與戰(zhàn)略應用
傾佳電子B3M010C075Z碳化硅MOSFET深度分析:性能基準與戰(zhàn)略應用 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接...
在產品層面上,對于碳化硅長晶爐,公司采用液相法可以在高溫條件下將碳化硅變成液體,這種方法更為直觀可見,并且有利于生產過程中的調控。不過,由于液相法仍處在...
2023-12-14 標簽:控制系統(tǒng)生產線碳化硅 1.1k 0
IIC Shenzhen – 2024國際集成電路展覽會暨研討會將在11月5-6日于深圳福田會展中心舉行。PI公司營銷副總裁Doug Bailey先生將...
在新能源汽車行業(yè),800V高壓平臺正在成為下一代純電技術的核心戰(zhàn)場。而決定這場戰(zhàn)役勝負的關鍵之一,藏在約一粒綠豆大小的碳化硅(SiC)芯片里。
聚焦強鏈補鏈,國基南方、55所持續(xù)推進新能源汽車用碳化硅MOSFET關鍵核心技術攻關和產業(yè)化應用,貫通碳化硅襯底、外延、芯片等全產業(yè)鏈量產平臺,率先在新...
納芯微發(fā)布首款車規(guī)級1200V SiC MOSFET
為了提供給客戶更可靠的碳化硅MOSFET產品,在碳化硅芯片生產過程中施行嚴格的質量控制,所有碳化硅產品做到 100% 靜態(tài)電參數(shù)測試,100%抗雪崩能力測試。
晶升股份上半年凈利潤同比增長447%,獲國內大客戶重復和批量訂單
具體來看,晶升股份自主研發(fā)的核心技術,形成了廠商及碳化硅硅芯片chende覆蓋國內龍頭企業(yè)或與主流客戶滬硅產業(yè)(上海新昇)、立昂微(金瑞泓)、神工股份、...
許多人可能認為,既然 5G 已經開始鋪開,那么4G 技術也即將退出歷史舞臺。但這絕不是事實,因為仍有計劃為許多使用較老的 3G/4G 技術的地區(qū)提供 4...
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