2013年7月23日，致力于亞太區(qū)市場的領(lǐng)先電子元器件分銷商---大聯(lián)大集團(tuán)宣布，其旗下品佳集團(tuán)推出一系列智能電網(wǎng)解決方案，包括Microchip 公司的單相及三相多功能智能電表方案、恩智浦在智能
2013-07-23 11:13:00
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工程師對電磁干擾，并行化和布局非常熟悉，但是當(dāng)從基于硅的芯片過渡到碳化硅或寬帶隙器件時，需要多加注意。 芯片顯示，基于硅（Si）的半導(dǎo)體比寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體具有十多年的領(lǐng)先優(yōu)勢，主要是碳化硅
2021-04-06 17:50:534300 
下工作，承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS)，然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術(shù)要求才能提高耐用性，還必須符合熱管理限制，才能避免熱失控。 ? 意法半導(dǎo)體 (ST) 推出了一款采用
2022-05-24 16:45:006293 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場中全面推進(jìn)。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對應(yīng)物，并在
2022-07-29 14:09:531842 
SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體材料。表1-1顯示了每種半導(dǎo)體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場強(qiáng)（擊穿場）和帶隙（能隙），分別是Si的10倍和3倍。此外，可以
2022-11-22 09:59:262550 設(shè)計出色功效的電子應(yīng)用時，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的器件。與電子開關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術(shù)具有祼片外形尺寸小、導(dǎo)熱和熱管理性能優(yōu)異、開關(guān)損耗
2023-10-12 16:18:563227 
一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進(jìn)步的簡要?dú)v史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢及其未來的商業(yè)前景?！ √蓟杌蛱蓟璧臍v史
2023-02-27 13:48:12
器件。雪崩堅固耐用評估SiC MOSFET的另一個重要參數(shù)是雪崩耐用性，通過非鉗位感應(yīng)開關(guān)（UIS）測試進(jìn)行評估。雪崩能量顯示MOSFET能夠承受驅(qū)動感性負(fù)載時有時會產(chǎn)生的瞬態(tài)。Littelfuse
2019-07-30 15:15:17
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23
隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展， 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高
2019-08-12 06:59:10
寬帶隙器件的技術(shù)優(yōu)勢實際應(yīng)用中的寬帶隙功率轉(zhuǎn)換
2021-02-22 08:14:57
來說具有高性能、低延遲、高靈活度（整合功能）的技術(shù)優(yōu)勢。
AGM32 103系列的最高主頻為168MHz; 407系列的最高主頻為248MHz，配備了1M的片上Flash和零等待指令執(zhí)行功能。所有
2023-12-29 10:52:29
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
NoC是什么？NoC有哪些技術(shù)優(yōu)勢？NoC有哪些關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)？
2021-06-04 06:34:33
什么是OLED？OLED技術(shù)優(yōu)勢與劣勢是什么？
2021-06-02 06:37:04
什么是POE供電？POE供電的技術(shù)優(yōu)勢和拓展應(yīng)用POE以太網(wǎng)供電的關(guān)鍵技術(shù)
2020-12-24 07:00:59
能夠在高輸出功率電平下承受嚴(yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時，它的輸出功率有很大一部分會被反射進(jìn)器件，此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時，重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用性結(jié)果的條件，因為不同制造商的測試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
實現(xiàn)了具有硅半導(dǎo)體無法得到的突破性特性的碳化硅半導(dǎo)體（SiC半導(dǎo)體）的量產(chǎn)。另外，在傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域，實現(xiàn)了從分立式半導(dǎo)體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實力的復(fù)合型產(chǎn)品群。下面介紹這些產(chǎn)品中的一部分。
2019-07-08 08:06:01
標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品，并與具有高技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和高品質(zhì)要求的供應(yīng)商合作。在這過程中，ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應(yīng)商脫穎而出。ROHM的服務(wù)和技術(shù)支持都非常出色，使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
的。超寬帶技術(shù)開發(fā)了一個具有大容量的無線信道，它還具有對信道衰落不敏感、發(fā)射信號功率譜低、測距精度高、系統(tǒng)成本低等優(yōu)點(diǎn)，受到了人們的普遍重視。利用上述這些優(yōu)點(diǎn)，超寬帶信號對障礙物具有良好的穿透性和精確測距
2018-11-06 16:14:08
UWB技術(shù)的家庭應(yīng)用有哪些？UWB的技術(shù)優(yōu)勢是什么？
2021-05-28 06:37:32
uWB定位技術(shù)優(yōu)勢是什么？具有哪些參數(shù)功能？
2022-02-11 07:46:22
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
重要考量是SiC二極管/ MOSFET的設(shè)計。SiC能夠應(yīng)對高場應(yīng)力，因此很多設(shè)計都是為了應(yīng)對這些高應(yīng)力條件。例如，終端結(jié)構(gòu)需要很多心思，才能確保器件的耐用性。利用寬帶隙（WBG）材料的獨(dú)特特性，SiC技術(shù)
2018-10-29 08:51:19
說到功率轉(zhuǎn)換電子器件，每位設(shè)計師都希望用到損耗最小的完美半導(dǎo)體開關(guān)，而寬帶隙碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）器件通常被認(rèn)為是接近完美的器件。不過，想要達(dá)到“完美”，只靠低損耗是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。開關(guān)必須
2023-02-05 15:14:52
如何將 CubeMX 項目從一系列 MCU 遷移到新系列的 MCU？
2023-01-16 07:02:24
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
概覽無線通信為測量應(yīng)用提供了許多技術(shù)優(yōu)勢，其中包括更低的布線成本和遠(yuǎn)程監(jiān)測功能。然而，如果不了解每項無線標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)優(yōu)勢和不足，選擇一項技術(shù)及其實現(xiàn)方法都會非常困難。該文檔討論了市場上可用的各項無線
2019-07-22 06:02:25
功率開關(guān)技術(shù)也是如此，特別是用SiC和GaN制作的寬帶隙器件。SiC已經(jīng)從5年前的商業(yè)起步躍升到今天的第三代，價格已與硅開關(guān)相當(dāng)，特別是在考慮到連鎖效益的情況下?！ ‰S著電動汽車、可再生能源和5G等
2023-02-27 14:28:47
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
PXI Express的技術(shù)優(yōu)勢是什么？
2021-05-13 06:25:22
，寬帶隙器件的價格也降到常規(guī)器件的價格區(qū)間。在電機(jī)控制應(yīng)用的功率水平不斷提高的情況下，可以考慮使用寬帶隙器件，它比IGBT和硅MOSFET具有更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。盡管單位成本與舊技術(shù)相比，還有一定差距
2023-02-05 15:16:14
ADI推出一系列GPS解決方案
針對衛(wèi)星導(dǎo)航(GPS)的應(yīng)用,提供了以下產(chǎn)品來滿足客戶的設(shè)計需求:
一.用影像解碼 Video Decoder― ADV7180ADV7180是ADI首次發(fā)表的低價格
2009-05-08 09:37:24973 
SiC功率器件的封裝技術(shù)要點(diǎn)
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與S
2009-11-19 08:48:432709 Aiconn 推出一系列WiFi / Bluetooth Module產(chǎn)品
世平集團(tuán)于近日正式代理Aiconn 的WiFi / Bluetooth module產(chǎn)品；產(chǎn)品以SiP module &
2010-01-08 17:07:111033 
IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391734 ，這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類型的應(yīng)用？本文將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們的耐用
2017-11-23 18:58:37738 )晶體管，這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負(fù)載失配。但這些晶體管 真的無懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類型的應(yīng)用？本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它 們的
2017-12-07 06:22:21884 ，這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類型的應(yīng)用？本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們的耐
2017-12-07 17:53:08622 ，這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類型的應(yīng)用？本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。
2019-03-18 15:53:161788 
Vicor 推出一系列支持 ±1% 穩(wěn)壓的器件，進(jìn)一步壯大其采用 ChiP 封裝的隔離穩(wěn)壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器模塊 （DCM） 陣營。最新系列產(chǎn)品具有無與倫比的功率密度，高達(dá) 1，032 W/in3
2018-05-21 10:47:001329 
廣州安的電子科技有限公司是業(yè)內(nèi)知名的專注于RFID設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和提供解決方案的高科技公司，該公司日前推出了一系列內(nèi)嵌式微功率讀寫器。
2019-01-28 17:20:343803 汽車、工業(yè)、太空和國防領(lǐng)域越來越需要能提升系統(tǒng)效率、穩(wěn)健性和功率密度的SiC功率產(chǎn)品。
2019-08-08 10:04:355415 ，這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于 65.0:1的電壓駐波比（VSWR）的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類型的應(yīng)用？本文將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們的
2020-08-20 18:50:00
0 能夠在高輸出功率電平下承受嚴(yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時，它的輸出功率有很大一部分會被反射進(jìn)器件，此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時，重要的是
2020-08-14 18:51:000 ）晶體管，這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比（VSWR）的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類型的應(yīng)用？本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們
2020-08-12 18:52:001 尋找硅替代物的研究始于上個世紀(jì)的最后二十年，當(dāng)時研究人員和大學(xué)已經(jīng)對幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗，這些材料顯示出替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材料技術(shù)的巨大潛力。應(yīng)用程序。在新世紀(jì)即將來臨
2021-04-01 14:10:192851 
推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 （ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON），發(fā)布一系列新的碳化硅 （SiC） MOSFET器件，適用于功率密度、能效和可靠性攸關(guān)的高要求應(yīng)用。
2021-02-19 14:03:152659 談起電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計，諸如碳化硅（SiC）等寬禁帶（WBG）技術(shù)是當(dāng)今進(jìn)行器件選擇時的現(xiàn)實考慮。650V SiC MOSFET的推出使它們對于某些以前從沒有考慮過的應(yīng)用更具吸引力，這些器件在高效硬
2021-04-03 09:17:002598 
寬帶隙 （WBG） 半導(dǎo)體器件的集成在多種技術(shù)應(yīng)用中作為硅技術(shù)的替代品是一個不斷增長的市場，它可以提供效率和功率密度的改進(jìn)，這對能源和成本節(jié)約有很大的影響 。WBG 具有顯著優(yōu)勢，例如更高的開關(guān)頻率、更低的功率損耗和更高的功率密度。
2022-04-22 17:01:513058 
寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，這些特性使其對高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕，即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的許多酸性溶液中
2022-07-06 16:00:213281 
半導(dǎo)體，它們具有更高的功率效率、更小的尺寸和重量以及更低的總體成本的優(yōu)勢。因此，SiC 和 GaN 將取代硅制造的器件，因為它們有一些局限性。
2022-07-29 08:06:462460 
考慮到SiC MOSFET在高壓應(yīng)用中 與IGBT相比的技術(shù)優(yōu)勢，人們顯然會為新設(shè)計選擇寬帶隙組件，尤其是在應(yīng)用中驅(qū)動高功率密度和低損耗的情況下。
2022-07-29 08:07:12967 
碳化硅 (SiC) 是一種寬帶隙半導(dǎo)體，近年來已成功應(yīng)用于多種電源應(yīng)用，與基于硅技術(shù)的傳統(tǒng)組件相比，表現(xiàn)出卓越的品質(zhì)。基于 SiC 的功率分立器件具有相關(guān)特性，包括高開關(guān)頻率和工作溫度、低傳導(dǎo)損耗
2022-08-04 10:39:392036 
Nytro XF1440 2.5 英寸和 Nytro XM1440 M.2 NVMe 固態(tài)硬盤面向具有高可靠性和耐用性的企業(yè)和云應(yīng)用。它們具有 PCIe Gen 3 ×4 接口。
2022-08-29 10:24:241636 寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進(jìn)行了對比。
2022-10-31 09:03:231598 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)?；仡櫫?b class="flag-6" style="color: red">SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:142146 等應(yīng)用中。 ? ? ? 在需要低損耗、高頻開關(guān)或高溫環(huán)境的功率應(yīng)用中，碳化硅陶瓷基板功率半導(dǎo)體技術(shù)與傳統(tǒng)硅基器件相比具有顯著優(yōu)勢。例如，Sic的介電強(qiáng)度電壓大約是硅的10倍，低損耗對性能比至關(guān)重要，而SiC技術(shù)可將功率損耗降低多達(dá)五分之
2022-11-16 10:57:401350 
新技術(shù)星期二：耐用性、可靠性 Power Entertainment@Amphenol Connectors
2022-12-29 10:02:501798 
寬帶隙增強(qiáng)功率轉(zhuǎn)換
2023-01-03 09:45:08875 集成寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件作為硅技術(shù)在多種技術(shù)應(yīng)用中的替代品，是一個不斷增長的市場，可以提供效率和功率密度的改善，在能源和成本節(jié)約方面有很大的反響。WBG具有更高的開關(guān)頻率、更低的功率損耗和更高的功率密度。繼續(xù)閱讀，了解更多關(guān)于基于WBG的半導(dǎo)體器件的廣泛應(yīng)用。
2023-02-02 16:36:162763 隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導(dǎo)體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對較寬的帶隙（與常用的硅相比），寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長電池壽命，這有助于推動寬帶隙半導(dǎo)體的市場。
2023-02-05 14:25:151764 功率GaN技術(shù)已證明可為電源轉(zhuǎn)換帶來出色的效率。但對于汽車應(yīng)用這樣的市場，解決方案還需要出色的耐用性，才能確保高質(zhì)量和可靠性。我們必須證明，Nexperia的GaN技術(shù)不但可以在高電壓和高溫下提供操作耐用性，還能在生產(chǎn)中兼顧質(zhì)量、可靠性和可擴(kuò)展性，以便成功地投入大電流、高功率的汽車應(yīng)用。
2023-02-09 09:36:50796 
功率 MOSFET 單次和重復(fù)雪崩耐用性等級-AN10273
2023-02-09 19:23:424 寬帶隙半導(dǎo)體是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體材料，其特性是具有較寬的能帶隙，可以吸收和發(fā)射更多的光子，從而提高半導(dǎo)體器件的效率。它廣泛應(yīng)用于太陽能電池、激光器件、光電子器件等領(lǐng)域。
2023-02-16 15:07:082519 碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:163128 寬帶隙半導(dǎo)體材料（如SiC）與更傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料（如Si）相比具有許多優(yōu)勢?？紤]帶隙隨著溫度升高而縮小的事實：如果我們從寬帶隙開始，那么溫度升高對功能的影響要小得多。由于SiC具有寬帶隙，因此它可以在更高的溫度下繼續(xù)工作，通常高達(dá)400°C。
2023-05-24 11:13:483185 碳化硅（SiC）是一種陶瓷材料，出于半導(dǎo)體應(yīng)用的目的，通常以單晶形式生長。其固有的材料特性，加上作為單晶生長，使其成為市場上最耐用的半導(dǎo)體材料之一。這種耐用性遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了其電氣性能。
2023-05-24 11:22:401845 在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，使用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）材料的寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體器件作為開關(guān)，能讓開關(guān)性能更接近理想狀態(tài)。相比硅MOSFET或IGBT，寬帶隙器件的靜態(tài)和動態(tài)損耗都更低。此外還有
2023-07-11 09:20:021235 碳化硅(SiC)作為一個新興的寬帶隙半導(dǎo)體材料，已經(jīng)吸引了大量的研究關(guān)注。其優(yōu)越的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和高頻響應(yīng)使其在功率電子器件領(lǐng)域中具有巨大的應(yīng)用潛力。但要完全發(fā)揮SiC功率器件的潛力，封裝技術(shù)同樣至關(guān)重要。本文主要探討碳化硅功率器件封裝的三個關(guān)鍵技術(shù)。
2023-08-15 09:52:111597 
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢，以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開關(guān)損耗，開關(guān)損耗會被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成電路
2023-09-21 17:09:321612 
功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時柵極電阻選型注意事項
2023-11-23 16:56:321420 
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢，以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開關(guān)損耗，開關(guān)損耗會被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成電路
2023-11-27 09:16:271082 
SiC器件的核心優(yōu)勢在于其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、以及高擊穿電壓。具體來說，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導(dǎo)率是硅的3倍以上，有利于高功率應(yīng)用中的熱管理。
2024-03-08 10:27:152810 
碳化硅功率器件利用SiC半導(dǎo)體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更高的電子飽和漂移速度和熱導(dǎo)率，以及更高的臨界擊穿電場強(qiáng)度。
2024-03-14 10:47:271109 
碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具備高電子遷移率、高熱導(dǎo)率以及高擊穿電場強(qiáng)度等特點(diǎn)。這些特性使得SiC器件在高溫、高電壓和高頻率下依然能夠穩(wěn)定工作，同時比傳統(tǒng)硅基器件體積更小，效率更高，耗能更低。
2024-04-18 11:02:361729 
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比，它們具有更高的效率、功率密度和開關(guān)頻率等主要優(yōu)勢。離子注入是在硅器件
2024-04-29 11:49:532875 
應(yīng)運(yùn)而生，這是一款基于碳化硅(SIC)技術(shù)的新型SICDIODE模塊。這篇文章將深入探討SICDIODE模塊的技術(shù)優(yōu)勢，以及它在焊接切割設(shè)備中的應(yīng)用和性能提升。圖
2024-06-04 11:55:061207 
優(yōu)勢，成為了電力電子領(lǐng)域的一顆璀璨新星。本文將深入探討碳化硅功率器件的物性特征、技術(shù)優(yōu)勢、應(yīng)用前景以及面臨的挑戰(zhàn)。
2024-09-11 10:43:091207 碳化硅的基本特性 碳化硅是一種由碳和硅組成的化合物半導(dǎo)體，具有以下特性： 寬帶隙 ：SiC的帶隙寬度約為3.26eV，遠(yuǎn)大于硅（Si）的1.12eV，這使得SiC在高溫、高頻和高功率應(yīng)用中具有優(yōu)勢
2024-11-25 18:10:102440 SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù)，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)。Wolfspeed 等公司推出的 SiC 功率模塊
2024-12-05 15:07:402036 
近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進(jìn)的表面貼裝(SMD
2025-03-20 11:18:11964 
功率電子技術(shù)的快速發(fā)展，得益于寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料的進(jìn)步，尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比，這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導(dǎo)率和更快的開關(guān)速度。這些特性使得功率
2025-04-23 11:36:00780 
傾佳電子陽臺光儲電源系統(tǒng)架構(gòu)及SiC器件替代超結(jié)MOSFET的技術(shù)優(yōu)勢 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
2025-09-23 08:28:001056 
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