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標簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

集成電路產(chǎn)業(yè)狂飆,企業(yè)如何為高質(zhì)量發(fā)展注入活力

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據(jù)國家統(tǒng)計局數(shù)據(jù)顯示,2024年上半年我國集成電路產(chǎn)品的產(chǎn)量同比增長了28.9%,增勢明顯。在萬年芯看來,集成電路產(chǎn)業(yè)強勢“狂飆”,交出了亮眼的2024...

2024-08-02 標簽:集成電路半導(dǎo)體封裝碳化硅 1.1k 0

2023基本創(chuàng)新日成功舉辦 碳化硅年度新品震撼發(fā)布

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2023-10-30 標簽:碳化硅 1.1k 0

瞻芯電子交付碳化硅(SiC)MOSFET逾千萬顆 產(chǎn)品長期可靠性得到驗證

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來源:瞻芯電子 近日,自2020年正式發(fā)布第一代碳化硅(SiC) MOSFET產(chǎn)品以來,瞻芯電子累計交付SiC MOSFET產(chǎn)品1000萬顆以上,其中包...

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羅姆將量產(chǎn)下一代碳化硅功率半導(dǎo)體

? ? ? 日本媒體報道稱日本羅姆(ROHM)12月將開始量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體。原材料是碳化硅(SiC),羅姆花費約20年推進了研發(fā)。據(jù)稱,羅姆在福岡縣...

2022-11-28 標簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 1.1k 0

12.1.3 碰撞電離雪崩渡越時間(IMPATT)二極管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

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12.1.3碰撞電離雪崩渡越時間(IMPATT)二極管12.1微波器件第12章專用碳化硅器件及應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)...

2022-04-27 標簽:二極管碳化硅 1.1k 0

碳化硅功率器件下一站關(guān)鍵點將在電動汽車領(lǐng)域

到2023年,SiC功率半導(dǎo)體市場預(yù)計將達到15億美元。

2020-03-01 標簽:功率器件SiC碳化硅 1.1k 0

SiC規(guī)模將超560億?

SiC規(guī)模將超560億?

結(jié)合全球功率半導(dǎo)體市場數(shù)據(jù)推算,2022年SiC功率半導(dǎo)體的滲透率為4.85%,2023年滲透率為6.53%,2028年預(yù)計將達到18.58%左右。

2024-01-25 標簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 1.1k 0

芯聯(lián)集成與蔚來簽署碳化硅模塊生產(chǎn)供貨協(xié)議,助力蔚來全面升級120平臺

未來,蔚來計劃廣泛建設(shè)換電站并對全線車輛進行升級,實施1200V碳化硅功率模塊,滿足用戶對快速充電的需求,進一步降低里程和充電焦慮感。

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11.3.5 混合動力和純電動汽車的電動機驅(qū)動∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

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11.3.5混合動力和純電動汽車的電動機驅(qū)動11.3電動機驅(qū)動的電力電子學(xué)第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和...

2022-04-20 標簽:驅(qū)動碳化硅 1.1k 0

PI超快速Q(mào)speed H系列二極管可替代碳化硅元件

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PI的超快速Q(mào)speed H系列二極管現(xiàn)可達到650V以及高達30A的電壓電流額定值。這些高功率器件具有業(yè)界最低的硅二極管反向恢復(fù)電荷(Qrr)。它們是...

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傾佳電子碳化硅(SiC)MOSFET可靠性綜合分析:試驗方法及其意義

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2025-10-18 標簽:MOSFET碳化硅 1.1k 0

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2023-07-25 標簽:電動汽車驅(qū)動器逆變器 1.1k 0

群芯微電子亮相2025慕尼黑上海電子展

此前,2025年4月15日-17日,全球電子行業(yè)矚目的2025上海慕尼黑電子展(electronica China)在上海新國際博覽中心盛大啟幕。

2025-04-21 標簽:MOSFET光耦碳化硅 1.1k 0

碳化硅(SiC)MOSFET橋式電路應(yīng)用中米勒鉗位功能的重要性

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2025-04-30 標簽:MOSFETSiC碳化硅 1.1k 0

Soitec宣布在法國貝寧增設(shè)生產(chǎn)線,用于生產(chǎn)創(chuàng)新型碳化硅晶圓,以提升SOI綜合供應(yīng)能力

Soitec宣布在法國貝寧增設(shè)生產(chǎn)線,用于生產(chǎn)創(chuàng)新型碳化硅晶圓,以提升SOI綜合供應(yīng)能力

Soitec 半導(dǎo)體公司宣布,將在其位于法國貝寧的總部增設(shè)新產(chǎn)線,用于生產(chǎn)創(chuàng)新型碳化硅襯底,助力電動汽車和工業(yè)市場應(yīng)對關(guān)鍵挑戰(zhàn)。新產(chǎn)線落成后還將同時用于...

2022-03-16 標簽:電動汽車碳化硅 1.1k 0

PI公司1700V氮化鎵產(chǎn)品直播預(yù)告

PI公司誠邀您報名參加電子研習(xí)社主辦的線上直播。我們的技術(shù)專家將為您帶來專題演講,介紹新的氮化鎵耐壓基準。

2025-01-15 標簽:充電器氮化鎵碳化硅 1.1k 0

派恩杰半導(dǎo)體亮相PCIM Europe 2025

近日,PNJ(PNJunction)亮相PCIM Europe 2025,在德國紐倫堡迎來展會首日盛況。本屆展會聚焦電力電子、智能運動、可再生能源與能源...

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東風首批自主碳化硅功率模塊下線

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智新半導(dǎo)體有限公司是東風公司與中國中車2019年在武漢成立的,智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項目基于東風集團“馬赫動力”新一代800V高壓平臺,項目于2021年進...

2023-11-03 標簽:IGBT功率模塊碳化硅 1.1k 0

Littelfuse推出柵極驅(qū)動器評估平臺,協(xié)助設(shè)計師實現(xiàn)碳化硅節(jié)能

與大多數(shù)其他碳化硅評估平臺不同,GDEV提供快速連接插頭引腳端子,可以快速、一致地比較不同的柵極驅(qū)動器電路。 GDEV支持800 V DC鏈接輸入電壓和...

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功率半導(dǎo)體商納微半導(dǎo)體明天發(fā)布2023年第三季度財務(wù)業(yè)績召開電話會議

? ?納微半導(dǎo)體(納斯達克股票代碼:NVTS)將于美東時間2023年11月9日星期四股市收市后,公布2023年第三季度財務(wù)業(yè)績。納微半導(dǎo)體管理層將召開電...

2023-11-08 標簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體碳化硅 1.1k 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響,當時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力,將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當中
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    32位單片機
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      Cortex-A 系列處理器是一系列處理器,支持ARM32或64位指令集,向后完全兼容早期的ARM處理器,包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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    Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 的開發(fā)方面走在世界前列,提供芯片搭載系統(tǒng)和計算機視覺算法運行 DAS 客戶端功能,例如車道偏離警告 (LDW)、基于雷達視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告 (FCW)、車距監(jiān)測 (HMW)、行人探測、智能前燈控制 (IHC)、交通標志識別 (TSR)、僅視覺自適應(yīng)巡航控制 (ACC) 等。
  • CC2541
    CC2541
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    CC2541 是一款針對低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) (SoC) 解決方案。
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    STM32F4是由ST(意法半導(dǎo)體)開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART(自適應(yīng)實時存儲器加速器,Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?)。
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